nand颗粒封装厂 IPO重启，浙大校友芯片企业打头阵！三年收入20亿，背靠海康-资讯-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand颗粒封装厂 IPO重启，浙大校友芯片企业打头阵！三年收入20亿，背靠海康

发布时间 : 2024-10-10

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

IPO重启，浙大校友芯片企业打头阵！三年收入20亿，背靠海康

国产存储芯片企业联芸科技三年营收超20亿，拟募资15亿。

作者 | 程茜

编辑 | Panken

芯东西6月7日报道，今年新“国九条”出台后，科创板第一家过会且迄今唯一一家过会的公司，是一家浙江半导体公司！

5月31日，联芸科技（杭州）股份有限公司（简称“联芸科技”）在科创板成功过会 。从过会到提交注册 ，联芸科技仅用时3天，于6月3日公开注册稿。

联芸科技成立于2014年，主要提供数据存储主控芯片、AIoT信号处理及传输芯片，2023年其营收突破10亿元 ，近三年营收复合增长率超过30%。国内“安防龙头”海康威视为联芸科技第二大股东 ，并拥有董事会层面的一票否决权。

该公司已先后推出了近十款具有竞争力的固态硬盘主控芯片产品，实现了从SATA到PCIe固态硬盘主控芯片的完整布局，产品覆盖消费级、工业级、企业级固态硬盘主控芯片。根据招股书，2023年全球独立SSD主控芯片厂商中，联芸科技出货量全球排名第二 ，占比达到22%。

目前，其数据存储主控芯片出货量累计接近9000万颗 ，AIoT信号处理及传输芯片实现量产应用 ，累计形成数亿元营收 。该公司已量产的芯片达到15款 。

值得一提的是，联芸科技高度依赖晶圆供应商台积电 ，2021年-2023年，其向台积电采购比例均超过总数的50%。

此次IPO，联芸科技拟募资15.2亿元 ，投资于新一代数据存储主控芯片系列产品研发与产业化项目、AIoT信号处理及传输芯片研发与产业化项目、联云科技数据管理芯片产业化基地项目 。

01.

三年营收超20亿元

去年扭亏为盈

联芸科技主要布局的两大领域是数据存储主控芯片、AIoT信号处理及传输芯片，主要营收也来自于这两大领域的芯片产品和技术服务。

2021-2023年间，该公司的营收分别为5.79亿元、5.73亿元、10.34亿元 ，年均复合增长率达到33.65%。净利润为4512.39万元、-7916万元、5222.96万元 。

招股书提到，联芸科技在2022年的业绩波动主要受营业收入变化和研发费用持续增加 等因素影响。联芸科技2022年的研发投入为2.53亿元，在营收与2021年相差无几的情况下增加了近1亿元投入。

三年间，该公司的研发投入分别为1.55亿元、2.53亿元、3.8亿元 ，占营收的比例为26.74%、44.1%、36.73%。

联芸科技的主营业务中，2021年-2023年芯片产品收入分别为5.7亿元、5.53亿元、8.78亿元 ，占主营业务收入的比例为100.00%、100.00%和86.41%。技术服务收入前两年营收为0，2023年营收1.38亿元 占营收的13.59%，主要由于前两年期项目执行尚未交付，2023年6月项目完成验收。

联芸科技主营业务以境内销售为主，2023年境外收入增加主要与佰维（香港）采购MAP160X系列产品相关。

该公司的主营业务毛利率分别为36.07%、38.71%和45.29% ，与同行业可比公司相比，2021年、2022年，联芸科技的平均综合毛利率相对较低，主要因为部分企业在经营规模和市场竞争力有一定优势，以及部分企业的产品和应用领域不同，所以综合毛利率存在差异。2023年毛利率增高是因为高毛利率产品PCIe SSD主控芯片MAP120X系列和MAP160X系列营收增长。

值得一提的是，政府补助占联芸科技营收比例相对较高，2021年、2022年、2023年分别达到6.77%、2.98%、3.17%，金额为3919.72万元、1706.92万元和3280.97万元。如果未来政府对集成电路行业和研发创新的支持力度减弱，政府补助减少可能对该公司的经营业绩产生一定影响。

02.

