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eflash nand flash区别家用主流NVMe SSD对比横评：都是NVMe协议，差距怎么那么大？

发布时间 : 2025-04-29

作者 : 小编

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家用主流NVMe SSD对比横评：都是NVMe协议，差距怎么那么大？

近年来NVMe协议的M.2固态硬盘，凭借着更高性能的表现，已逐渐获得市场认可，装机时首选NVMe协议的M.2 SSD也已成主流趋势。虽然同为NVMe协议的M.2 SSD，但由于存在TLC和QLC两种不同类型的闪存颗粒，使得SSD性能截然不同。QLC虽然提升了容量但其性能和寿命都不如目前技术成熟的TLC。ITheat热点科技选取了市面上分别代表TLC和QLC的几款主流NVMe SSD来做一次全面的对比横评，告诉你为什么现阶段，TLC更值得选购。

此次参与横评的三款NVMe SSD分别为西部数据 SN500、Intel 660P以及金士顿 A1000。 对于大多数消费者来说500GB足够作为系统盘再安装一些常用的软件，所以这三款硬盘的容量我们也都统一选择500GB规格。

我们还是来看一下三块SSD的具体规格参数。

西部数据 SN500的主要组成部分其实只有一颗TLC NAND Flash闪存芯片和一颗主控，总写入为300TBW，并且其主控芯片以及闪存颗粒用的都是自家产品。毕竟西部数据在闪存方面的技术积累深厚，全球第一个3D 64层和96层3D闪存技术都出自西数之手，采用自家的主控与闪存颗粒自然也能够更好地发挥闪存的性能，成本也相对更低。

而金士顿 A1000则是采用了群联的PS5008-E8主控，512MB的DDR3L缓存芯片以及四颗128GB的东芝TLC闪存颗粒芯片，总写入也为300TBW。

Intel 660P搭载了惠荣SMI2263主控，256MB的DDR3缓存芯片以及两颗QLC闪存颗粒，总写入为100TBW。另外值得一提的是西部数据 SN500与金士顿 A1000都是走的PCI-E 3.0 x2通道，而Intel 660P则是走的PCI-E 3.0 x4通道。

相信大家都知道对于SSD来说，闪存颗粒这样的核心元器件是影响SSD性能表现的最大因素之一。目前主流的NVMe SSD大部分都是选择TLC类型的闪存颗粒，比如此次参与测评的西部数据WD Blue SN500与金士顿A1000都是搭载3D NAND TLC 64层闪存颗粒。也有小部分固态硬盘则是采用了目前还并不算常见的QLC闪存颗粒，比如Intel 660P就是配备的3D NAND QLC 64层闪存颗粒。那么TLC与QLC有什么区别，哪一个更好呢？

首先是在稳定性与寿命方面，QLC由于单位存储密度更大，是TLC的两倍，所以其电压更难控制，从而影响到性能以及稳定性；而Intel 660P采用QLC闪存的写入总数据量大约为100TBW，只是同样容量西部数据 SN500采用TLC闪存的三分之一左右，因而我们也能够对比出QLC寿命相较于TLC会低很多。在性能方面，虽然采用QLC闪存颗粒的SSD在缓存容量内也能够达到与TLC相近的读写速度，但是一旦缓存耗尽后其持续写入速度将会大幅下跌，甚至速度会不敌传统的机械硬盘。

不过QLC闪存颗粒也不是没有优势，它的生产成本相较于TLC更低，虽然目前QLC的技术可能还不够成熟，但是也许在未来随着成本的下降，取代机械硬盘也不是没有可能。当然，这还需要时间去验证，作为消费的我们也不用着急，如果QLC技术发展更为成熟，肯定会有很多闪存厂商争先恐后推出容量更大，价格更优的SSD。

测试平台

介绍完毕，接下来我们就通过软件以及实际应用场景的测试来看一看哪一款SSD表现最出色吧。

首先是CrystalDiskMark，经过测试我们可以看出西部数据 SN500的顺序读写分别为1751.9MB/s与1465.7MB/s；金士顿 A1000顺序读写分别为1601.7MB/s与1042.8MB/s；Intel 660P顺序读取达到1843.6MB/s，但是写入垫底，仅有981.7MB/s。总体来看西部数据 SN500，表现更好。

而在4K Q32T1的测试项目中，西部数据SN500的读取为439.3MB/s，写入为348.2MB/s；金士顿 A1000的读取为535.6MB/s，写入为524.8MB/s；Intel 660P的读取为345MB/s，写入为541.6MB/s。英特尔的写入表现最好，而金士顿的读取表现最好。

