三星计划明年初量产超过300层的第九代V-NAND闪存

IT之家 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 NAND 闪存供应商，对其 V-NAND（即三星称之为的 3D NAND）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3D NAND。

“第九代 V-NAND 基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中写道。

IT之家注意到，8 月份就有消息称，三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND，将继续采用三星在 2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 将具有 321 层，因此三星第九代 V-NAND 层数应该会更多。

层数的增加将使三星提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会提高性能。

“三星还在研究下一代创造价值的技术，包括一种新的结构，可以最大化 V-NAND 的输入 / 输出（I / O）速度。”李政培说。

目前还不知道三星的第九代 V-NAND 在性能方面会有什么表现，不过相信该公司会使用这种存储器来生产其即将推出的固态硬盘，可能会采用 PCIe Gen5 接口。

至于更长期的技术创新，三星致力于最小化单元干扰、降低高度和最大化垂直层数，这将使其能够实现业内最小的单元尺寸。这些创新将对推动三星实现拥有超过 1000 层的 3D NAND 以及高度差异化的存储器解决方案的愿景起到关键作用。

三星介绍QLC数据中心级固态硬盘BM1743，搭载第七代V-NAND

IT之家 6 月 18 日消息，三星半导体近日在技术博客介绍了搭载其目前最新 QLC 闪存（v7）的下一代数据中心级固态硬盘 BM1743。

▲ 三星 QLC 数据中心级固态硬盘 BM1743

根据 TrendForce 集邦咨询 4 月的说法，在 QLC 数据中心级固态硬盘领域，仅有深耕多年的三星和 SK 海力士旗下 Solidigm 在当时通过了企业客户验证。

相较上代 v5 QLC V-NAND（IT之家注：三星 v6 V-NAND 无 QLC 产品），三星 v7 QLC V-NAND 闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍，存储密度也大幅提升 。

同时 v7 QLC V-NAND 的顺序读写性能至少是此前的两倍，随机读取速度更达到了 4 倍 。

这意味着 BM1743 可提供远超过基于 v5 QLC V-NAND 的上代数据中心 QLC 固态硬盘 BM1733a 的容量和性能，满足数据中心对更优秀存储的需求。

BM1743 包含 U.2 和 E3.S 两种外形规格，其中 U.2 版本支持 PCIe 4.0，容量可达 61.44TB，拥有进一步扩展至 122.88TB 的潜力，而 E3.S 版本可支持 PCIe 5.0 。

作为对比，BM1733a 仅支持 PCIe 3.0，最大容量也仅有 15.36TB，即 61.44TB 的四分之一。

而在可靠性方面，BM1743 的写入耐久为 0.26DWPD，断电数据保持时间为 3 个月；BM1733a 的这两项数据分别为 0.18DWPD 和 1 个月。

BM1743 的 2.5 英寸 U.2 版本具体性能如下：

顺序读取顺序写入随机读取随机写入7200MB/s2000MB/s1600K IOPS110K IOPS

三星半导体表示，用户既可以直接在现有 PCIe 3.0 环境使用 BM1743，享受其更低的 TCO 成本；

也可充分利用 BM1743 支持 PCIe 4.0 带来的提升，降低读取任务响应时间，提升 AI 负载处理能力；

而 BM1743 E3.S 版本对 PCIe 5.0 的支持则将为数据中心带来更大的性能优势。

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