行情
HOME
行情
正文内容
nand电子盘 性能全面升级 三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测
发布时间 : 2025-03-18
作者 : 小编
访问数量 : 23
扫码分享至微信

性能全面升级 三星V-NAND 870 EVO固态硬盘评测

三星存储近期发布了全新的870 EVO固态硬盘,这款硬盘是上代860 EVO的迭代产品,在性能方面进行了全面升级,同时采用了最新的MKX主控和第六代V-NAND技术,不论是品质还是可靠性都非常出色,而对于消费者来讲,一款大容量兼顾高性能的固态硬盘对于我们日常工作效率有着质的提升。

设计外观:竖版结构 经典延续

外观方面,三星 870 EVO依旧延续了经典的设计风格,包装简洁大气,上面是整个产品的渲染图,同时关键性的信息也一目了然。

除了型号之外,这款SSD的性能可以达到惊人的560MB/S和530MB/S,这是目前SATA3接口理论带宽的最高值,性能领先目前市面上绝大部分的SATA3接口固态硬盘。

三星870 EVO正面是三星的品牌标识,并且还有经典的方块图案,同时黑色的外观也延续了EVO系列的一贯风格,代表着更高的性能和更加优秀的品质表现,辨识度极高,让用户一眼就能认出产品。

接口方面,三星870 EVO采用了标准的SATA接口设计,兼容多种设备,不论是老机升级还是为自己的笔记本电脑扩容,均非常的简单;在安装方面,标准的2.5英寸身材不论是台式机还是笔记本电脑,均能够轻松兼容,同时7mm的厚度,非常地轻薄。

MKX控制器+第六代1XX层 V-NAND+智能缓存

在控制器和NAND颗粒方面,全新的870 EVO采用了最新的MKX控制器,相对于上代控制器全面升级,搭配大容量的独立缓存,能够提供极佳的性能表现,长时间的高负荷运载过程中,三星870 EVO依旧能够表现出色。TurboWrite通过使用SSD中预先分配的SLC写入缓冲区,显著加快了写入速度,可在数据传输过程中长期保持高性能,在NAND方面,870 EVO使用了三星最新的第六代V-NAND技术,并且经过三星专业的电路设计,相对于第五代V-NAND颗粒,读写性能均有提升,达到560MB/S和530MB/S的连续读取性能表现,同时在持续的随机写入性能提升提升高达30%,综合性能全面升级,并且大幅领先市面上的其他竞品。

另外在可靠性方面,三星870 EVO从内到外,均为三星自主研发设计,为了确保每个元器件的正常运行,搭配1XX层V-NAND颗粒,总写入字节数最高可达2400TB,同时搭配5年有效质保,用户基本不用担心整块硬盘的寿命问题,可以安心使用。

现代待机模式+魔术师软件,优化用户体验便于应用

在Windows 10系统中,三星870 EVO固态硬盘采用了Modern Standby模式,大幅提升我们的使用体验。在电脑待机的时候,整块硬盘的功耗低于5mW,有效节省能源,并且在我们操作电脑的时候,硬盘能够从休眠的状态下,直接进入工作状态,拥有极速的响应,让我们的系统瞬间从休眠状态转换到活跃状态,这项功能非常适合笔记本电脑在电池供电的时候使用,易用性大幅领先同类产品,大幅优化用户的使用体验。

在易用性方面,三星还提供了专业的“三星固态硬盘魔术师”软件,可以实现一键数据迁移,在迁移完成之后,我们所有的文件都将自动备份,并且我们开机之后的桌面图标和文件都将完美复制,让我们零压力更换系统盘,这也是目前市面上唯一一家官方的数据迁移软件,并且这款软件完全免费,非常地贴心,也能够充分彰显三星对于客户痛点问题地精准把握和解决,体现了三星深厚的技术实力和对用户完全负责的态度。

性能测试:读写超560MB/S和530MB/S 性能表现傲视行业

接下来我们对这款硬盘进行性能测试,让大家更好的了解这款硬盘在实际应用时的表现,为大家的选购提供一个客观的数据支持。

本次我们拿到的三星870 EVO容量版本为2TB,通过CrystalDiskInfo软件中我们可以看到,这款硬盘的基本参数,三星870 EVO的实际容量为1.81TB,待机温度为31℃。

