快讯
HOME
快讯
正文内容
并口nand flash接线 SPI-Flash是什么?使用注意事项及常见问题
发布时间 : 2025-04-26
作者 : 小编
访问数量 : 23
扫码分享至微信

SPI-Flash是什么?使用注意事项及常见问题

一.概念:

SPI:serial peripheral interface

串行接口设备,spi flash 就是通过串行的接口进行操作的flash存储设备

flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash。这里spi flash 属于 nor flash!

spi flash 读写较慢,次数有限制,一般用于不经常更改的存储。

早期Norflash的接口是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能硬件上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的PCB板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)Norflash所取代。同时不同容量的SPI Norflash管脚也兼容封装也更小。,至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

二、SPI FLASH读写介绍

对flash芯片的操作,一般包括对flash芯片的擦除,编程和读取,各大厂商的SPI flash芯片都大同小异,操作命令基本是没什么变化的,当我们拿到一款芯片,要特别注意芯片的容量,操作分区等。

其实,无论是对芯片的擦除,编程还是读取操作,我们大致可以按照以下的套路来:写命令---写地址---写(读)数据。正如以下的时序图一样清晰明了,我们先把片选信号拉低,再依次写指令,地址和数据,就可以对FLASH芯片进行操作。

掌握以上方法,就可以轻松操作SPI flash芯片了,当然,对时序这种底层的操作,还需要不断学习和积累,不论是用FPGA还是MCU,最终都是为了产生时序信号,只要静下来认真理解了它,一切问题就迎刃而解了。

三.注意事项

1.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的擦除方式:扇区擦除(4KBytes),半块擦除(32KBytes),块擦除(64KBytes),片擦除。

2.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的编程方式(也就是写数据):页编程(256Bytes),扇区编程(4KBytes)。

3.SPI FLASH如果擦除过,在往里面写0xFF这样的数据意义不大,因为它的特性就是擦除后数据就是0xFF。

4.写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。

5.传统的EEPROM的特点就是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或1。而写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。但是传统的EEPROM容量因成本的缘故收到限制,绝少有超过有512K的。

6.Nor Flash容量相对小,成本高,基本没坏块,数据线和地址线分开,可以实现随机寻址,读取任何一个字节,擦除任然要按块来擦。NAND FLASH容量大,成本低,坏块经常出现,但可以标记坏块,使软件跳过,数据线和地址线复用,按块擦除按页读取。

四、项目实操中的问题

项目中需要用到SPI flash,在使用这个4MB 的SPI flash中出了三个问题让印象深刻,特记录下来以作提醒

问题1:我们知道SPI flash也分主从模式,一般master都是有MCU等器件担当的,而slave有SPI器件担任,笔者的这个小系统同样如此。

并且MCU是自带有SPI controler,接线方式依然是四线解法,SCK,CS,DO,DI,在看手册的过程因为自己的不注意,看到描述是“user can

decide the SPICS configuration in the master mode,if P_IO_Ctrl[10] set 1, the IOA[12] as GPIO function, if P_IO_Ctrl[10] set 0, the IOA[12] as SPICS hardware function” 我当时没有好好体会这句话的意思,简单的认为我在使用SPI flash之前就k肯定需要把P_IO_Ctrl[10]设置为 0, 其实这是错误的认识。

因为现在是通过MCU对slave SPI器件操作,首先肯定是需要MCU端来选中SPI器件,从master角度来讲,只需要一个GPIO信号线接到slave的CS端,同时输出低电平就相当了选中了这个slave了,之所以如此说法是因为这是从slave角度来说的,相当于MCU现在也作为一个slave,另一个MCU控制这个slave,则这时候SPI 初始化时就需要把 P_IO_Ctrl[10] set 0

问题2:需要一个烧录器向SPI flash中烧写内容,用的是西立特公司的superPro,但烧录步骤错误了,忘记了在编程之前必须要erase,

了解了一下,好像是和nor flash一样的介质,擦除会把所有bit置1,在编程的时候根据需要只可以把相应位置0.