在AS SSD BenchMark测试中，西部数据SN500达到了3453分，而金士顿则为2438分，Intel 660P最低，仅为1851分，三款SSD的差距表现还是很大的。

西部数据 SN500读写分别达到1582MB/s与1385MB/s。金士顿 A1000的读写成绩分别为1379MB/s与943MB/s；而Intel 660P表现与之前相似，读取达到最高，达到了1685MB/s，但是写入最低，仅有925MB/s。

在4K测试项目中，西部数据 SN500读取速度为27.31MB/s，写入达到了149.83MB/s，金士顿 A1000的读取达到25.79MB/s，写入为110.78MB/s，Intel 660P在三者中读取最佳达到了44MB/s，写入也有144.34MB/s，仅稍弱于西部数据 SN500。

同样，在TxBenchMark测试中，西部数据 SN500顺序读写分别为1700MB/s与1463MB/s。金士顿 A1000顺序读写分别为1587MB/s与1040MB/s；Intel 660P读取达到1791MB/s，稍强于西部数据 SN500，但是又一次在写入方面落后于前两者，仅有996MB/s。

而在4K Q32T1的测试中，西部数据 SN500的读取509MB/s，写入为445MB/s；金士顿 A1000的读取为522MB/s，写入为501MB/s，Intel 660P的读取为340MB/s，写入为521MB/s。

通过上面的三款软件测试我们可以看出其测试结果都表明在顺序读取方面，Intel 660P表现最好，稍稍强于西部数据 SN500，金士顿 A1000最弱；顺序写入方面西部数据 SN500拥有最佳的表现，并且能够拉开另外两款SSD较大的差距；而在4K读取方面，Intel 660P表现最好，领先于西部数据 SN500与金士顿 A1000；4K写入方面，三者虽然互有胜负，但综合来看还是Intel 660P更强一些，但是相较于另外两款SSD并没有绝对性的优势。

在PCMark 8的测试中，我们测试西部数据SN 500的硬盘速度为401.44MB/s，金士顿 A1000为271.79MB/s，而Intel 660P略高于金士顿 A1000，达到了287.23MB/s，不过其成绩相较于西部数据 SN500仍然有较大的差距。

上面我们有提到固态硬盘在缓存之内能够有更好的读写表现，但是缓存用完之后速度则会降下不少，有的固态硬盘还是动态缓存或是虚拟缓存。存储的文件越多，可用的缓存就越少，降速就越快，所以我们也用HD TUNE PRO对这三款硬盘进行了测试。

通过测试可以发现西部数据 SN500的缓存最少，仅有大约6GB左右，但其读取还是写入都是三者最高，虽然缓存少掉速比较早，但是掉速之后的读取仍然有1500MB/s左右，而写入也还有750MB/s上下。

而金士顿 A1000则表现更好一些达到了24GB左右，在读取上与西数SN500几乎相当，但是写入更低，掉速之后只有500MB/s。

Intel 660P软件测试的结果是拥有70GB左右的缓存，这个结果还是令我们大吃一惊的。不过其写入与读取速度没有前两者高，在掉速之后写入就像跌进了深渊，差不多100MB/s的速度，简直不敢让人相信这是NVMe协议的SSD。根据这个测试结果，我们推测Intel 660P可能是采用了全盘模拟SLC缓存设计，一旦存储的容量达到了一定程度，SLC缓存量就会降低，并且性能也会有十分明显的降低；而金士顿 A1000则可能是动态SLC缓存设计，性能会随着硬盘可用空间的减少而逐步下降。

当然软件测试反应的只是SSD的理论水平，而SSD在实际应用中的表现其实是我们更加应该关注的，为此我们也进行了以下比较贴合实际生活应用的测试。

首先是实际的文件拷贝中我们也能够很清楚地看到在空盘状态下，将一份大小为30GB的文件分别复制到三块SSD中，三者都保持了较高的写入速度，没有出现性能下降异常的状况。

其中西部数据 SN500在缓慢降速后依然保持约750MB/s的速度，耗时35秒；金士顿 A1000降速来的更晚，但是降速后速度要低于西数 SN500，所以也耗时35秒；而Intel 660P的写入要稍弱于前两者，最终耗时39秒。

西部数据 SN500

金士顿 A1000

Intel 660P

但将三块SSD都装满一半的容量时再进行该项测试，我们可以发现其中西部数据 SN500能够在初始速度保持较高的写入，后面虽然开始降速，但确实一个缓慢的过程，而且降速之后也能够稳定维持在750MB/s；而金士顿 A1000降速到515MB/s后，表现也算比较平稳；Intel 660P在复制文件时，缓存相对较多，降速时间相对靠后，但是降速之后硬盘的速度便惨不忍睹，仅维持在60MB/s左右的速度，甚至不如普通的机械硬盘速度。