CrystalDiskMark是一款测试硬盘综合性能的常用软件,在这个项目的测试中,我们可以看到,三星870 EVO的顺序读取性能为561.7MB/S,顺序写入性能为531.7MB/S,性能表现超过官方宣称的560MB/S和530MB/S,性能表现出色,这样的成绩表现领先目前市面绝大部分的SATA3接口的固态硬盘,基本已经达到SATA 6GB/S带宽的极限,是目前市面上性能表现最出色的SATA接口固态硬盘之一。

在AS SSD Benchmark项目中,我们可以看到,这款硬盘的4K随机写入成绩为84698iops,顺序读取成绩为96567iops,这样的性能表现非常出色,对于我们日常应用来讲,能够获得更快的开机速度及应用打开速度,实际体验更加优秀。

ATTO Disk Benchmark项目中,三星870 EVO的顺序读取性能为562MB/S,顺序写入性能为533MB/S,成绩同样表现出色,也超过了官方宣称的性能,综合表现优秀。

在TxBENCH项目中我们同样可以看到,三星870 EVO的顺序读取性能为563MB/S,顺序写入性能为532MB/S,表现同样是非常出色,意味着其能够满足绝大部分用户的日常使用需求,同时硬盘在测试过程中,完全没有掉盘、掉速和卡顿的情况发生。

最后,我们使用PCMARK 8进行存储测试,这款软件可以模拟硬盘在运行魔兽争霸、战地、Adobe等软件时候的性能表现,最终给出一个综合的分数表现。最后,三星870 EVO的最终得分为5012,运行期间硬盘的平均速度为323.93MB/S,性能表现能够轻松应对目前市面上绝大部分的游戏和软件,成绩优异。

写在最后:三星870 EVO固态硬盘使用了全新的三星自研的MKX控制器和第六代V-NAND颗粒,性能表现相对于上代产品,顺序读写性能分别超560/530 MB/S, 在SATA3接口固态硬盘中处于绝地领先地位;同时这款硬盘提供5年有效质保,让用户完全不必担心售后的问题。综合来看,三星870 EVO是目前市面上可以买到的品质出众、性能领先、容量最大的SATA3接口固态硬盘,不论是笔记本扩容还是老PC升级存储,三星870 EVO都是不二的选择。

目前三星870 EVO固态硬盘已经在苏宁等电商平台开启售卖,2TB版本促销价2099元,并可选全保修3年及整机保4年的增值服务,优惠力度相当惊人,心动的你可千万不要错过哦。

百家争鸣谁为先 7款主流3D NAND固态硬盘横向评测

2017年可以称为3D NAND 固态硬盘的元年,英特尔、东芝、西部数据、闪迪等众多厂商纷纷推出全新64层3D NAND固态硬盘,这些硬盘均采用3D NAND设计,官方宣称3D NAND固态硬盘除了提供超越常规的高稳定、低功耗、高耐用性等优越性外,它们还将容量标准再次拔高,并且降低了成本。

那么这个3D NAND到底是啥?

来看看上面这张图,固态硬盘的NAND闪存最开始是平面铺展,随着2D平面闪存工艺进步,到达15nm的水平后,平面结构的NAND闪存已接近其实际扩展极限。到达极限后就出现问题了。

问题一:每个闪存储存单元所储存的电子越来越少,能抗磨损(每次写入、擦除,需要高电压,材料对对电子控制能力随之变弱)的冗余电子减少,严重影响闪存耐久度。

问题二:单元之间干扰也随工艺进步增强,电容耦合干扰已经达到25%(还是各种设计改进优化后的结果)。

既然平面已经达到极限,研究人员就开始尝试3D架构设计。于是乎,32层NAND闪存出现了,紧接着,48层,64层,最后连96层也都被逐一开发出来了。不过目前商用的只有64层设计。

接下来我们选择市场上容量在240GB~256GB之间销量较多的7款3D NAND 固态硬盘进行横向评测,如何在鱼龙混杂的市场慧眼如炬,识别真货,ITheat热点科技带给大家最全面的产品解读!

