存储器NAND-浅谈

NAND Flash存储器是Flash存储器的一种，属于非易失性存储器，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。

根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。

NAND发展

按速度价格对比排序：SLC>MLC>TLC>QLC>PLC

按容量大小对比排序：PLC>QLC>TLC>MLC>SLC

目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工，企业级等应用，有着高速写入，低出错率，长耐久度特性。

除此，NAND Flash根据对应不同的空间结构来看，可分为2D结构和3D结构两大类：

NAND结构

下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况：

NAND品牌对比

Lin四少～存储器NAND浅谈[来看我]

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存储器市场NAND、DRAM此消彼长？

近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器（HBM）、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之相反，NAND市场需求持续萎缩。

这一背景下，已经有存储厂商将减产重点落在NAND领域。

SK海力士在最新财报中表示，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到，三星将延长减产行动，并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。

当然，眼下的艰难不意味着NAND未来没有发展前景。长远来看，随着AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品需求，包括SSD在内的NAND Flash仍将大有可为。因此，存储大厂同样在不遗余力布局NAND Flash堆叠技术，以图未来。

目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

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