最终西部数据 SN500耗时35秒，与空盘状态下保持一致；金士顿 A1000耗时52秒，相较于空盘状态下的35秒已经有了较大的差距，这说明金士顿 A1000随着硬盘可用空间的减少，实际的性能已经受到影响；而Intel 660P更是耗时215秒，与空盘状态下的表现已经是天壤之别，随着硬盘文件存储的增加，Intel 660P的性能下降十分地明显。考虑到我们在日常使用时硬盘存储的数据会越来越多，所以金士顿 A1000与Intel 660P在实际使用中降速问题应该会越来越明显，西部数据 SN500在这方面则会有更好的表现，即使随着硬盘可用空间的减少也不会有性能下降的问题出现。

Intel 660P 存储50%以上状态

在硬盘存满一半的空间之后，我们也再次对Intel 660P进行了软件测试，在HD TUNE的测试中，其缓存并没有像之前一样拥有70GB，而是在4GB左右时就彻底降速，之后便一直维持着不到100MB/s的写入速度。这也印证了我们上面的猜想，Intel 660P采用了全盘模拟SLC缓存的设计，随着硬盘可用空间的减少，SLC缓存量也越来越少，性能表现越来越差。

金士顿 A1000 存储50%以上状态

而金士顿 A1000缓存也从24GB减少到12GB，这也印证我们的猜想，金士顿 A1000是采用了动态SLC缓存的设计，随着硬盘可用空间的减少，SLC缓存量也会逐步降低，性能也会随之降低。

西部数据 SN500则是和之前保持一致，缓存容量依旧为6GB左右，降速后依旧保持着750MB/s左右的写入速度，这说明其不会出现硬盘可用空间减少性能也随之下降的情况。所以再次综合对比来看在实际应用中，西部数据 SN500能够保证在硬盘存储大量数据之后依旧保持最佳性能，而其它两款SSD则会有性能下降的表现，特别是Intel 660P的掉速情况最为严重。

接下来是实际日常环境应用的测试，解压一个30G大小的压缩包。

我们日常生活中也是会比较经常解压文件，而30GB的文件解压测试，西部数据 SN500耗时1分39秒，金士顿 A1000耗时2分15秒，Intel 660P总耗时7分10秒。三者的成绩还是比较大的，西部数据 SN500表现最好，金士顿 A1000落后其半分钟左右，而Intel 660P则与前两者有比较大的差距了。

此外我们也测试了三款SSD在安装与载入LOL游戏时的表现，其中安装方面，西部数据 SN500表现最好耗时8分11秒，金士顿 A1000耗时8分23秒，Intel 660P耗时8分18秒，三款SSD的表现有一定的差距但是不大；而载入方面三款SSD的差距则并不明显，都保持了较高的水准。

在进行读写测试时，我们也测试了这三款SSD的发热表现，毕竟SSD长时间处于较高温度的状态也可能会导致发生降速、不稳定的情况，并且夏天快来了，机箱里还是少点温度更好。

通过热成像仪测试我们可以看到，在室温为25℃的情况下，三款SSD中西部数据 SN500全速运行时最高温度为50.3℃，金士顿 A1000的温度则为52.4℃，而Intel 660P则达到了70.4℃，远高于前两者。

总结：

综合以上的软件测试以及实际场景应用测试得出的数据，我们也做了一个汇总数据对比表格，其中每个测试项目的最优成绩都已用黑体加粗。

通过表格直观的数据对比，我们可以看到软件测试中西部数据SN500在顺序写入和4KQ1T1写入方面的表现最为出色，Intel 660P则是在读取方面更为优秀，而金士顿A1000则整体表现平平。在SLC Cache、PCMark 8、文件拷贝压缩、游戏以及散热的对比环节，西部数据SN500可以说是一骑绝尘，完全是对Intel 660P和金士顿A1000碾压级别的表现，并且考虑到这部分的数据表现更影响日常使用感受，更贴近真实使用体验，所以我们认为西部数据SN500的性能表现是这三款SSD中最为优秀的。

最后，SSD毕竟不是快消品，购买SSD还是要从寿命以及长久使用的稳定性等多方面来考虑。虽然参与测评的三款SSD都拥有5年官方质保，但是西部数据SN500与金士顿A1000采用TLC闪存颗粒在相同容量下的写入寿命是Intel 660P采用QLC闪存颗粒的三倍，所以目前来说还是TLC闪存颗粒更加值得选择。再综合硬盘性能来抉择的话，毫无疑问西部数据 SN500是三款中最值得选购的。