以上测试硬盘均从京东自营或者天猫官方旗舰店购买,价格明细表如下:

这7款3D NAND固态硬盘分别是英特尔545S、三星850EVO、东芝TR200、西部数据Blue 3D版、英睿达BX300、闪迪至尊高速3D版、英睿达MX300,也是大家最常用的型号。

7款SSD价格分别从400~700元不等,价格最低的是东芝TR200为469元,简直创造SSD近来价格的新低了!最贵的是英睿达BX300系列为658元,竟然比东芝TR200贵了40%。

接下来我们拆解看看他们的主控型号以及闪存颗粒型号:

从图中可以看出用的最多的主控还是Silicon Motion(慧荣)与Marvell,三星以及东芝使用自家生产的主控。在闪存颗粒上,7款都是使用自家的原厂颗粒。

Silicon Motion SM2258是慧荣2016年发布的产品,其完美支持TLC闪存,慧荣SM2258控制器支持NANDXtend ECC技术,可以将NAND闪存的耐久度提升3倍,可以显著提升解码效率,提速达40%,也能显著降低产品的能耗。全面支持2D/3D TLC闪存成品解决方案。 而Silicon Motion SM2258H与Silicon Motion SM2259都是SM2258的更新版本,具体参数未知,针对于英特尔545S以及英睿达BX300做了专门优化,应该是只强不弱。

Marvell88SS1074是Marvell公司2016年的产品,其采用28nm CMOS制造工艺,可以支持15nm制程的TLC/MLC/SLC和3D堆栈闪存,支持DEVSLP休眠模式以实现低功耗,以400MT/s的速率支持ONFI 3/Toggle 2接口标准,支持256位AES加密技术。主控支持Marvell第三代的NANDEdge纠错及LPDC低密度奇偶校验技术,这对TLC闪存SSD尤为重要。

至于三星自家的MGX Controller目前不知道具体数据,三星家的SSD一直用自己的主控,性能也还不错。

东芝的TC58NC1010GSB主控目前也无具体数据。

我们再来看一下其他参考因素:

SSD质保时间最长的是三星与英特尔,他们的硬盘质保时间为5年,其余为3年。

SSD平均无故障时间最长的是西部数据与闪迪的175万小时。

TBW是官方宣称SSD总写入量,也是SSD寿命。在官方宣称的耐久性TBW中,最长的是英特尔545S达到144TBW,就是说这块硬盘可以写入144TB的数据,按照每天写入100GB数据量,可以使用1440天,但是实际上,对于普通消费者来说可能用不到这么多,所以对于一般用户来说不用太担心SSD寿命。

以上因素可以作为购买时候的参考依据,但是真正决定性因素则是速度!SSD不以速度决成败就是耍流氓!以下我们选取AS SSD测试SSD得分,CrystalDiskMark进行连续读写性能测试,HD Tune进行SLC Cache测试,最后再以PCMark8 综合性能模拟测试。

在测试中,我们使用简体中文版Windows 10 64位版本的操作系统,关闭所有Windows开机启动项,并不对操作系统进行任何优化,为获取最为真实原始的客观评测数据提供基础。

测试平台参数如下:

AS SSD Benchmark速度测试

AS SSD Benchmark可以说是每一个固态硬盘用户必备的软件,其准确性和扎实的技术都能够为我们提供足够的参考价值,它可测试出硬盘的持续读写性能、“ISO文件/项目/游戏”等拷贝速度,以及4K随机性能等。

首先通过AS SSD测试其运行速度,其中测试数据包大小为1GB,3GB,5GB,10GB,每种数据包测试3次并对结果取平均值。

AS SSD顺序读取速度

通过AS SSD Benchmark测试其顺序读取速度,速度最快几款SSD包括英特尔545S,英睿达BX300系列,其次是东芝TR200以及三星850 EVO,最弱的是西部数据Blue 3D版,闪迪至尊高速3D 版,英睿达MX300系列。

AS SSD顺序写入速度

通过AS SSD Benchmark测试其顺序写入速度,在写入速度测试中,7款3D NAND SSD的初始写入速度基本都能达到或接近标称速度,但是随着测试包越来越大,多家的SSD都出现掉速情况,掉速最严重的是东芝TR200、西部数据Blue 3D版与闪迪至尊高速3D 版,其次是英特尔545S,三星850 EVO。值得称赞的是英睿达BX300以及英睿达MX300系列全程无掉速,稍后我们会进行另外的测试寻找它们的极限值在哪里!