10年布局两大领域

已量产芯片15款

2014年成立至今，联芸科技就瞄准了数据存储主控芯片领域，彼时，3D NAND技术迸发出商业化潜力，看到这一技术窗口以及未来固态存储市场的增长机遇，联芸科技开始了产品布局。

成立三年后，该公司推出了首款自研的SATA接口SSD主控芯片产品MAS090X系列 ，这一系列产品可适配全球主流NAND闪存颗粒。

联芸科技在SSD主控芯片上不断深耕，2019年推出首款PCIe接口SSD主控芯片MAP100X系列 ，实现SSD主控芯片品类全覆盖，全面覆盖消费级、工业级和企业级固态硬盘应用场景。

目前，其数据存储主控芯片主要包括固态硬盘主控芯片、嵌入式存储芯片，主要应用于消费电子、服务器、工业控制等领域，固态硬盘主控芯片已经在客户E、江波龙、长江存储、威刚、宇瞻、宜鼎、佰维、金泰克、时创意、金胜维 等客户中获得规模化量产应用。

▲SATA、PCIe接口固态硬盘内部构造图

第二大业务布局就是AIoT信号处理及传输芯片 ，2017年联芸科技开始进入感知信号处理芯片领域，2021年成功量产首款千兆以太网PHY芯片。

截至目前，其AIoT信号处理及传输芯片可应用于交通出行、工业物联网、智慧办公等领域，这类芯片也是AIoT设备的核心之一，联芸科技量产的感知信号处理芯片和有线通信芯片，能搭载于摄像机、智能网关、机顶盒等设备上，实现数据信号处理与传输功能。

▲AIoT终端设备的内部结构

该公司首款AIoT信号处理及传输芯片于2021年开始批量出货，目前量产芯片共5款。还有多款芯片正处于研发阶段，计划在2-3年内逐步量产。

联芸科技的已量产、在研芯片数量如下图所示：

从芯片产品的销售数量上看，其芯片销售数量合计在2021年-2023年分别为3534.15万颗、3362.19万颗及4400.03万颗 ，复合增长率为11.58%。2023年度数据存储主控芯片产销率达到114.13%，固态硬盘为109.84%，AIoT信号处理及传输芯片为120.11%。

除了芯片产品外，联芸科技会结合客户需求，提供中后端、芯片、软件工具、硬件参考、解决方案等方面的开发服务。

03.

核心技术营收占比98.3%营收

研发人员超500人

目前，联芸科技已构建起SoC芯片架构设计、算法设计、数字IP设计、模拟IP设计、中后端设计、封测设计、系统方案开发等全流程的芯片研发及产业化平台。

在专利方面，其拥有24项核心技术、71项已授权专利、109项正在申请中的专利、25项集成电路布图设计和41项计算机软件著作权。2023年，核心技术占总收入的比例为98.3% 。

从研发人员数量来看，联芸科技的研发人员数量达到527人，占总员工比例为83.78% 。其中核心技术人员有6位，分别是许伟、王英、陈军、王琛銮、陈正亮和朱建银，除许伟毕业于复旦大学外，其余五人均毕业于浙江大学。

王英、陈军、王琛銮曾在三星半导体研究所任职。

04.

客户供应商集中

2023年向台积电采购占比超60%

联芸科技的主要销售模式是“直销为主、经销为辅”。一方面，该公司直接向终端设备厂商、模组品牌厂商等客户销售芯片产品，另一方面，经销商向该公司采购芯片后销售给终端设备厂商或模组品牌厂商。

联芸科技的前五大客户销售金额为4.39亿元、4.36亿元、7.56亿元，占销售总额比例为75.91%、76.11%、73.12%，客户较为集中。且三年间第一大客户均为客户E及其关联方 ，销售金额占比达到38.44%、37.57%、30.73%。

该公司采购的原材料主要包括晶圆、封装测试服务、NAND闪存颗粒，前五大供应商采购金额达到4.71亿元、4.82亿元、3.65亿元，占比为85.29%、92.1%、93.3%。

其中，联芸科技的晶圆供应商台积电也是其第一大供应商 ，向台积电采购的金额占当年采购总额的比例分别为55.77%、61.20%、63.62%。

05.

