任天堂Switch 2或采用三星第5代V-NAND

任天堂 Switch 2 可能会使用三星第五代 V-NAND，从最近的一些研究结果来看，这将是相比其前代产品的一大进步。据Doctre81在 YouTube 上分享的一段新视频中报道，一位在该公司任职至 2019 年的前三星电子设备解决方案部门高级总监的 LinkedIn 页面上列出了他的主要资历和职责，其中包括领导开发了一款用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备。

在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡带的 NAND 闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相符，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。

任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。

关于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 和光线重构等功能。

任天堂原版Switch或将更新！芯片、内存都将有变化

锤了这么久的新掌机终于在昨天实锤，任天堂昨天公布了新掌机“Switch Lite”之后不少玩家已经开始蠢蠢欲动，管不住自己的钱包了。同时根据外媒“The Verge”的报道，任天堂还向美国联邦通信委员会提交了申请，更换ID为BKEHAC001的设备，即原版Switch中的SoC和NAND内存。

这里的“SoC”就是指的Switch的系统芯片，也就是英伟达提供的Tegra处理器，包含了CPU与GPU，而“NAND内存”则是指的NAND闪存，通常用于固态硬盘或者各种机身存储中。同时申请中也提到了由于上述的两个改变，CPU主板也会有所变化。

我们现在并不知道这样的改变意味着什么，不过之前CNET报道称，任天堂美国总裁Bowser表示原版Switch不会立刻获得升级，因此Lite会是任天堂今年圣诞节前推出的唯一新硬件。

因此这个升级有可能是芯片制程升级，会带来更好的散热和续航表现，但同样有可能只是改进工艺，以更方便生产和节约成本而已。

不知道大家会在“Switch Lite”发售之后购买这款新的任天堂掌机吗？

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