美光科技：DRAM芯片供应紧张将持续数年，NAND产能今年保持稳定

记者 | 彭新

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存储芯片大厂美光（Micron）执行副总裁兼事业长Sumit Sadana近日接受采访表示，2020年汽车电子和智能型手机需求因新冠肺炎疫情而衰退，今年显现明显复苏，并带动存储器需求增长。

目前主要有两种存储器产品，一种是DRAM（动态随机存储器），用于缓存，另一种是NAND Flash（闪存），用于数据的存储。在DRAM领域，韩国三星、海力士、美国美光三家企业把控了全球主要市场份额。NAND Flash市场则由三星、凯侠、西部数据、美光和NAND Flash瓜分。

Sumit Sadana称，预期今年因数字转型持续加速、5G带动相关应用、加上车用需求快速回温，DRAM将会供不应求，目前部分DRAM产品价格已上涨，市场对DRAM的需求程度将有增无减，供需紧俏的情形将延续好几年。

集邦咨询也表示，在经历两季度的库存调整后，为减缓预期后续涨价所造成的成本上升，2021年第一季预计买方将开始提高库存，整体DRAM的平均销售单价将止跌回稳，甚至有微幅上涨的可能。

“但是NAND的情况就不太相同，目前市场上的供应还是充足的。不过随着价格的浮动，我们认为NAND这方面的产品也会出现价格弹性，也就是说市场会自行调节，可能NAND的产能也会有所调整。2021年整年，我们相信NAND的产能也会稳定下来。”Sumit Sadana说。

NAND闪存主要用在手机、固态硬盘和服务器。集邦咨询认为，2021年NAND Flash各类产品总需求位元数包含Client SSD（31%）、Enterprise SSD（20%）、UFS与eMMC（41%）与NAND Wafer（8%），由于供货商数量远高于DRAM，加上供应位元成长的幅度居高不下，预计2021年价格仍将逐季下跌。

市场调研机构IC Insights最新报告显示，2020年存储依旧是半导体成长最快的品类。其中，DRAM（动态随机存取存储器）市场预计为652亿美元，在31种集成电路产品中名列第一，NAND闪存以551.5亿美元位列第二，但涨幅最高，达25%。

Sumit Sadana表示，美光对2021年内存前景抱持乐观看法，尤其是DRAM市场展望更为乐观，部分产品已涨价，预期DRAM供不应求的状况将延续好几年，其中汽车应用将是未来十年成长最快的市场。

Sumit Sadana引用研究机构报告称，今年全球半导体产业将同比增长12％，达到5021亿美元，高于全球GDP仅5％左右的成长率，但今年全球内存产业的成长幅度将高达19％，市场规模达到1460亿美元，并对DRAM及NAND Flash市场前景抱持乐观看法。

Sumit Sadana认为新冠肺炎疫情加速了数字转型，过去可能需要3～4年才会发展的科技，现在可能只要1至2年的时间。由需求面来看，像是居家上班、远距教学、电子商务等需求，带动了个人计算机、网通设备等出货，亦同步拉动内存的需求。

关于美光今年投资计划及资本支出，Sumit Sadana表示，资本支出将会因应市场与客户的需求，预估今年DRAM位需求年成长率将达15％以上，NAND Flash的位需求年成长率将达到30％，而资本支出方面，美光今年有一部分将扩增无尘室设备，后段封测产能也会进行投资。

Sumit Sadana称，目前有一些科技的趋势正在改写整个汽车行业，比如说电动车的成长非常快速，接下来五到十年电动车的成长可能会远远超出目前大家的预期。“就像苹果颠覆了手机，特斯拉颠覆了汽车，科技的发展趋势正在改写汽车行业，我们认为电动车的成长可能会超出预期。”他表示。

Sumit Sadana相信，未来汽车搭载的信息娱乐系统，辅助驾驶功能将愈加先进，大部分由电脑控制，因此需要更多的传感器和处理能力，因此也有更多存储的需求。基于汽车需求，DRAM或者是NAND芯片的采用将上升，应用规模将达到现有数倍。

本周二，美光宣布其DRAM厂已开始量产采用全球最先进制程技术1α（10nm）生产的DRAM产品，据称采用1α工艺的DRAM更为节能、可靠。首批产品是为着重运算需求之客户提供DDR4、以及消费级DRAM产品。此外，美光LPDDR4也已开始向行动客户送样和进行验证，将于今年持续推出使用此制程技术的其他新品。

初识NAND Flash

一、存储器分类

分类

二、NAND Flash

NAND Flash全名为Flash Memory，属于非易失性存储设备(Non-volatile Memory Device)。 基于浮栅(Floating Gate)晶体管设计，通过浮栅来锁存电荷， 由于浮栅是电隔离的，所以即使在去除电压之后，到达栅极的电子也会被捕获，以实现“0”和“1”状态。

NAND闪存颗粒根据存储原理分为SLC、MLC、TLC和QLC四类，分别是：

1、SLC（英文全称(Single-Level Cell——SLC)即单层式储存

2、MLC（英文全称Multi-Level Cell——MLC)即多层式储存

3、TLC（英文全称Trinary-Level Cell）即三层式储存

4、QLC（英文全称Quadruple-Level Cell）四层存储单元

类型对比

NAND Flash六大厂家：三星(Samsung)、美光（Micron）、SK海力士（Hynix）、闪迪（Sandisk）、铠侠（原Toshiba）、Intel

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