nand的制造研发打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand的制造研发打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

发布时间 : 2024-11-23

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

近年来，中国在半导体领域的发展可谓是突飞猛进。随着国产智能手机的崛起，国产芯片也取得了出色的成绩，特别是在核心的处理器和通讯芯片上。但是，在存储芯片领域，中国的发展相对滞后，这块市场也一直被美日韩厂商所垄断。不过，随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及众多国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。近日，国产存储芯片领域再获突破，长江存储已成功研发32层3D NAND。

3D NAND成 国产厂商 弯道超车机会

从去年开始，三星、SK Hynix、东芝、Intel、美光等存储芯片大厂都在积极的由2D NAND全面转向3D NAND，目前这些厂商都已开始量产32层甚至64层的3D NAND。相比之下，中国的国产存储芯片过去还几乎是一片空白，市场长期被韩国、日本、美国厂商垄断。不过随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。

2016年3月28日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”在武汉正式启动。“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

2016年7月26日，“国家存储器基地”项目的核心载体——长江存储科技有限责任公司正式成立，法人代表为紫光集团董事长赵伟国。同时，武汉新芯成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。

12月30日，“国家存储器基地”项目正式开工。

2017年2月，长江存储与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

今年6月，长江存储的产房提前封顶。11月中旬，长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

根据长江存储的规划，预计在2018年下半年正式开始3D闪存生产，初期产能5000片晶圆/月，不过一旦解决良率问题，后续就会大规模量产，武汉基地的设计产能最终可以达到30万片晶圆/月，未来足以比肩SK Hynix、东芝这样的公司的产能。

据业内人士透露，长江存储已预订5000片产能的机台设备，预计2018年第二季度投入市场。

首款国产32层3D NAND存储芯片曝光：价值10亿美元

11月19日，央视财经频道《对话》栏目播出了与紫光集团董事长赵伟国的采访对话。节目中，赵伟国首次展示了首款国产32层3D NAND存储芯片。赵伟国表示，“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64G存储芯片，是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

值得注意的是，长江存储重点聚焦的是64层3D NAND芯片。如果一切进展顺利，长江存储2019年开始量产64层的3D NAND闪存，届时他们与三星等大厂的差距就可缩短在2年以内。

编辑：芯智讯-林子

_____________________________

更多干货、爆料、独家观点，欢迎订阅芯智讯

官方微信公众号：芯智讯

长江存储128层3D NAND闪存研发成功“中国芯”实现跨越式发展

4月13日，紫光集团旗下长江存储宣布128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。这是全球首款128层QLC规格的3D NAND闪存芯片，也是我国首款128层3D NAND闪存芯片。长江存储预计，128层产品今年底到明年上半年量产，维持明年单月10万片产能目标不变。

“存储芯片是整个ICT行业的底盘之一，手机、电脑、服务器等设备都要用它，云计算、5G等技术也是基于存储芯片技术的发展。目前中国在这方面与海外差距较大。”一位电子行业卖方首席研究员表示，“长江存储的128层产品市场销路会不错。”

长江存储填补了我国在3D NAND闪存芯片领域的空白，它是目前中国唯一能够在该领域实现量产的厂商。尽管起步晚于国际大厂，但长江存储发展迅速，技术水平已跻身全球第一梯队。

存储器是半导体产业的重要分支。中信证券电子组表示，存储芯片产业2019年全球销售额约1200亿美元，约占全球4000亿美元半导体市场的30％。其中，DRAM约620亿美元，NAND Flash约570亿美元。韩美3家DRAM厂商占全球95％的份额，其中韩国厂商三星、SK海力士占75％。韩美日6家NAND Flash厂商占全球99％的份额，其中韩国三星、SK海力士以及日本铠侠（原东芝）3家的份额超过60％。

多个指标业界第一

长江存储有关人士介绍，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

QLC是继TLC后3D NAND新的技术形态，具有大容量、高密度等特点，适合于读取密集型应用。每颗X2-6070 QLC闪存芯片拥有128层三维堆栈，共有超过3665亿个有效的电荷俘获型存储单元，每个存储单元可存储4字位数据，共提供1.33Tb的存储容量。如果将记录数据的0或1比喻成数字世界的小“人”，一颗长江存储128层QLC芯片相当于提供3665亿个房间，每个房间住4“人”，共可容纳约14660亿“人”居住，是64层单颗芯片容量的5.33倍。

闪存和SSD领域知名市场研究公司Forward Insights创始人兼首席分析师Gregory Wong认为，QLC降低了NAND闪存单位字节的成本，更适合作为大容量存储介质。在企业级领域，QLC SSD更适用于AI计算、机器学习、实时分析和大数据中的读取密集型应用。在消费类领域，QLC将率先在大容量U盘、闪存卡和SSD中普及。

与国际大厂同台竞技

2017年7月，长江存储研制成功中国第一颗3D NAND闪存芯片。2018年三季度，32层实现量产。2019年三季度，64层实现量产。为缩小与第一梯队厂商的差距，长江存储跳过96层，攻坚128层。

SK海力士、三星、美光等国际大厂去年陆续发布128层3D NAND产品，计划今年实现规模量产。如今，长江存储成功自研128层闪存芯片。在不久的将来，国产128层系列闪存产品将走向市场，与国际大厂同台竞技。

“3D NAND的难点在于一层层叠上去的时候需要打洞把每一层连接起来，层数越多需要打的洞就越多，每一个单位都要打洞，数量可达几百万个。必须保证做到垂直地打洞，不能歪、不能斜，保持均匀。同时，一层一层叠上去的时候会产生压力，芯片的旁边会翘起来。所以，把洞打好和把翘起来的地方压下去、变平，这是最困难的地方。”长江存储执行董事长高启全此前接受中国证券报记者专访时介绍了3D NAND制造工艺的难点。

国内市场需求旺

长期以来，我国使用的存储芯片严重依赖进口。以2018年为例，根据智研咨询统计，我国集成电路进口额达3120亿美元。其中，存储芯片为1230亿美元，占集成电路进口总额的39％。

目前，长江存储、长鑫存储、福建晋华等3家国内厂商正奋力追赶。随着量产的推进，我国依赖进口的局面有望得到缓解。长鑫存储和福建晋华主攻DRAM，前者去年9月宣布内存芯片自主制造项目投产。

当下，长江存储产能为2万片/月，公司表示将尽早达成64层三维闪存产品月产能10万片，并按期（二期）建成30万片/月产能，提升国家存储器基地的规模效应。长江存储当前产能利用率达100％，已全员复工。

“长江存储128层系列产品具有广阔的市场应用前景。其中，128层QLC版本将率先应用于消费级SSD，并逐步进入企业级服务器、数据中心等领域，以满足未来5G、AI时代多元化数据存储需求。”长江存储市场与销售高级副总裁龚翊说。

本文源自中国证券报

打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

长江存储128层3D NAND闪存研发成功“中国芯”实现跨越式发展

关于我们

产品中心

服务与支持