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nand flash数据损坏 U优盘数据损坏或者数据丢失修复方法

发布时间 : 2025-03-17

作者 : 小编

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U优盘数据损坏或者数据丢失修复方法

目前，U盘的使用已经非常普遍，人们经常用U盘来备份、携带、转移文件。但是，如果将U盘从USB口拔出之前，忘记了执行卸载操作，或者执行卸载操作不彻底，或者由于误操作，而直接将U盘从USB口拔了出来，就有可能会导致U盘损坏，有时甚至会导致计算机不能识别U盘。如果以前没有处理这种情况的经验，多半会认为U盘已经不能使用，该扔进垃圾箱了，但这样又觉得太可惜了。

有没有办法恢复U盘的功能呢？答案是肯定的，可以按照下面的步骤进行:

依次打开控制面板、管理工具、计算机管理、存储、磁盘管理，就会出现有如图的界面，在文字“磁盘1”上单击右键，选择“初始化磁盘”，直接单击“确定”。初始化完成后，U盘的状态变成为“联机”状态。注意此时U盘的锁要处于打开状态，否则会出现如下提示：“由于媒体受写保护，要求的操作无法完成。” 右边的白框上单击右键，选择“新建磁盘分区”，进入新建磁盘分区向导，直接单击下一步，选择分区类型（主磁盘分区、扩展磁盘分区或逻辑驱动器），一般选择主磁盘分区即可。（注：下面的对话框会顺序出现，所以就不在这里给出其屏幕拷贝了。）下一步-选择磁盘空间容量：一般使用默认大小。下一步-指派一个驱动器号（或不指派）。下一步-选择“按下面的设置格式化这个磁盘分区”设置格式化的形式（文件系统类型、分配单位大小、卷标）（不用选择快速格式化）。下一步-成功完成格式化向导。单击完成等待其格式化完成即可。格式化完成后，U盘状态显示为“状态良好”，即大功告成。这种修复方法一般都能将U盘恢复。但是这种修复方法也有一个弊端，就是不能恢复U盘上原有的数据（数据全部丢失！！！）。如果U盘上原有的数据不是很重要，这种方法比较使用。

附2：u盘常见故障 U盘~请将磁盘插入驱动器~相关问题故障原因：在往U盘内传输数据时，更改盘符所致。故障现象：Windows XP SP2操作系统，U盘为清华紫光OEM 1、在插入U盘后，”我的电脑”里显示”可移动磁盘(H:)”,但”双击”显示”请将磁盘插入驱动器(H:)”

2、查看”可移动磁盘(H:)”属性,”已用空间”和”可用空间”均为0字节

3、直接用右键”格式化”,提示”驱动器H中没有磁盘请插入一张磁盘,然后再试一次”

4、在”计算机管理”的”磁盘管理”中,上面看不到盘符”H:”,下面可以看到”磁盘1 可移动无媒体”

5、重新安装驱动,提示”向导无法为您的硬件找到比您现在已安装的软件更匹配的软件”

6、用ManageX工具修复，相应的”格式化”等功能选项均为灰色不可用；用Iformat工具格式化，系统识别不到可用的USB设备附3：U盘出现”请将磁盘插入驱动器”的处理方法朋友新送的U盘坏了:原因未明。

随后来朋友也把U盘送过来了.第一时间先接上主机看看,经由系统正确识别后我的电脑出现”可移动磁盘”,但双击U盘盘符后居然出现”请将磁盘插入驱动器I”提示,查看U盘属性容量全部为0(如图:故障现象).那就试试格式化吧,在系统下试了一下,还是提示”驱动器I中没有磁盘.请插入一张磁盘,然后重试一次”:(.无办法之下在网上下载几种U盘格式化工具,哎~还是老样子:(.难道是接口问题:q:但朋友在几台机上都试过,还是抱着侥幸的心理试试吧,换到机上前前后后的USB接口,但故障还未解决.心想新的U盘坏了:q:(不会这么”流”吧:w:).后来找一到个自称为U盘清空工具”EraseTools2.1″,心想和硬盘的清零工具应该是同一原理吧,曙光总算出现.软件的使用方法相当简单(如图:清零工具),只要接上U盘后安装软件(如果不接上U盘是装不到),运行软件再单击”Start”,单击YES键,程序即可将U盘自动恢复初始化状态.结果一试之下,哈哈~U盘复活了(如图:故障解除).事情也得到解决……

