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全志nand驱动 两款国产高端射频芯片问世 芯片概念股有望再起波澜(附股)
发布时间 : 2024-11-26
作者 : 小编
访问数量 : 23
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两款国产高端射频芯片问世 芯片概念股有望再起波澜(附股)

据媒体报道,日前爱斯泰克发布了两款射频收发系统集成电路芯片,经专家组技术鉴定,达到国际先进水平。这两款芯片未来可广泛应用于5G手机、基站、超高速无线物联网、射频传感器、卫星通信、导航以及特种专用高宽带通信、雷达等装备和领域。业内表示,射频芯片是无线通信的关键部件,目前,高端射频芯片大部分由国际大公司垄断。关注和而泰、亚光科技。

芯片概念股一览表:

1)同方国芯:NAND闪存技术;持有51%股权西安华芯,其拥有华芯自主品牌大容量DRAM存储器产品;

2)国民技术:射频芯片;移动支付限域通信 RCC 技术;

3)景嘉微:军用GPU(JM5400 型图形芯片);

4)全志科技:市场唯一的一家独立自主IP 核芯片设计公司(类似巨头ARM)数模混合高速信号的设计与集成技术在55nm/40nm/28nm 工艺下实现HDMI、LVDS、PLL、AudioCODEC、USB2.0、TV-encoder、TV-decoder 等数模混合IP;

5)艾派克:通用打印耗材芯片(SOC芯片—自主知识产权的32位嵌入式CPU内核、ASIC芯片);

6)大唐电信:子公司联芯科技(LC1860 芯片-中低端产品)、恩智浦(车灯调节器芯片、门驱动芯片、电池管理芯片)、大唐微电子(金融IC卡—国内唯一一家自有模块封装产线的芯片商)为旗下三家半导体设计提供商;

7)欧比特:SOC、芯片式卫星等;国内航空航天控制芯片龙头(S698 系列芯)。

ARM+DSP异构多核——全志T113-i+玄铁HiFi4核心板规格书

核心板简介

创龙科技SOM-TLT113是一款基于全志科技T113-i双核ARM Cortex-A7 + 玄铁C906 RISC-V + HiFi4 DSP异构多核处理器设计的全国产工业核心板,ARM Cortex-A7处理单元主频高达1.2GHz。核心板CPU、ROM、RAM、电源、晶振等所有器件均采用国产工业级方案,国产化率100%。

核心板通过邮票孔连接方式引出CAN、UART、SPI、TWI(I2C)、EMAC、USB、LVDS DISPLAY、RGB DISPLAY、MIPI DSI、CVBS IN/OUT、CSI等接口,支持1080P@60fps JPEG/MJPEG视频硬件编码,支持4K@30fps H.265、4K@24fps H.264视频硬件解码。核心板经过专业的PCB Layout和高低温测试验证,稳定可靠,可满足各种工业应用环境。

用户使用核心板进行二次开发时,仅需专注上层运用,降低了开发难度和时间成本,可快速进行产品方案评估与技术预研。

图 1 核心板正面图

图 2 核心板背面图

图 3 核心板斜视图

图 4 核心板侧视图

典型应用领域

工业控制工业网关仪器仪表能源电力轨道交通

软硬件参数

硬件框图

图 5 核心板硬件框图

图 6 T113-i处理器功能框图

硬件参数

表 1

CPU

全志科技T113-i,22nm

2x ARM Cortex-A7,主频高达1.2GHz

1x HiFi4 DSP,主频高达600MHz

1x 玄铁C906 RISC-V(64bit),主频高达600MHz

备注:官方暂未提供RISC-V SDK,具体发布时间待定

Decoder

H.265 MP@L5.0 up to 4K@30fps

H.264 BP/MP/HP@L5.0 up to 4K@24fps

MPEG-4 SP/ASP L5.0 up to 1080p@60fps

MPEG-2/MPEG-1 MP/HL up to 1080p@60fps

JPEG/Xvid/Sorenson Spark up to 1080p@60fps

MJPEG up to 1080p@30fps

Encoder

JPEG/MJPEG up to 1080p@60fps

ROM

256MByte NAND FLASH或4GByte eMMC

RAM

128/256/512MByte DDR3

LED

1x 电源指示灯

2x 用户可编程指示灯

邮票孔

2x 30pin + 2x 40pin,共140pin,间距1.0mm

Video IN

1x CSI(CMOS sensor parallel interface),8bit并口,支持1080P@30fps

2x CVBS IN,支持NTSC和PAL制式

Video OUT

2x LVDS DISPALY,包含LVDS0、LVDS1输出,支持1080P@60fps

1x RGB DISPALY,支持1080P@60fps

1x MIPI DSI,包含4个数据通道,支持1200P@60fps

备注:LVDS0、LVDS1与LCD0(RGB DISPLAY)引脚复用,同时LVDS0与MIPI DSI引脚复用

1x CVBS OUT,支持NTSC和PAL制式

Audio

1x Audio Codec,包含3路单声道MIC IN、1路立体声LINE IN、1路立体声FM IN,同时包含1路差分LINE OUT、1路立体声H/P(Headphone) OUT

