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nand最大支持多大 Innodisk 发布 112 层 3D TLC 工业级固态硬盘：最大容量 8TB

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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Innodisk 发布 112 层 3D TLC 工业级固态硬盘：最大容量 8TB

IT之家 7 月 24 日消息存储厂商 Innodisk 宜鼎国际 7 月 22 日宣布，推出了采用 112 层 3D TLC NAND 存储芯片的固态硬盘系列产品，最大容量可达 8TB。

该系列硬盘包含采用 SATA 标准的 3TG6-P、3TE7 系列，同时还有采用 PCIe Gen3x4 / Gen4x4 通道的产品，最高支持 NVMe 1.4 协议。官方表示，此前 96 层 NAND 芯片的产品最大容量只能做到 2TB，而最新的 112 层芯片可以使得存储容量更大，速度更快。

具体来看，采用 PCIe 4.0×4 通道的产品，顺序读写速度可达 7500/6700 MB/s（8CH）以及 3800/3000 MB/s（4CH）。Innodisk 这类硬盘针对边缘计算、深度学习、智能监控、医疗等用途开发，具备 ECC 纠错以及 LDPC 功能，提高数据安全性。此外，产品还具备 iDataGuard、iPowerGuard 技术，能够在意外断电下保护硬盘。

需要注意的是，Innodisk 新款 SSD 8TB 容量仅限采用 U.2 接口的产品，适用于服务器。M.2 2280 规格的产品，最大容量 4TB。

IT之家了解到，官方表示该系列工业级 SSD 将于 2021 年第三季度向全球发售。

三星高管透露将于2024年推出300层以上的V-NAND

8月份，SK海力士全球首家宣布了321层堆叠的NAND闪存，首次突破300层，但是要到2025年上半年才会量产。一直处于存储一哥位置的三星坐不住了，因为原本规划2024年量产的第9代V-NAND闪存只有280层左右，2025-2026年的第10代则突破到430层以上。

被反超显然是三星不能忍的。三星电子存储业务总裁李荣培(Jung-bae Lee)最新披露，第9代V-NAND进展顺利，将在明年初量产，基于双堆栈架构，达成业界最高堆叠层数。

Jung-Bae Lee 指出： "在即将到来的 10 纳米以下 DRAM 和 1,000 层垂直 V-NAND 时代，新的结构和材料创新至关重要。因此，我们正在为 DRAM 开发三维堆叠结构和新材料，同时为 V-NAND 增加层数、降低高度并最大限度地减少单元干扰。计划于 2024 年推出的第 9 款 V-NAND 将采用 11 纳米级的 DRAM。此外，博文还重申了对CXL内存模块（CMM）的承诺，CMM将支持下一代系统的可组合基础设施，特别是采用V-NAND的大容量固态硬盘。"

他没有披露具体的层数，但此前就有说法称，会提高到300层以上，能不能超过SK海力士的321层不好说，但至少在近期是新高。显然，三星给第9代闪存加码了。

Innodisk 发布 112 层 3D TLC 工业级固态硬盘：最大容量 8TB

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