长江存储年底量产64层堆栈3D NAND闪存，与国外差距缩小到2年

来源：超能网

前不久紫光公司推出的纯国产SSD的消息刷遍了网络，爆料称该系列SSD容量128GB到1TB，使用的是国产联芸科技的主控以及紫光自产的64层堆栈TLC闪存，P/E寿命可达1500次，这已经是相当高的水准了。不过爆料的紫光SSD也有很多蹊跷之处，紫光公司随后找媒体删除了相关报道，并不愿意声张此事。对国内NAND闪存来说，最有希望的还是长江存储公司，日前该公司联席CTO程卫华表示今年底量产64寸堆栈的3D NAND闪存，市场分析称这样一来国内的NAND闪存与国外的技术差距就从之前的三四年缩小到了两年左右。

这里要说一点，虽然都是紫光集团旗下，但是紫光存储跟长江存储并不是一回事，紫光存储就是那个做U盘、SSD及磁盘阵列的公司，主要做终端产品，长江存储虽然也算是紫光旗下的，不过这是紫光收购武汉新芯科技之后的公司，紫光控股，但公司还是独立运营的，他们主要是做NAND研发、生产，未来他们可能是紫光存储产品的NAND供应商，但紫光存储并不是只有长江存储的闪存可用，去年紫光存储跟英特尔达成了战略合作，推出的很多存储产品使用的其实是英特尔的闪存。

长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存，并且少量生产用于U盘等产品，但32层64Gb容量的NAND闪存已经没有竞争力了，长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

日经新闻报道称，长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行，与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶，惹上了侵权知识产权的麻烦，而晋华公司也被美国政府制裁，美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备，导致公司运转停止。

程卫华表示该公司决不允许员工侵犯知识产权或者窃取其他公司机密，已要求公司员工签署承诺书，不能把非法资料带入公司。

此外，对于担心长江存储入局NAND闪存会带来产能过剩、低价竞争等问题，程卫华还表示公司不会大举扩产让市场供过于求。

长江存储今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

长江存储第二代3D闪存IO速度达3Gbps创史：明年量产

谈到NAND闪存，或者说以它为代表的SSD产品，多数人对速度的理解集中在像是SATA 3/PCIe 3.0等外部接口上，但其实闪存芯片也有内部接口，LGA/BGA都有引脚，所以就有引脚带宽，即I/O接口速度的概念，一定程度上可理解为内频。

今晨结束的Flash Memory Summit（闪存技术峰会）的首日Keynote上，长江存储（Yangtze Memory Technology，YMTC）压轴出场，介绍了新的3D NAND架构Xtacking。

长江存储称，数据产生的能力和贮存能力的增长是严重不对等的，2020年左右将产生47ZB（泽字节，470万亿亿比特），2025会是162ZB 。虽然多数数据可能是垃圾，但存储公司没有选择性，其唯一目标就是尽可能多地保存下来。

长江存储将NAND闪存的三大挑战划归为I/O接口速度、容量密度和上市时机 ，此次的Xtacking首要是提高I/O接口速度，且顺带保证了3D NAND多层堆叠可达到更高容量以及减少上市周期。

当前，NAND闪存主要沿用两种I/O接口标准，分别是Intel/索尼/SK海力士/群联/西数/美光主推的ONFi，去年12月发布的最新ONFi 4.1规范中，I/O接口速度最大1200MT/s（1.2Gbps）。

第二种标准是三星/东芝主推的Toggle DDR，I/O速度最高1.4Gbps。不过，大多数NAND供应商仅能供应1.0 Gbps或更低的I/O速度。

此次，Xtacking将I/O接口的速度提升到了3Gbps，实现与DRAM DDR4的I/O速度相当。

那么长江存储是如何实现的呢？

据长江存储CEO杨士宁博士介绍，Xtacking，可在一片晶圆上独立加工负责数据I/O及记忆单元操作的外围电路。存储单元同样也将在另一片晶圆上被独立加工。当两片晶圆各自完工后，Xtacking技术只需一个处理步骤就可通过数百万根金属VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互联通道)将二者键合接通电路，而且只增加了有限的成本。

官方称，传统3D NAND架构中，外围电路约占芯片面积的20~30%，降低了芯片的存储密度。随着3D NAND技术堆叠到128层甚至更高，外围电路可能会占到芯片整体面积的50%以上。Xtacking技术将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度（长江的64层密度仅比竞品96层低10~20%）。

在NAND获取到更高的I/O接口速度及更多的操作功能的同时，产品开发时间可缩短三个月，生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间。

应用

长江存储称，已成功将Xtacking技术应用于其第二代3D NAND产品的开发。该产品预计于2019年进入量产，现场给出的最高工艺节点是14nm。

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