2021年NAND Flash市场竞争加剧（附供应商技术路线图）

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，中国闪存（NAND Flash）厂商长江存储(YMTC)已在第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商，目标第三季进入投片、年底前量产，拟用于UFS、SSD等各类终端产品，并同时出货给模组厂。考量客户导入时程，预估长江存储新产品可能率先影响第四季晶圆（Wafer）市场合约价，并自2021年起对消费级固态硬盘（Client SSD）、eMMC/UFS等市场供给产生实质贡献，在供给增加的情况下，价格下跌的可能性也将提高。

集邦咨询表示，受到疫情影响，智能手机及笔记本电脑等终端需求将受到不小冲击，并对NAND Flash主流供应商获利能力造成影响，抑制未来持续扩产的幅度。相较之下，长江存储目前在各类应用的市占规模仍小，因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与OEM进行64层TLC的相关产品导入及提升良率，并赶在今年内送交128层产品样品，将同时包含TLC以及QLC产品，以扩大客户基础。

3D NAND堆栈难度渐增，有利长江存储缩小差距

随着3D NAND Flash堆栈达到90层以上，主要供应商在更高层数蚀刻及堆栈技术的发展难度逐渐增加。

观察各供应商的技术路线图，在1XX层的产品世代已有分歧：尽管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128层产品，但铠侠/西数(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特尔(Intel)的112/128/144层产品要到下半年才会放量，相比前几代3D NAND产品的发展进程来得更久，有利于长江存储的128层产品迎头赶上。

除此之外，2019年NAND Flash的价格平均跌幅达46%，导致主要供应商陷入亏损，资本支出因而转为保守，产出增长规划亦创下历史新低，这也让长江存储有了拉近差距的机会。

2021年长江存储产能预估占整体NAND Flash约8%

身为新进供应商的长江存储目前拥有武汉厂，今年目标是成都厂开始投产，并逐步完成武汉厂区剩余二座厂房的兴建与扩产。除了扩张规划积极，长江存储也是国家大基金的重点扶植厂商，可以预期NAND Flash市场竞争将更为严峻，长期价格面临持续走跌的压力。

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封面图片来源：拍信网

2022年全球NAND闪存存储容量及竞争格局预测分析

中商情报网讯：Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。

存储容量

随着NAND Flash存储原厂的产品生产工艺不断更新发展，存储晶圆工艺制程、电子单元密度、产品堆叠层数等经历了较大的技术更新，市场存储密度的供给呈现出较快的增长速度。全球NAND Flash存储容量一直保持增长，从2017年的1620亿GB增长至2020年的5300亿GB，年均复合增长率达35.38%，预计2022年将达6110亿GB

数据来源：中商产业研究院整理

竞争格局

NAND Flash 全球市场高度集中，根据 Omdia （IHS Markit）数据，2020 年全球 NAND Flash 市场规模为 571.95 亿美元，由三星电子、铠侠、西部数据、美光科技、SK 海力士、英特尔六家公司主导。其中，三星电子全球市场份额约 34%，占比最多。铠侠、西部数据、美光科技、SK 海力士、英特尔、长江存储占比分别为19%、14%、11%、11%、9%、1%。SK 海力士收购英特尔 NAND Flash 业务已于 2021 年获得主要市场监管当局批准，全球 NAND Flash 市场将进一步集中。

更多资料请参考中商产业研究院发布的《中国存储器 行业 市场前景及投资机会研究报告》,同时中商产业研究院还提供产业大数据、产业情报、产业研究报告、产业规划、园区规划、十四五规划、产业招商引资等服务。

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