想要支持纯国产存储产品，这份清单可要记好了

中国是世界最大芯片市场，国产芯片的市占率却非常低。在最近这几年中国芯片产业的发展得到了重视，开始全面奋起直追。在存储器领域，去年底去年底长鑫存储和长江存储分别量产了国产的DDR4内存颗粒和3D NAND闪存颗粒，今年采用这些颗粒的产品大量出现在了市场上。如果你想要支持中国芯产品，那么这份产品清单可要记好了。

中国芯内存：全面爆发

提起中国芯内存颗粒，大家肯定马上想到长鑫存储。其2016年5月在安徽合肥启动，专门从事DRAM内存的研发、生产和销售。2019年9月，成功量产10nm级（10nm~19nm）DDR4内存颗粒。目前长鑫存储的19nm晶圆芯片的产能为2万片/月，不过到了年底有望实现产能翻倍，达到4万片/每月。

长鑫存储的DDR4内存颗粒开始出货之后，得到了厂商的积极响应，多个品牌均推出了采用长鑫存储DDR4内存颗粒的产品。这些国产芯内存的整体竞争力不错，DDR4 3000 8GB版大约在210元左右，DDR4 3000 16GB版为400元出头，DDR4 2666 8GB笔记本内存为220元左右，DDR4 2666 16GB笔记本内存430元不到，并不会比采用外国颗粒的产品贵，性能、稳定性、兼容性都还不错。

目前采用长鑫存储内存颗粒的就以上光威的奕Pro、玖合盛世、七彩虹战戟、金泰克骁帅以及精亿这五个系列。威刚虽然在今年5月底宣布将在中国市场上推出采用长鑫存储DDR4内存颗粒的台式机内存和笔记本内存，但目前产品还未上市。

其实除了大名鼎鼎的长鑫存储之外，紫光旗下的紫光国芯也有国产的DDR4内存颗粒。只是紫光国芯并未披露这些DDR4内存颗粒的详细信息，所以知道的人不多。可能正式因为这个原因，紫光国芯的国产内存上市之后，很多人都怀疑其采用的是购买国外晶圆重新封装的内存颗粒。不过根据紫光国芯旗舰店客服的说法，目前紫光DDR4 2400的颗粒是由紫光自己生产的，而DDR4 2666的颗粒则来自于SK海力士，客服表示在未来还是会替换成紫光自家的颗粒。

中国芯SSD：有NVMe M.2 SSD才完美

长江存储在去年9月底正式量产64层3D NAND TLC闪存颗粒之后，又在今年4月宣布量产了128层QLC闪存颗粒，并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。

目前已经上市的中国芯SSD中，全部都是2.5英寸的产品，采用了联芸科技MSA090X系列主控+长江存储64层堆叠3D TLC闪存颗粒的配置。包括了光威弈Pro SSD（240GB、256GB、512GB、1TB分别要229元、259元、469元、899元，三年质保）、金泰克C320（128GB、256GB分别为145元和205元）等产品都已经陆续开卖。

可能大家已经发现了目前已经上市的中国芯SSD都是2.5英寸产品，性能上顺序读写性能也就在500+MB/s，就SSD而言，性能并不算强悍。而拥有更强性能的NVMe SSD才是市场的未来，所以很多玩家都在盼望着国产NVMe SSD何时能出来。

好消息是可能大家不用等太久。光威就宣布定位更高端、性能更强悍的弈系列NVMe SSD、弈Pro系列NVMe SSD就要来了，没意外的话，这将成为性能最强的纯国产SSD了。

在配置上，弈系列NVMe SSD肯定会采用长江存储3D NAND，主控芯片采用的是英韧IG5208或者IG5216主控。光威弈Pro NVMe SSD的闪存也是长江存储3D NAND，主控则换成同样国产的忆芯方案，带有独立缓存。