AS SSD 4K读取速度测试

在AS SSD Benchmark 4K读取速度测试中,表现优秀的是东芝TR200与三星850 EVO,剩余的都表现的十分平稳,中规中矩。

AS SSD总得分

使用AS SSD Benchmark测试大家也都喜欢看分数, 数据最好的是三星850 EVO与英睿达BX300。

ATTO Disk Benchmark测试

ATTO Disk Benchmark是一款简单易用的磁盘传输速率检测软件,使用了不同大小的数据测试包,数据包按0.5KB,1.0KB,2.0KB直到到64MB分别进行读写测试,测试完成后数据用柱状图的形式表达出来。能够很好的说明文件大小比例不同时对磁盘读取、写入速度的影响。我们选取数据包大小从512B,1KB,2KB…直到64MB,数据长度选取32GB,然后记录数据。

ATTO Disk Benchmark读取速度测试

随着数据包的增大,测试其连续读取速度,各家的SSD都表现良好。

ATTO Disk Benchmark写入速度测试

测试写入速度时,有些SSD表现就很奇怪,随着数据包的增大,英特尔545S以及三星850 EVO速度就掉到了三百多, 而西部数据Blue 3D版以及闪迪至尊高速3D版表现更是糟糕,竟然掉到了两百多兆每秒。而值得称赞的则有东芝TR200,英睿达BX300,英睿达MX300。

SLC Cache测试

只要是TLC的闪存颗粒性能都与SLC Cache挂钩,接下来我们测试一下这7款SSD的SLC缓存容量大小以及缓存外持续写入速度。

三星850EVO的缓存容量大小为3GB,缓存外持续写入速度为320MB/s。

Intel 545S的固件不稳定,虽然其官网宣称的8GB SLC缓存,但是这结果浮动的有些厉害。勉强给它3GB。

SLC缓存容量

SLC缓存外持续写入速度

将所有SSD的测试之后,将结果进行统计,英睿达BX300系列很给力,由于采用MLC颗粒,加入SLC超级缓存机制,全盘不掉速。其次是英睿达MX300拥有10GB的SLC缓存区域,这个数值刚好是SSD各种测试软件的数据包大小的极限值,不得不说很机智。东芝TR200拥有3.2GB SLC缓存区域,其余的西部数据3D版本,闪迪至尊高速,三星850EVO都只有3GB缓存区域,英特尔固件不稳定,数据一直跳动。

PCMark8 综合性能模拟测试

通过PCMark8可以测试SSD的综合性能,在测试中,会使用测试SSD依次打开并运行以下应用软件:World of Warcraft,Battlefield 3,Adobe Photoshop light,Adobe Photoshop heavy,Adobe InDesign,Adobe After Effects,Adobe Ilustrator,Microsoft Word,Microsoft Excel,Microsoft PowerPoint,在使用过程的速度以及打开时间进行统计,并以分数形式表示结果。

示例:英特尔的测试结果如上,PCMark8测试存储带宽为193.35MB/s,测试所有应用软件使用的总基准时间为68.2分钟,分数为4890分。

PCMark8测试存储带宽数据以及测试所有应用软件使用的总基准时间记录如下:

PCMark8测试存储带宽

PCMark8测试所有软件总基准时间

完成所有应用软件测试所用时间最短的是英睿达BX300系列,而速度最快的则是三星850 EVO。

我们将7款SSD全部测试完毕,看一下分数。

PCMark8分数排行

在PCMark8评测中,评分最高的竟然是三星850 EVO,英睿达BX300系列以4分的差距紧追其后。

如果是使用在移动笔记本上,功耗无疑是影响续航重要的一环。我们也进行了功耗测试。

功耗测试

我们会测取全速写入时的功耗,此刻的功耗为最高功耗;测取无读取写入情况下的功耗,此刻的功耗为待机功耗;测试4K随即读取时候的功耗,此刻的功耗为日常使用功耗。

最高功率测试

在最高功率测试中,表现最优秀的是东芝TR200,最高功率只有1.25W。

待机功率测试

在待机功率测试中,最优秀的是英睿达BX300系列,待机功率仅为0.05W。

日常使用功率测试

日常使用功率也是最具有代表性的功率测试,日常的移动办公对续航的要求比较高,而则其中的一部分电量消耗则是来自硬盘的消耗。在这个测试中,东芝TR200表现最优秀,日常使用功率只有0.6W,而其余6款均在1W左右。

总结

在日常使用中,240GB~256GB的固态硬盘一般会作为主系统盘,存放系统、常用软件以及游戏文件,而对系统盘的使用主基调是随机4K读写与小文件的读取写入等,大容量数据拷入比较少。对于日常使用体验的影响因素就包括:价格、随机4K读写性能,小文件读写速率、以及PCMark8得分,如果是在移动端,功耗也很重要。