附4：U盘请将磁盘插入驱动器解决方法同事拿来一个U盘，插入USB插口后，U盘指示灯会亮，并且在我的电脑中也显示了盘符号，不过双击它时，出现提示：请将磁盘插入驱动器。对此盘进行格式化时也出现同样的提示。一愁莫展。努力寻求解决办法，解决方法如下：

1、右键单击我的电脑，管理——存储——磁盘管理器，在右面的界面上可以看到代表该闪存的标志，点击它，选择“新建一个分区”，按提示完成格式化等操作，问题可望解决。

2、下载“星梭低级格式化工具”，对闪存进行低级格式化。 U盘修复工具（PortFree Production Program 3.27）使用方法：

（1）请点击软件右下角的 ” OPTION ” ,将出现如下窗口。

（2）请选择 ” Others ” ，选择 ” Type ” — > ” Removable “

（3）请选择 ” Capacity Adjust ” ,在这里选择你的 U 盘的容量；如果在这里没有你所要的容量，请单击 ” ADD ” ，填写你所需的容量。

（4）请选择 ” Flash Test “,选择 ” Low Level Format “；这里有两个参数，一个是All Blocks （它的意思是低格式化整个盘），另一个是Good Blocks （它的意思是只低格式化好的区块，这个参数适合于含有坏区的U盘）

（5）都按照以上方法选择好之后，请单击 ” OK “，保存设置，然后将U盘接到电脑上，单击 ” RUN “，开始低格式化。上两种办法，似乎都很好用，但是应用到这个U盘上时都不好使用了。

1、右侧界面上半部看不到代表闪存的标志，下半部有但是无法点击，白费；

2、按了“RUN”以后，我的电脑里U盘盘符不见了，U盘的灯也不闪了，低级格式化无法完成。

附5：U盘(优盘)数据修复的维修经验很多人碰到过要求进行数据恢复的客户，但自己没有一个明确的方法，下面就以事例对U盘数据恢复的具体几种方法进行讲解：案例一：有一客户要求对U盘进行数据恢复容量256M，，客户拿来时U盘接入电脑没有任何反映！步询问了U盘内数据量在80M左右，告知客户每M数据恢复100元，因为内部有工程所用的CAD图纸非常重要所以客户很爽快的答应了，工程师按照以下思路进行了解决：

1、拆开U盘因是封装一体的，客户要求只要数据，所以外壳不必考虑，拆开后反现主控使用I5062方案具体如下：

（1）供电：检查VCC主供电电压正常（VCC=3V供电是U盘是否工作的关键电压）

（2）时钟：通过测量时钟晶振两脚有0.8V左右的电压，初步判断时钟电路正常，采用代换法换掉晶振故障依旧（时钟信号是主控工作的必然条件）

（3）通信：通过对以上两点的测量，初步判断供电和时钟都正常，主要检查通信线路是否正常，检查D+和D-到主控的线路也正常！

（4）通过以上几点的测量，可以初步判断主控的工作条件全部具备，剩下的就是主控问题了。相信大家都会更换主控而达到数据恢复的目的，但是我们以多年的经验告诉您，错了，因为U盘主控芯片内部有控制程序，当更换一块新的主控时是不会对FLASH进行识别控制的，必须要经过量产工具初始化才可以，但这样又会对FLASH进行低格破坏内部存储的数据！