至于性能、价格等信息目前光威并未披露，我们自然也不得而知，希望其在性能和价格上有竞争力。

往期内容推荐

升级SSD的最佳时机到了吗？

QLC闪存已占美光出货量一成份额

PC内存新一轮降价或将来袭

·END·

国产骄傲！长江存储芯片，存储密度远超三星、SK海力士、美光

众所周知，在存储芯片领域，不管是在DRAM内存，还是在NAND闪存上，三星、SK海力士、美光都是当之无愧的巨头，三家掌握着市场。

当然国产存储也是在奋起直追，比如长鑫存储主攻DRAM内存，目前也推出了DDR4颗粒，而长江存储已经推出了128层的闪存，基本上也追上了三星、SK海力士、美光的水平。

而近日，有机构拆解了长江存储的一款128层TLC 3D闪存，发现其存储密度达到了目前业界最高的8.48 Gb/mm²，远高于三星、美光、SK海力士等一线NAND芯片大厂。

拆解的设备是Asgard（阿斯加特）的PCIe4.0 NVMe1.4 AN4 1TB SSD，采用的是长江存储512Gb 128层Xtacking 2.0 TLC闪存，其die尺寸（晶圆大小）为 60.42 mm²，折算下来存储密度达到了8.48 Gb/mm²。

为何长江存储的存储密度这么高，这与长江存储的Xtacking架构有关，像三星等厂商的传统3D NAND架构中，相当于平面型结构，其中外围电路约占芯片面积的20~30%，这样面积大，存储密度就低了。

但Xtacking技术则是将外围电路置于存储单元之上，相当于是立体结构了，类似于双层的，所以面积更小，折算下来存储密度就高了。

存储密度高，有什么用？我们知道存储芯片也是由晶圆制造出来的，一块晶圆能够制造多少块存储芯片，要看存储芯片的面积大小，面积大，那么切割出来的芯片就少，面积小，切割出来的芯片就多。

存储密度高，那么芯片的面积就变小了，那么一块晶圆能够切出来的芯片就变多了，这会有两个好处，一是成本降低了，这个比较容易理解，二是生产效率更高了，因为处理好同样一块晶圆，可以得到更多的存储芯片了。

据媒体报道称，长江存储正在研发192层的3D NAND闪存芯片，再结合Xtacking架构，有望在3D NAND技术上进一步取得领先。

相关问答

讨论长江存储量产64层3DNAND内存的意义之前,我们先要看一下什么是NAND闪存及为什么它很重要。1.需求分析现有的大部分非易失性存储器,像我们平时用的U盘,手...

周末有消息报道称长江存储购买的光刻机已经运抵武汉,售价高达7200万美元(约合4.6亿),可用于生产14-20nm工艺晶圆。与中芯国际的EUV光刻机不同,长江存储购买...

国产DRAM内存相比三星差距有多大?能替代三星的内存吗?举报国产DRAM内存相比三星差距有多大?能替代三星的内存吗?内存三星1人讨论770次围观关注问题写回...

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇...

尚不确定。因为国产显卡的上市时间受到多方面影响,包括技术、生产和市场等因素,目前尚无确定的时间表。但可以肯定的是,中国正在加快自主研发和生产显卡的步伐...

NANDflash和NORflash的区别一、NANDflash和NORflash的性能比较flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的....

[回答]港行n96价格是2900元,上市日期:2008年09月操作系统:SymbianOS9.3操作系统,手机类型:智能手机;音乐手机;拍照机身内存16GB用户内存,256MBNA...

三星电子刚刚宣布,其已开始生产业界首批100层V-NAND闪存,并计划在企业级PCSSD上采用。这家韩国科技巨头称,基于256Gb3-bitV-NAND闪存的SSD,已开.....

nandflash和norflash的区别如下:1、开发的公司不同:NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute...

NAND是闪存芯片,掉电后数据不会消失DRAM用于内存,掉电后数据会丢失,速度快NAND是闪存芯片,掉电后数据不会消失DRAM用于内存,掉电后数据会丢失,速度快