问题3:在使用MCU上一个SPI 控制器接口接SPI flash时,没有交叉连接,即MCU 的DI应该接SPI 的DO,MCU 的DO应该接SPI 的DI。

SPI-Flash是什么?使用注意事项及常见问题

一.概念:

SPI:serial peripheral interface

串行接口设备,spi flash 就是通过串行的接口进行操作的flash存储设备

flash按照内部存储结构不同,分为两种:nor flash和nand flash。这里spi flash 属于 nor flash!

spi flash 读写较慢,次数有限制,一般用于不经常更改的存储。

早期Norflash的接口是parallel的形式,即把数据线和地址线并排与IC的管脚连接。但是后来发现不同容量的Norflash不能硬件上兼容(数据线和地址线的数量不一样),并且封装比较大,占用了较大的PCB板位置,所以后来逐渐被SPI(串行接口)Norflash所取代。同时不同容量的SPI Norflash管脚也兼容封装也更小。,至于现在很多人说起NOR flash直接都以SPI flash来代称。

二、SPI FLASH读写介绍

对flash芯片的操作,一般包括对flash芯片的擦除,编程和读取,各大厂商的SPI flash芯片都大同小异,操作命令基本是没什么变化的,当我们拿到一款芯片,要特别注意芯片的容量,操作分区等。

其实,无论是对芯片的擦除,编程还是读取操作,我们大致可以按照以下的套路来:写命令---写地址---写(读)数据。正如以下的时序图一样清晰明了,我们先把片选信号拉低,再依次写指令,地址和数据,就可以对FLASH芯片进行操作。

掌握以上方法,就可以轻松操作SPI flash芯片了,当然,对时序这种底层的操作,还需要不断学习和积累,不论是用FPGA还是MCU,最终都是为了产生时序信号,只要静下来认真理解了它,一切问题就迎刃而解了。

三.注意事项

1.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的擦除方式:扇区擦除(4KBytes),半块擦除(32KBytes),块擦除(64KBytes),片擦除。

2.不同的SPI FLASH芯片可能会提供的编程方式(也就是写数据):页编程(256Bytes),扇区编程(4KBytes)。

3.SPI FLASH如果擦除过,在往里面写0xFF这样的数据意义不大,因为它的特性就是擦除后数据就是0xFF。

4.写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。

5.传统的EEPROM的特点就是可以随机访问和修改任何一个字节,可以往每个bit中写入0或1。而写入flash时,只能把数据(bit)从1该为0。但是传统的EEPROM容量因成本的缘故收到限制,绝少有超过有512K的。

6.Nor Flash容量相对小,成本高,基本没坏块,数据线和地址线分开,可以实现随机寻址,读取任何一个字节,擦除任然要按块来擦。NAND FLASH容量大,成本低,坏块经常出现,但可以标记坏块,使软件跳过,数据线和地址线复用,按块擦除按页读取。

四、项目实操中的问题

项目中需要用到SPI flash,在使用这个4MB 的SPI flash中出了三个问题让印象深刻,特记录下来以作提醒

问题1:我们知道SPI flash也分主从模式,一般master都是有MCU等器件担当的,而slave有SPI器件担任,笔者的这个小系统同样如此。

并且MCU是自带有SPI controler,接线方式依然是四线解法,SCK,CS,DO,DI,在看手册的过程因为自己的不注意,看到描述是“user can

decide the SPICS configuration in the master mode,if P_IO_Ctrl[10] set 1, the IOA[12] as GPIO function, if P_IO_Ctrl[10] set 0, the IOA[12] as SPICS hardware function” 我当时没有好好体会这句话的意思,简单的认为我在使用SPI flash之前就k肯定需要把P_IO_Ctrl[10]设置为 0, 其实这是错误的认识。

