国产闪存颗粒终于熬出头 紫光存储S100固态硬盘评测

2017年以来，随着NAND颗粒价格的大起大落，固态硬盘产品也出现了成倍的价格上涨和近期的大幅度下落。这背后与国际大厂的默契操盘有着躲不开的关系。NAND颗粒作为广泛引用于PC、移动设备和各类存储设备的重要基础产品，对各大产业的影响不言而喻。这也是为什么近两年中国会大力投资相关产业的原因。经过几年的沉淀，如今紫光旗下采用国产NAND颗粒的SSD已经正式批量出货，将在未来一段时间上市销售。我们也通过特殊渠道提前拿到了一张紫光存储生产的固态硬盘。它的表现究竟如何呢？我们一起来看。

我们拿到的这款SSD型号为紫光S100，标称容量为480GB。

外观配色上凸显了品牌的紫色主色调，金属材质外壳更利于热量散发。

背面是详细的参数细节，包括型号，SN码等信息，值得注意的是品名部分为繁体的“固态硬碟”，意味着这块SSD可能是面向对岸市场的产品。

接口部分为常见的SATA 6Gbps标准。

拆解

拆开外壳后我们就可以看到内部的PCB板信息了。

整个SSD采用了正反各两枚，共四枚NAND颗粒。

主控来自群联，型号为PS3111-S11-13，这是一枚相当常见的产品，广泛应用于在金士顿等品牌的产品上，群联官网显示其理论性能（480GB下）顺序读写550/510 MB/s，4K随机性能85K/80KIOPS。基本上也是目前SATA主控里比较主流的性能了。

我们再来看最关键的部分——NAND颗粒。

采用的四颗闪存颗粒的型号为UNN0TTEE1B1HEB1，根据紫光存储官网的介绍，紫光现有的NAND颗粒产品全系采用业界领先的3D TLC 闪存芯片。支持ONFI 4.0，最高读写支持667MT/s。单颗容量有32GB，64GB，128GB，256GB和512GB等选择。

另外根据相关资料显示，目前量产版本为32层堆叠的3D TLC颗粒。

型号列表

查阅规格表可以找到这颗128GB容量颗粒的详细信息。

在CrystalDiskInfo中可以看到，传输模式为SATA/600，支持S.M.A.R.T，NCQ，TRIM。通电时间0小时，基本全新。

实际容量为447.13GB，正常水平。

基准性能测试

性能测试，我们选择多款常用软件进行相关测试。

AS SSD Benchmark中，持续读写性能达到512MB/s和432MB/s。4K性能也比较理想。

更专业的Crystal Disk Mark中，持续读取性能达到了562MB/s,写入性能也达到了450MB/s。

ATTO中的成绩稍有降低。

在TxBENCH中，持续读写性能在533MB/s和456MB/s的水平上。

从基准测试来看，作为一款SATA协议的固态硬盘紫光S100的表现虽然不突出，但也完全没有明显的短板和劣势存在。已经达到了同类型主流产品的水平。

写入专项测试

以往很多SSD会出现写入掉速的情况，所以本次针对紫光SSD，我们使用HD Tune自带的文件基准测试，进行200GB的持续写入测试。

可以看到再全程200GB的写入测试中，速度非常平稳，没有出现显著掉速的情况。

总结

整体而言，作为紫光旗下首批也是首次搭载量产版国产颗粒的SSD产品，紫光S100的表现还是令人满意的。其性能达到主流水平，200GB写入没有出现掉速，已经可以认为与国际大厂的同类产品具有一战之力，这也是我们多年以来最希望看到的局面。

最后是大家关心的价格，由于该SSD为笔者在二手平台购得，且该产品暂未上市，所以实际发售价格暂不得而知。但从同类产品的售价来看，应该会比较有竞争力。

本文编辑：孙斌

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打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

近年来，中国在半导体领域的发展可谓是突飞猛进。随着国产智能手机的崛起，国产芯片也取得了出色的成绩，特别是在核心的处理器和通讯芯片上。但是，在存储芯片领域，中国的发展相对滞后，这块市场也一直被美日韩厂商所垄断。不过，随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及众多国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。近日，国产存储芯片领域再获突破，长江存储已成功研发32层3D NAND。

3D NAND成 国产厂商 弯道超车机会

从去年开始，三星、SK Hynix、东芝、Intel、美光等存储芯片大厂都在积极的由2D NAND全面转向3D NAND，目前这些厂商都已开始量产32层甚至64层的3D NAND。相比之下，中国的国产存储芯片过去还几乎是一片空白，市场长期被韩国、日本、美国厂商垄断。不过随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。

2016年3月28日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”在武汉正式启动。“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

2016年7月26日，“国家存储器基地”项目的核心载体——长江存储科技有限责任公司正式成立，法人代表为紫光集团董事长赵伟国。同时，武汉新芯成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。

12月30日，“国家存储器基地”项目正式开工。

2017年2月，长江存储与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

今年6月，长江存储的产房提前封顶。11月中旬，长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

根据长江存储的规划，预计在2018年下半年正式开始3D闪存生产，初期产能5000片晶圆/月，不过一旦解决良率问题，后续就会大规模量产，武汉基地的设计产能最终可以达到30万片晶圆/月，未来足以比肩SK Hynix、东芝这样的公司的产能。

据业内人士透露，长江存储已预订5000片产能的机台设备，预计2018年第二季度投入市场。

首款国产32层3D NAND存储芯片曝光：价值10亿美元

11月19日，央视财经频道《对话》栏目播出了与紫光集团董事长赵伟国的采访对话。节目中，赵伟国首次展示了首款国产32层3D NAND存储芯片。赵伟国表示，“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64G存储芯片，是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

值得注意的是，长江存储重点聚焦的是64层3D NAND芯片。如果一切进展顺利，长江存储2019年开始量产64层的3D NAND闪存，届时他们与三星等大厂的差距就可缩短在2年以内。

编辑：芯智讯-林子

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