根据我们多年的经验，主控损坏多数是因为内部DC-DC转换器漏电，使其对主控内部供电电压低引起不工作的情况，解决方法如下：

把U盘的3V稳压管拆下来，在其3V输出端接一外接可调电源调整为3V电压，以每次0.1V的方式进行调高电压，当U盘可以正常识别的时候停止加电压，这样就可把U盘的数据进行读取出来了。原理就是因为主控内部DC-DC转换器漏电，使正常的VCC=3V电压不能满足主控工作，这时可以人为的调整其供电电压来补偿漏电损失！当我把电压调到3.4V时电脑可以正常识别，迅速把U盘内的数据进行复制保存，800元到手了，

简单吧，呵呵，技术是第一生产力一点没错！

案例二：一客户拿来U盘，内部财务报表，因到过多家维修部都没有人敢接此活，所以客户直接开价1000元，要求对数据进行整体恢复，U盘现象为可以认盘，但打开时提示“请格式化U盘”！对于此问题相信大家都感觉很棘手，因为可以完全判断U盘硬件方面没有问题，大多都是软件问题，但又不能对U盘格式化，怎么办呢？

具体解决方法：我们的工程师首先把U盘的FLASH拆下来保护数据，重新装入一个相同型号的FLASH，接入电脑后仍然提示需要格式化，因新换FLASH内没有数据，格式化后可以正常存取数据，但换上有数据的FLASH还会提示需要格式化，所以我们的方法是，不装FLASH把U盘接入电脑，系统提示格式化，对U盘本身格式化后在属性中看到容量为16KB，装入有数据的FLASH，接入电脑，系统以不提示格式化，顺利读出内部数据！修复完成，

修复完成以上两点就是工程师多年的经验，希望对大家有所帮助，对于想学习维修u盘的会员，完全可以参照前段时间所写的“终级u盘维修思路与方法”给予解决，成功率可以达到100%！实践证明u盘的主控和flash的损坏率真的很低！

就如下几个问题做以解答：

1、u盘(优盘)供电都是3v吗？这个根据主控的型号有所区分，有的为2v、3v、3.3v，这个要大家在实际中进行判断，也可以使用上边所提到的用外接可调电源进行调节实验，初始电压可以用1v然后再以0.1v进行调高！

2、用编程器是否可以达到数据恢复的目的？答案很明确完全可以，但一是编程器费用较高一般维修店面承受不起，二因编程器直接读取flash的数据信号，也就是0和1，要恢复原数据必须进行数据转换，而且不同的文件其转换方式也不相同，如word文档和rar文件的数据编码也是不同的，所以用我所告知的方法比编程器要方便和经济的多！