因为现在是通过MCU对slave SPI器件操作,首先肯定是需要MCU端来选中SPI器件,从master角度来讲,只需要一个GPIO信号线接到slave的CS端,同时输出低电平就相当了选中了这个slave了,之所以如此说法是因为这是从slave角度来说的,相当于MCU现在也作为一个slave,另一个MCU控制这个slave,则这时候SPI 初始化时就需要把 P_IO_Ctrl[10] set 0

问题2:需要一个烧录器向SPI flash中烧写内容,用的是西立特公司的superPro,但烧录步骤错误了,忘记了在编程之前必须要erase,

了解了一下,好像是和nor flash一样的介质,擦除会把所有bit置1,在编程的时候根据需要只可以把相应位置0.

问题3:在使用MCU上一个SPI 控制器接口接SPI flash时,没有交叉连接,即MCU 的DI应该接SPI 的DO,MCU 的DO应该接SPI 的DI。

(21ic整理自网络,编辑:王丽英)

相关问答

nand flash 有什么区别?

1.性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多...●N...

spi flash nand flash 的区别?

SPIFlash和NANDFlash是两种常见的闪存存储器类型,它们在结构和工作原理上存在一些区别。1.结构:SPIFlash采用串行接口(SerialPeripheralInterfa...

西部数据布局 NAND Flash 市场,如何快速从传统的HDD向SSD扩展?

首先是收购一堆闪存公司,sandisk、stec、fusion-io,等等,这些公司的产品几乎覆盖了从介质到各种形态硬盘的所有产品,而且都是非常权威的厂商。只是fusion-io...

nand 版本和emmc版本区别?

1.nand版本和emmc版本有一些区别。2.nand版本是一种闪存技术,它使用了非易失性存储器来存储数据。它的读取速度相对较快,但写入速度较慢。而emmc版本则是一...

NANDflash 和NORflash的区别?

1、存储架构不同NORFlash架构提供足够的地址线来映射整个存储器范围。这提供了随机访问和短读取时间的优势,这使其成为代码执行的理想选择。另一个优点是100%...

NAND Flash 和Nor Flash 到底有什么区别?

NANDFlash和NorFlash是两种不同类型的闪存存储器。区别如下:1.读取速度不同NorFlash在小容量数据存储、读取速度和随机访问方面表现优异,读取速度比NAN...

nand flash 是什么颗粒?

TLC是闪存一种类型,全称为Triple-LevelCellTLC芯片技术是MLC和TLC技术的延伸,最早期NANDFlash技术架构是SLC(Single-LevelCell),原理是在1个...

nandflash 芯片是缓存还是闪存?

是闪存FLASH是一种存储芯片,全名叫FlashEEPROMMemory,通地过程序可以修改数据,即平时所说的“闪存”。Flash又分为NANDflash和NORflash二种。U盘和MP3...

nandflash 和norflash的区别正确的是a,nor的读速度比 nand ...

[最佳回答]U盘的是NAND.因为nandflash存储比较大,写入速度和清除速度都比nor快,所以经常用在U盘和智能手机中充当硬盘的角色(eMMC),内存就是DRAM了。norf...

nor flash nand flash 的区别?

你好,NORFlash和NANDFlash都是非易失性存储器芯片,但它们有以下几点区别:1.结构不同:NORFlash的存储单元结构类似于传统的ROM,存储单元之间是通过并联...

 梁伯琪  甲醇汽车改装 
王经理: 180-0000-0000(微信同号)
10086@qq.com
北京海淀区西三旗街道国际大厦08A座
©2025  上海羊羽卓进出口贸易有限公司  版权所有.All Rights Reserved.  |  程序由Z-BlogPHP强力驱动
网站首页
电话咨询
微信号

QQ

在线咨询真诚为您提供专业解答服务

热线

188-0000-0000
专属服务热线

微信

二维码扫一扫微信交流
顶部