但是根据多方面的综合考虑,笔者故列出一个日常使用推荐榜,该推荐榜以多维度综合考虑,每个角度给予一定的比重,然后计算分数,得出排行。

价格比重为30%:性价比永远很重要。

小数据读写速率比重为30%:包括随机4K读写性能与小文件读写性能,它保证日常的使用体验。

SLC cace为20%:缓存代表着TLC的固态硬盘的缓存容量,代表着它的掉速情况。

PCMark8得分占比为10%:由于PCMark8代表着盘的全面性能,甚至是极限性能,但是普通用户在日常使用中并不会从各个方面各个角度来使用这个盘。

功耗占比为10%:对于移动笔记本来说,续航很重要。

综合参数排行

根据日常使用的各种综合因素来看,综合数据得出推荐榜单。

第一名是英睿达BX300系列,这块盘是美光原厂MLC闪存颗粒,无论是顺序读写,还是4K写入,以及PCMark8跑分,它的表现绝对都是一流水准,当然658元的价格也是所有评测SSD中的第一。

第二名是三星850 EVO,PCMark8跑分第一,各方面的综合性能也是不必多说,它采用的是三星原厂3D V-NAND TLC闪存颗粒,在使用中表现优秀,拥有5年的质保,虽然也会掉速,但是结果在接受范围。

第三名东芝TR200可以说是一匹黑马,作为所有SSD中价格最低的一款,469元的价格比之英睿达BX300便宜了40%,将近半块盘的价格。笔者原本并没有对它有太多期待,但是放在日常使用中,无论是打游戏还是工作,它都能胜任,且表现令人满意。如果是移动端更可考虑,因为它的功耗很低。

大家在选购日常使用的SSD时,这个榜单不妨作为参考。

相关问答

nand 和tlc颗粒哪个好?

nand颗粒好。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立公司于1989年研制并推向市场,由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点,成为了...

固态硬盘中的“mlc”,“tlc”和“3dv- nand ”的区别是什么?

tlc最烂,速度慢寿命短,最便宜mlc居中,速度中等,寿命中等,价格中等slc速度快,寿命长,价格贵3d是三星研究的一项技术,不过本质还是tlc,比一般tlc强点,...tlc...

买这个3DNAND颗粒SSD硬盘还是MLC颗粒SSD硬盘哪个好?

tlc最烂,速度慢寿命短,最便宜mlc居中,速度中等,寿命中等,价格中等slc速度快,寿命长,价格贵3d是三星研究的一项技术,不过本质还是tlc,比一般tlc强点,...tlc...

固态硬盘的mlc和tlc和3dv- nand 的区别?

tlc最烂,速度慢寿命短,最便宜mlc居中,速度中等,寿命中等,价格中等slc速度快,寿命长,价格贵3d是三星研究的一项技术,不过本质还是tlc,比一般tlc强点,大...tlc...

当iPhone遇到开机 NAND 的问题该怎么办?

可能是存储方面的原因,NAND]_FindFlashmediaAndKeepout:600physicalnandblockoffset1发现媒体和隔离:600物理NAND块偏移1[...

固态硬盘的什么颗粒更好?-ZOL问答

随着时代发展,NAND闪存颗粒的技术突飞猛进,并且逐渐形成了几大超大规模的专业闪存颗粒制造商,这些能够直接切割晶圆和分离出NAND闪存颗粒的厂商,一般称之为闪存...

固态硬盘未来发展前景?

提问的,说实话,固态硬盘的发展前景呈现“两极化”发展态势。一方面随着m.2接口的普及度越来越高,体积也越来越小,读写速度也越来越快,当然价格也水涨船高。...

norflash和nandflash的区别?

NANDflash和NORflash的区别一、NANDflash和NORflash的性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的....

固态硬盘的闪存类型:SLC MLC TLC 各指的是什么?哪种比较好? ...

除了主控芯片和缓存芯片以外,PCB板上其余的大部分位置都是NANDFlash闪存芯片了。NANDFlash闪存芯片又分为SLC(单层单元)和MLC(多层单元)NAND闪存:...

长江储存股票代码是多少?-股票知识问答-我爱卡

[回答]长江存储股票代码是600206。长江存储科技有限责任公司2016年7月成立,总部在武汉,是一家集3DNAND闪存设计制造一体化IDM集成电路企业,并且同时提供...

 卡司派  宅捷修 
王经理: 180-0000-0000(微信同号)
10086@qq.com
北京海淀区西三旗街道国际大厦08A座
©2025  上海羊羽卓进出口贸易有限公司  版权所有.All Rights Reserved.  |  程序由Z-BlogPHP强力驱动
网站首页
电话咨询
微信号

QQ

在线咨询真诚为您提供专业解答服务

热线

188-0000-0000
专属服务热线

微信

二维码扫一扫微信交流
顶部