NAND Flash浮栅晶体管的结构、工作原理及其局限性

作为最为常见的存储芯片，NAND Flash已经被广泛采用，特别是在消费类电子产品当中，因此，在其存储密度不断提升的同时，成本也越来越敏感。由于Flash闪存的成本取决于其芯片面积，如果可以在同一区域存储更多数据，Flash将更具成本效益。NAND闪存主要有三种类型：Single Level Cell（SLC），Multi Level Cell（MLC）和Triple Level Cell（TLC）。顾名思义，TLC Flash在与MLC相同的区域中存储的数据更多，同理，MLC存储的数据多于SLC。另一种类型的NAND闪存称为3D NAND或V-NAND（垂直NAND），其通过在同一晶片上垂直堆叠多层存储器单元，这种类型的闪存实现了更大的密度。 浮栅晶体管 闪存将信息存储在由浮栅晶体管组成的存储单元中。为了更好地理解不同类型的NAND闪存，让我们来看看浮栅晶体管的结构、工作原理及其局限性。浮栅晶体管或浮栅MOSFET（FGMOS）非常类似于常规MOSFET，区别在于它在栅极和沟道之间具有额外的电绝缘浮栅。由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的电子也会被捕获。这就是闪存非易失性的原理所在。与具有固定阈值电压的常规MOSFET不同，FGMOS的阈值电压取决于存储在浮栅中的电荷量，电荷越多，阈值电压越高。与常规MOSFET类似，当施加到控制栅极的电压高于阈值电压时，FGMOS开始导通。因此，通过测量其阈值电压并将其与固定电压电平进行比较来识别存储在FGMOS中的信息，被称为闪存中的读操作。可以使用两种方法将电子放置在浮动栅极中：Fowler-Nordheim隧穿或热载流子注入。对于Fowler-Nordheim隧穿，在带负电的源极和带正电的控制栅极之间施加强电场。这使得来自源极的电子隧穿穿过薄氧化层并到达浮栅。隧穿所需的电压取决于隧道氧化层的厚度。利用热载流子注入，高电流通过沟道，为电子提供足够的能量以穿过氧化物层并到达浮动栅极。通过在控制栅极上施加强负电压并在源极和漏极端子上施加强正电压，使用福勒 - 诺德海姆隧道效应可以从浮栅移除电子。这将导致被捕获的电子通过薄氧化层回到隧道。在闪存中，将电子放置在浮动栅极中被认为是编程/写入操作，去除电子被认为是擦除操作。隧道工艺有一个主要缺点：它会逐渐损坏氧化层。这被称为闪存中的磨损。每次对单元进行编程或擦除时，一些电子都会卡在氧化层中，从而磨损氧化层。一旦氧化层达到不再能够在编程和擦除状态之间进行可靠性区分的点，则该单元被认为是坏的。由于读取操作不需要隧穿，因此它们不会将单元磨掉。这就是为什么闪存的寿命表示为它可以支持的编程/擦除（P / E）周期的数量。SLC闪存 在SLC闪存中，每个存储单元仅存储一位信息：逻辑0或逻辑1.单元的阈值电压与单个电压电平进行比较，如果电压高于电平，则该位被视为逻辑0。反之则为逻辑1。由于只有两个级别，因此两个级别之间的电压裕度可能非常高。这使得读取单元格更容易，更快捷。原始误码率（RBER）也很低，因为由于较大的电压余量，在读取操作期间泄漏或干扰的影响较小。低RBER还减少了给定数据块所需的ECC位数。大电压裕量的另一个优点是磨损的影响相对较小，因为微小的电荷泄漏具有相对较低的影响。每个逻辑电平的更宽分布有助于以更低的电压对单元进行编程或擦除，这进一步增加了单元的耐久性，进而增加了寿命，即P / E循环的数量。同时也有一个缺点，就是与在相同芯片区域中存储更多数据的其他类型的Flash相比，每个单元的成本更高。SLC闪存通常用于对成本不敏感且需要高可靠性和耐用性的场合，例如需要大量P / E循环次数的工业和企业应用。MLC闪存 在MLC闪存中，每个存储器单元存储两位信息，即00,01,10和11，在这种情况下，阈值电压与三个电平进行比较（总共4个电压带）。通过更多级别进行比较，读取操作需要更加精确，与SLC Flash相比，读取速度更慢。由于较低的电压余量，原始误码率（RBER）也相对较高，并且给定数据块需要更多的ECC比特。现在磨损的影响更为显着，因为与SLC闪存相比，任何电荷泄漏都会产生更大的相对影响，从而减少寿命（P / E循环次数）。由于需要仔细编程以将电荷存储在每个逻辑电平所需的紧密窗口内，因此编程操作也要慢得多。其主要优点是每比特成本更低，比SLC闪存低2~4倍。MLC闪存通常用于成本更敏感的应用，例如消费电子或游戏系统，其性能、可靠性和耐用性不是那么关键，并且所需的P / E循环次数相对较低。企业级多单元（eMLC）闪存 MLC闪存的低可靠性和耐用性使它们不适合企业应用，而低成本是一个驱动因素。为了带来更低成本的优势，闪存制造商创建了一种优化级别的MLC闪存，具有更高的可靠性和耐用性，称为eMLC。eMLC中的数据密度通常会降低，从而提供更好的电压余量以提高可靠性。较慢的擦除和编程循环通常用于减少磨损的影响并提高耐用性。还有许多其他技术可以提高eMLC的可靠性和耐用性，这些技术因制造商而异。TLC闪存 在TLC Flash中，每个存储器单元存储3位信息。现在将阈值电压与7个电平（总共8个电压带）进行比较。与SLC Flash相比，TLC的读取操作需要高度精确且速度慢。原始误码率也很高，增加了对给定数据块的更多ECC位的需求。磨损的影响也被放大，大大减少了寿命（P / E循环次数）。编程操作也较慢，因为电压需要精确以将电荷存储在每个逻辑电平所需的窗口内。 TLC的优势在于每比特的最低成本，与SLC或MLC闪存相比要低得多。TLC闪存用于高成本敏感型应用，对P / E循环的需求较少，例如消费类应用。SLC，MLC，eMLC和TLC的比较 表1给出了假设类似光刻工艺的不同类型闪存的主要参数的比较。这些值仅表示比较性能，并且就特定存储器产品而言可能不准确。

