AI浪潮引爆存储晶圆需求，DRAM和NAND产能面临新挑战

随着人工智能技术的快速发展，AI对存储容量的需求正在不断增加，这对DRAM和NAND晶圆的产能提出了新的挑战。国泰君安研报通过详细计算，分析了AI增长对服务器、手机和PC存储需求的影响，结果显示AI的发展对晶圆的消耗量有着比较明显的推动作用。

AI服务器存储需求激增，单台设备晶圆消耗量可观

以GB200 NVL72（HBM+LPDDR5x）为例，单台AI服务器的DRAM晶圆片消耗量高达15.21片。而以DGX H100 SSD为例，单台设备的NAND晶圆消耗量也达到了0.46片。随着AI技术的不断进步和应用场景的拓展，AI服务器的数量将持续增长，这将对存储晶圆产能形成巨大压力。存储晶圆产能的扩张和技术升级势在必行，以满足AI时代的存储需求。

手机和PC存储容量提升，DRAM和NAND晶圆消耗量大幅增加

AI的发展不仅对服务器存储提出了更高要求，也带动了手机和PC等终端设备存储容量的提升。根据国泰君安研报的计算，若手机内存由8GB增加至16GB，DRAM晶圆新增消耗量约为3643.26千片；若闪存容量由256GB增加至512GB，NAND晶圆新增消耗量约为4033.61千片。同样地，若PC内存由16GB增加至32GB，DRAM晶圆新增消耗量约为1518.03千片；若闪存由512GB增加至1TB，NAND晶圆新增消耗量约为1680.67千片。这些数据表明，存储晶圆产能面临着巨大的扩张压力，需要存储厂商加大投资力度，提升产能以满足市场需求。

2023年末，全球DRAM总产能约为1351千片/月，NAND总产能约为1157千片/月。面对AI时代的到来，存储晶圆产能能否跟上需求增长的步伐，将是决定AI产业发展速度的关键因素之一。同时，我们也需要关注下游传统需求恢复不及预期、AI产业进度不及预期以及国际贸易风险等因素，这些都可能对存储晶圆产能的扩张产生影响。

本文源自金融界

三星第9代V-NAND金属布线量产工艺被曝首次使用钼技术

IT之家 7 月 3 日消息，根据韩媒 The Elec 报道，三星在其第 9 代 V-NAND 的“金属布线”（metal wiring）中首次尝试使用钼（Mo）。

IT之家注：半导体制造过程中八大工艺分别为：晶圆制造、氧化、光刻、刻蚀、沉积、金属布线、测试和封装。

其中金属布线工艺主要是使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体（CPU、GPU 等），可以说是“为半导体注入了生命”。

消息人士称三星公司已从 Lam Research 公司引进了五台 Mo 沉积机，此外还计划明年再引进 20 台设备。

除三星电子外，SK 海力士、美光和 Kioxia 等公司也在考虑使用钼。和现有 NAND 工艺中所使用的六氟化钨（WF6）不同，钼前驱体（molybdenum precursor）是固态，必须在 600℃ 的高温下才能升华直接转化为气态，而这个过程需要单独的沉积设备。

三星今年 5 月报道，已经启动了首批第九代 V-NAND 闪存量产，位密度比第八代 V-NAND 提高了约 50%。

第九代 V-NAND 配备了下一代 NAND 闪存接口“Toggle 5.1”，可将数据输入 / 输出速度提高 33%，最高可达每秒 3.2 千兆位（Gbps）。除了这个新接口，三星还计划通过扩大对 PCIe 5.0 的支持来巩固其在高性能固态硬盘市场的地位。

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