实控人合计持股45.22%

海康威视拥有一票否决权

招股书显示，联芸科技的实际控制人为董事长方小玲，无控股股东。

方小玲直接持有联芸科技8.41% 股份，通过其控制的持股平台弘菱投资、同进投资、芯享投资合计控制45.22%的股份。其中，弘菱投资、同进投资、芯享投资的执行事务合伙人均为聆奇科技，聆奇科技是方小玲的个人独资公司。

方小玲出生于1963年，1984年和1987年毕业于浙江大学科仪系，分别获得学士和硕士学位。1995年博士毕业于美国犹他大学电子工程系，1995年至2001年在Sonic Innovations担任主任工程师；2001年至2016年，共同创办JMicron并担任JMicron USA总经理。

此外，持有联芸科技5%股份的股东还包括弘菱投资（24.28%）、海康威视（22.43%）、海康科技（14.95%）、同进投资（8.41%） 。

海康威视和海康科技是联芸科技的两名国有股东，海康威视享有董事会层面的一票否决权 。

联芸科技的董事会由7名董事组成，包括孙玲玲、娄贺统、朱欣三名独立董事。报告期内，联芸科技董事、监事、高级管理人员及核心技术人员的薪酬总额分别占其各期利润总额的比重为18.9%、-12.91%、20.69%。

联芸科技董事、监事、高级管理人员及核心技术人员2023年薪酬如下：

06.

结语：数据存储主控芯片市场机遇期已来

国产玩家需持续加大研发投入

当下，受益于PC、服务器、手机等下游需求驱动，数据存储芯片市场规模快速扩张，在AI、智能汽车等领域的驱动下未来存储需求将步入下一轮成长周期，这也将带动数据存储主控芯片市场规模的进一步增长。

但随着主控芯片接口速度、NAND闪存颗粒、工艺制程的演进等，SSD对主控芯片的要求不断提高，使得联芸科技等厂商在新一代主控芯片的技术突破上研发难度激增。因此，作为芯片设计企业，联芸科技必须持续进行大量研发投入才能保证技术领先、实现芯片商业化，才能进一步提升在国内外市场的竞争力。

Nand Flash主要厂商及其产品

根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange统计数据：

电子发烧友对目前市场主要的Nand Flash厂商及其产品进行梳理，以下是具体内容：

三星

1、三星SSD 980 PRO

三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980 PRO， 980 PRO采用三星1XX层 TLC NAND闪存，以及容量分别为512MB和1GB的DRAM缓存，通过内部设计，可充分发挥PCIe Gen4的潜力。数据显示，三星SSD 980 PRO顺序读取速度最高可达7000MB/s，顺序写入速度最高可达5000MB/s。

2、870 QVO SATA SSD

三星推出了其第二代QLC闪存驱动器870 QVO SATA SSD， 870 QVO分别提供同类最佳的顺序读取和写入速度，分别高达560 MB/s和530 MB/s，借助该驱动器的Intelligent TurboWrite技术，它可以使用大型可变SLC缓冲器保持最高性能

3、eUFS 3.1

三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。

三星eUFS 3.1连续写入速度超过1,200MB/s，是基于SATA SSD (540MB/s)的两倍以上，是UHS-I microSD卡（90MB/s）的十倍以上。

KIOXIA

1、第六代企业SAS SSD

随着其第六代企业SAS SSD系列的推出，专为现代IT基础设施设计的24G SAS将其上一代的数据吞吐率提高了一倍，同时搭载了新功能和增强功能，以达到新的应用性能水平。

PM6系列采用铠侠的96层BiCS FLASH 3D TLC闪存，可提供业界领先的高达4,300MB/s（4,101MiB/s）的SAS SSD顺序读取性能，比上一代提高了2倍以上。铠侠的新驱动器容量高达30.72TB，使其成为业界容量最高的2.5英寸SAS SSD。

2、BiCS FLASH

铠侠开发具有112层垂直堆叠结构的第五代BiCS FLASH™三维(3D)闪存。新产品具有512 Gb（64千兆字节）容量并采用TLC技术。

铠侠创新的112层堆叠工艺技术与先进的电路和制造工艺技术相结合，与96层堆叠工艺相比，将存储单元阵列密度提高约20%。因此，每片硅晶圆可以制造的存储容量更高，从而也降低了每位的成本（Bit-cost）。此外，它将接口速度提高50%，并提供更高的写性能和更短的读取延迟。

西部数据

1、SN550 NVMe SSD

Western Digital设计的控件和固件搭配最新的 3D NAND，可始终如一地提供优化的性能。

2、iNAND MC EU521

西部数据宣布率先基于UFS 3.1规范协议推出iNAND MC EU521嵌入式闪存产品，新增多项功能，并进一步提高速度、容量、降低功耗，再加上11.5x13x1.0mm小型封装尺寸。西部数据表示，iNAND MC EU521将在3月份上市，采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

美光

美光的下一代 M500 固态硬盘采用 Micron 20 nm MLC NAND 闪存、SATA 6 Gb/s 接口，具有行业标准 512 字节分区支持功能、热插拔功能以及功耗极低的器件休眠模式，并满足 ATA-8 ACS2 指令集规范要求。