表1：每种不同类型Flash的主要参数的比较。 * ECC位数取决于制程节点; 较小的制程节点需要更多的ECC位。 3D NAND Flash 上面讨论的所有不同的闪存都是二维的，意味着存储单元仅布置在芯片的XY平面中。使用2D闪存技术，在同一晶圆中实现更高密度的唯一方法是缩小制程工艺节点。其缺点是，对于较小的节点，NAND闪存中的错误更为频繁。另外，可以使用的最小制程工艺节点存在限制。为了提高存储密度，制造商开发了3D NAND或V-NAND（垂直NAND）技术，该技术将Z平面中的存储单元堆叠在同一晶圆上。以这种方式构建有助于为相同的芯片区域实现高位密度。在3D NAND闪存中，存储器单元作为垂直串连接而不是2D NAND中的水平串。第一批3D Flash产品有24层。随着该技术的进步，已经制造出32,48,64甚至96层3D闪存。3D闪存的优势在于同一区域中的存储单元数量明显更多。这也使制造商能够使用更大的制程工艺节点来制造更可靠的闪存。 3D Flash的另一个主要技术转变是使用电荷阱Flash而不是浮栅晶体管。除了用氮化硅膜代替浮栅之外，电荷阱在结构上类似于FGMOS。注意，由于大规模制造的困难，电荷阱在市场上没有被广泛使用。由于难以制造浮栅晶体管的垂直串以及电荷阱的其他固有优点，已经采用电荷阱技术用于3D闪存。与FGMOS相比，基于电荷阱的存储器有许多优点。可以在较低电压下编程和擦除基于电荷阱的存储器，从而提高耐用性。由于捕获层（氮化物）是绝缘层，电荷不会泄漏，从而提高了可靠性。由于电荷不会从电荷阱的一侧流到另一侧，因此可以在同一阱层存储多于一位的电荷。赛普拉斯（前Spansion）在NOR闪存中有效地利用了这种功能，称为MirrorBit技术，将两位数据存储在一个类似于MLC闪存的单个存储单元中。未来的趋势 所有主要的闪存制造商都积极致力于开发不同的方法，以降低每比特闪存的成本，同时正在积极研究增加3D NAND Flash中垂直层的数量。虽然15nm似乎是目前NAND闪存中最小的成功节点，但Flash的光刻节点的缩小仍在继续。将MLC和TLC技术与3D NAND闪存相结合的方法也正在积极探索当中，许多制造商已经看到了成功的曙光。随着新技术的出现，我们可能很快就会看到存储单元可以存储一个字节的数据和垂直层，达到256层，甚至更高

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