FLASH存储器和EEPROM存储器的区别

作者：顺昱自动化

来源：

http://www.szcwx.com

发布时间：

2020/04/13

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1、首先从IO引脚占用方面比较，EEPROM只需占用两个IO引脚，时钟（clk）和数据（data）引脚，外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多IO引脚，有并行和串行的，串行的需要一个片选（cs）引脚（可用作节电功耗控制），一个时钟（clk）引脚，FLASH读出和写入引脚各一个，也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度要快。

2、从功能方面比较，EEPROM可以单字节读写，FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除),部分芯片可以单字节写入(编程),一般需要采用块写入方式；FLASH比EEPROM读写速度更快，可靠性更高。但比单片机片内RAM的读写还要慢。

3、价格方面比较，FLASH应该要比EEPROM贵。

EEPROM,EPROM,FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM的浮栅处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能量来激出，EEPROM的单元是由FLOTOX(Floating- gate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的特性及两管结构，所以可以单元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPROM技术达到的，很多FLASH使用雪崩热电子注入方式来编程，擦除和EEPROM一样用Fowler-Nordheim tuneling。但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块或整块的擦除，这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM单元里那个多余的Tansister，所以可以做到高集成度，大容量，另FLASH的浮栅工艺上也不同，写入速度更快。

其实对于用户来说，EEPROM和FLASH 的最主要的区别就是：

1.EEPROM 可以按“位”擦写，而FLASH 只能一大片一大片的擦。

2.EEPROM 一般容量都不大，如果大的话，EEPROM相对与FLASH 就没有价格上的优势了。市面上卖的stand alone 的EERPOM 一般都是在64KBIT 以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT 以上（NOR 型）。

3.读的速度的话，应该不是两者的差别，只是EERPOM一般用于低端产品，读的速度不需要那么快，真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。

4.因为EEPROM的存储单元是两个管子而FLASH 是一个（SST的除外，类似于两管），所以CYCLING 的话，EEPROM比FLASH 要好一些，到1000K次也没有问题的。

总的来说，对与用户来说，EEPROM和FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品，容量低，价格便宜，但是稳定性较FLASH要好一些。

但对于EEPROM和FLASH的设计来说，FLASH则要难的多，不论是从工艺上的还是从外围电路设计上来说。

Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存”，它也是一种非易失性的内存，属于EEPROM的改进产品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格)，而EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用来保存BIOS程序，便于进行程序的升级。其另外一大应用领域是用来作为硬盘的替代品，具有抗震、速度快、无噪声、耗电低的优点，但是将其用来取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。

ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。

RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。

DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。

ROM也有很多种，PROM是可编程的ROM，PROM和EPROM(可擦除可编程ROM)两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后，就无法修改了，这种是早期的产品，现在已经不可能使用了，而EPROM是通过紫外光的照射擦出原先的程序，是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很高，写入时间很长，写入很慢。

举个例子，手机软件一般放在EEPROM中，我们打电话，有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为当时有很重要工作(通话)要做，如果写入，漫长的等待是让用户忍无可忍的。

FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM(EPROM)作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM(EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接当硬盘使用(U盘)。

目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样，用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码，这样可以减少SRAM的容量从而节约了成本。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式来进行的，通常是一次读取512个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好多使用NAND Flash的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash来运行启动代码。

一般小容量的用NOR Flash，因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息，而大容量的用NAND FLASH，最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Chip)和我们通常用的"闪盘"，可以在线擦除。目前市面上的FLASH 主要来自Intel，AMD，Fujitsu和Toshiba，而生产NAND Flash的主要厂家有Samsung和Toshiba。

SRAM 是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的半导体存储器。"静态"是指只要不掉电，存储在SRAM中的数据就不会丢失。这一点与动态RAM(DRAM)不同，DRAM需要进行周期性的刷新操作。然后，我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆，因为SRAM是一种易失性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。"随机访问"是指存储器的内容可以以任何顺序访问，而不管前一次访问的是哪一个位置。 SRAM中的每一位均存储在四个晶体管当中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储单元具有两个稳定状态，通常表示为0和1。另外还需要两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储单元的访问。因此，一个存储位通常需要六个MOSFET。对称的电路结构使得SRAM的访问速度要快于DRAM。 SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原因是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列地址复用的结构。

SRAM不应该与SDRAM相混淆，SDRAM代表的是同步DRAM(Synchronous DRAM)，这与SRAM是完全不同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。

从晶体管的类型分，SRAM可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分，SRAM可以分为异步SRAM和同步SRAM(SSRAM)。异步SRAM的访问独立于时钟，数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址、数据输入和其它控制信号均于时钟信号相关。

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