其他硬件资源

1x USB2.0 DRD(USB0)

1x USB2.0 HOST(USB1)

2x SMHC(SDC0/SDC1),支持SD3.0、SDIO3.0、eMMC5.0协议

备注:核心板板载eMMC已使用SDC2,SDC2未引出至邮票孔引脚

4x TWI(TWI0~TWI3),Two Wire Interface(即I2C),支持标准模式(100Kbps)和高速模式(400Kbps)

1x SPI1,含1个片选信号,时钟频率高达100MHz,支持SPI模式和DBI(Display Bus Interface)模式

备注:核心板板载NAND FLASH已使用SPI0,SPI0未引出至邮票孔引脚;SPI0与SDC2存在引脚复用关系

6x UART(UART0~UART5),支持4Mbps波特率(64MHz APB时钟)

8x PWM(PWM0~PWM7),支持PWM输出、输入捕获,输出频率高达24/100MHz

1x EMAC,支持RGMII、RMII接口(10/100/1000Mbps)

2x GPADC(General Purpose ADC),12bit分辨率,采样率高达1MHz

4x TPADC(Touch Panel ADC),12bit分辨率,采样率高达1MHz,支持4线电阻式触摸屏检测输入

1x LRADC(Low Rate ADC),6bit分辨率,采样率高达2KHz

1x LEDC,支持1024个LED串行连接,LED数据传输速率高达800Kbps

3x I2S/PCM,全双工,采样率8KHz~384KHz

1x DMIC,最高支持8通道,采样率8KHz~48KHz

1x OWA(One Wire Audio),兼容S/PDIF协议

2x CIR,1x CIR TX接口,1x CIR RX接口

2x CAN(CAN0、CAN1),支持CAN 2.0A和CAN 2.0B协议

3x JTAG,包含ARM、RISC-V和HiFi4 DSP JTAG

备注:部分引脚资源存在复用关系。

软件参数

表 2

内核

Linux-5.4.61、Linux-RT-5.4.61、翼辉SylixOS(国产操作系统,计划)

文件系统

Buildroot-201902、翼辉SylixOS(国产操作系统,计划)

图形界面开发工具

Qt-5.12.5

软件开发套件提供

T113-i_V1.0(Linux)

驱动支持

DDR3

eMMC

UART

NAND FLASH

LED

KEY

SD

CAN

Ethernet

USB

4G/WIFI

CVBS IN

RTC

MIC IN/LINE IN

H/P OUT

LVDS LCD

TFT LCD

MIPI LCD/HDMI OUT

CVBS OUT

Touch Screen

开发资料

提供核心板引脚定义、可编辑底板原理图、可编辑底板PCB、芯片Datasheet,协助国产元器件方案选型,缩短硬件设计周期;提供系统固化镜像、内核驱动源码、文件系统源码,以及丰富的Demo程序;提供完整的平台开发包、入门教程,节省软件整理时间,让应用开发更简单。

开发案例主要包括:

Linux、Linux-RT、Qt应用开发案例HiFi4 DSP开发案例ARM + HiFi4 DSP核间通信开发案例IgH EtherCAT主站、CAN开发案例4G/WIFI/Bluetooth/NB-IoT/ZigBee/LoRa开发案例LVDS、LCD、MIPI、HDMI、CVBS多媒体显示开发案例H.264、H.265视频开发案例Docker容器技术、MQTT通信协议案例、Ubuntu操作系统演示案例翼辉SylixOS国产操作系统演示案例(计划)8/16通道国产同步AD采集开发案例(与AD7606/AD7616管脚兼容)(计划)ARM与FPGA通信开发案例(SPI/CSI)(计划)

电气特性

工作环境

表 3

环境参数

最小值

典型值

最大值

工作温度

-40°C

/

85°C

工作电压

/

5.0V

/

功耗测试

表 4

工作状态

电压典型值

电流典型值

功耗典型值

空闲状态

5.0V

0.12A

0.60W

满负荷状态

5.0V

0.22A

1.10W

备注:功耗基于TLT113-EVM评估板测得。测试数据与具体应用场景有关,仅供参考。

空闲状态: 系统启动,评估板不接入其他外接模块,不执行程序。

满负荷状态: 系统启动,评估板不接入其他外接模块,运行DDR压力读写测试程序,2个ARM Cortex-A7核心的资源使用率约为100%。

机械尺寸

表 5

PCB尺寸

35mm*45mm

PCB层数

8层

PCB板厚

1.6mm

图 7 核心板机械尺寸图

产品型号

表 6

型号

CPU

ARM主频

NAND FLASH

eMMC

DDR3

温度级别

SOM-TLT113-2GN1GD-I-A1.0

T113-i

1.2GHz

256MByte

/

128MByte

工业级

SOM-TLT113-2GN2GD-I-A1.0

T113-i

1.2GHz

256MByte

/

256MByte

工业级

SOM-TLT113-32GE2GD-I-A1.0

T113-i

1.2GHz

/

4GByte

256MByte

工业级

SOM-TLT113-32GE4GD-I-A1.0

T113-i

1.2GHz

/

4GByte

512MByte

工业级

型号参数解释

图 8

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