SK海力士

Intel 突然宣布以 90 亿美元（约 601 亿）的价格将旗下的 NAND 闪存业务出售给了 SK 海力士，后者有可能成长为新的全球第二大闪存公司，SK海力士推出Gold P31系列SSD新品，是全球首个基于128层NAND闪存的消费者SSD。Gold P31采用的是128层TLC，PCIe NVMe Gen3接口，读取速度最高达3500MB/s，写入速度最高达3200MB/s，以满足长时间游戏的游戏玩家以及对性能和稳定性有较高要求的专业创作者和设计师。

英特尔

Intel基于144层3D QLC闪存Arbordale Plus，容量将比Intel目前的96层产品提升50%。

长江存储

128层QLC 3D NAND闪存芯片X2-6070研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储表示，X2-6070是业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存，拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

每颗X2-6070 QLC闪存芯片共提供1.33Tb的存储容量。而在I/O读写性能方面，X2-6070及X2-9060均可在1.2V Vccq电压下实现1.6Gbps（Gigabits/s千兆位/秒）的数据传输速率。

旺宏

Macronix在2020年下半年生产48层3D NAND存储器。公司计划在2021年和2022年分别推出96层3D NAND和192层3D NAND。目前，该公司用于制造NAND的最先进技术是自2019年2月开始使用的19纳米平面技术，这款NAND Flash的第一个客户将是任天堂。

华邦

1、QspiNAND Flash

华邦提供了一系列相容于SPI NOR接口的QspiNAND产品，华邦的QspiNAND系列产品内建了ECC的功能，而且也能提供了连续好”块”的QspiNAND，这些都能让使用者并不需要额外的控制器。

2、OctalNAND Flash

全球首款采用x8 Octal接口的NAND Flash—华邦OctalNAND Flash产品可望提供车用电子与工业制造商高容量的储存内存产品，华邦电子首款采用全新接口的NAND产品，1Gb W35N01JW，连续读取速度最高可达每秒240MB， W35N-JW OctalNAND Flash采用华邦通过验证的46nm SLC NAND制程，提供卓越的数据完整性，且数据保存期更可达10年以上。此产品写入／抹除次数(Program/Erase Cycle)可达10万次以上，可符合关键任务型车用与工业应用所需的高耐用性与高可靠性。

兆易创新

GD5F4GM5系列采用串行SPI接口，引脚少、封装尺寸小，相比于上一代NAND产品，大大提升了读写速度，最高时钟频率达到120MHz，数据吞吐量可达480Mbit/s，支持1.8V/3.3V供电电压，能够满足客户对不同供电电压的需求；同时提供WSON8、TFBGA24等多种封装选择。

北京紫光存储

北京紫光存储Raw NAND颗粒是符合业界标准的闪存产品，适用于各类固态存储解决方案。Raw NAND颗粒需要搭配闪存控制器使用。全系采用业界领先的3D TLC闪存芯片。支持ONFI 4.0，最高读写支持667MT/s。采用业界领先的3D TLC闪存芯片，相比2D闪存芯片单位面积下容量大幅提升。

北京君正

公司Flash产品线包括了目前全球主流的NOR FLASH存储芯片和NAND FLASH存储芯片，其中NAND FLASH存储芯片主攻1G-4G大容量规格。

ISSI 系一家原纳斯达克上市公司，于 2015年末被北京矽成以7.8亿美元私有化收购，之后北京君完成对北京矽成100%股权收购。ISSI Introduces SLC NAND高性能4Gb SLC NAND主要用于嵌入式市场，能够满足工业、医疗，主干通讯和车规等级产品的要求，具备在极端环境下稳定工作、节能降耗等特点。

东芯

东芯串行NAND Flash产品为单颗粒芯片设计的串行通信方案，引脚少和封装尺寸小，且在同一颗粒上集成了存储阵列和控制器，带有内部ECC模块。使其在满足数据传输效率的同时，既节约了空间，提升了稳定性，也让其在成本上也极具竞争力，且提升了性价比。产品分为3.3V/1.8V两种电压，不仅能满足常规对功耗不敏感的有源器件，也使其在目前日益普及的移动互联网及物联网设备中，有足够的发挥空间。产品拥有多种封装，可更灵活的满足很多应用场景，比如常规的光猫，路由器，网络摄像监控，物联网及智能音箱等。

IPO重启，浙大校友芯片企业打头阵！三年收入20亿，背靠海康

Nand Flash主要厂商及其产品

关于我们

产品中心

服务与支持