全球首款72层3D NAND速度太猛：读写提升20%！

SK海力士今天正式宣布推出世界首款72层256Gb 3D NAND闪存，基于TLC阵列。这也是在2016年11月首颗48层3D NAND芯片宣布仅仅5个月之后，SK海力士再次取得的重大突破。

据介绍，相比于之前推出的48层3D NAND芯片，72层芯片将单元数量提升了1.5倍，生产效率增加了30%。

同时，由于加入了高速电路设计，72层芯片的内部运行速度达到了48芯片的2倍，读写性能大幅增加20%。

SK海力士表示，72层3D NAND芯片将于今年下半年大规模生产，满足高性能固态硬盘和智能手机设备的需求。

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美光推出手机专用3D NAND闪存，读写性能速度飙升

昨天我们报道了美光为自家的3D XPoint创立新品牌QuantX，该品牌主推企业级市场的SSD和NVDIMM产品。但美光同样没有忽视手机市场的重要性，也发布了专门适用于手机的3DNAND闪存。

美光宣称这种3D NAND闪存采用了最新的UFS 2.1传输标准，读写速度可以达到1.5GB/s、500MB/s，相比UFS 2.0标准效能提高2倍。单芯片容量为32GB，封装面积仅有60.217平方毫米，对比以往相同容量的闪存面积减少30%。采用了MCP多晶片封装技术，支持LPDDR4X。

现在的4k视频、VR、大型3D游戏都需要超高的存储容量，16GB的存储空间根本无法满足使用需求，也因此传闻iPhone7将会取消16GB而增加256GB版本。对于这种内部空间寸土寸金的手机来说，小面积的闪存芯片可以让出更多空间集成其他功能芯片或增加电池容量和存储容量，也可以令手机设计更加轻薄。

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