长江存储、三星、SK海力士、美光、铠侠 3D NAND垂直单元效率比较

来源：techinsights

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当谈到3D NAND单元效率时，垂直单元效率（VCE）在NAND单元工艺、设计、集成和器件操作中尤为重要。随着堆叠总门数的增加，单元的VC孔高度也随之增加。为了减少VC高度和长宽比，其中一种方法是通过减少虚拟门、通道门和选择门的数量来提高垂直单元效率。垂直单元效率可以定义为总门数中有效单元的百分比，这意味着它可以通过有效WL数除以集成总门数来计算。

例如，一个NAND串由有效WL、通道WL（虚拟WL）和选择器（源端和漏端）组成。如果它有96个有效WL和115个总门数，那么垂直单元效率为83.5%，可以通过96除以115得到。垂直单元效率越高，对于工艺集成、较低的长宽比和较低的吞吐量越有利。

3D NAND垂直单元效率趋势：三星、SK hynix/Solidigm、美光、铠侠/西数、长江存储

三星在每一代产品中都有最高的VCE。例如，128L的单层结构VCE为94.1%，176L的COP V-NAND为92.1%，236L的第二代COP V-NAND为94.8%。

SK hynix 238L有259个总门数，VCE为91.9%，仍低于三星的236L。

长江存储232L Xtacking3的VCE为91.7%，位居第三。

美光232L为91%。

铠侠162L的VCE稍低，为88%。

长江存储交付192层NAND芯片？5年时间，国产就追上三星、美光了

近日，外媒报道称，国产存储芯片大厂长江存储已经向客户交付了自主研发的192层的3D NAND闪存，在今年年底前将会大规模交付。

我们再结合前段时间的消息，那就是长江存储推出了UFS3.1规格的通用闪存芯片—UC023。

这两则消息一结合，意味着国产存储芯片，真正追上全球顶尖大厂三星、美光、SK海力士了。

要知道目前NAND闪存最高规格也就是UFS3.1，至于UFS4.0，三星都还只提出个概念，没有量产交付，预计是年底甚至更晚

而3D NAND闪存当前最高量产层数，也就是192层，美光两早两天推出了232层，但也没有规模量产，预订要到年底或更晚才会量产交付。

而我们一旦搞定UFS3.1，再搞定192层NAND闪存，就证明国产NAND存储芯片，就达到了世界顶尖水平。

长江存储是2016年7月份成立的，至今也就5年多时间，但直到2017年才研发出第一代32层的NAND存储产品。

到2019年，长江存储推出了64层TLC技术，当时三星、美光等厂商，已经推出了128层的NAND闪存。

后来长江存储推出了一个自研的Xtacking技术，然后跳过了96层这个阶段，直接从64层堆叠，在2021全面进入到128层堆叠。

不仅如此，采用Xtacking技术后，长江存储的128层堆叠的NAND闪存，在容量、位密度和I/O速度方面实现了行业领先的新标准，性能甚至略胜一筹。

不过三星、美光在2021年已经能够推出192层堆叠的NAND闪存了，总体来讲，还是落后一代，而层数越高，密度越大，成本就越低。

如今长江存储迈入192层，也就意味着国闪的NAND闪存，正式与三星、美光、SK海力士们是处于同一水准了。

按照机构的数据，2021年，长江存储的NAND闪存产品在全球的市场份额约为4%，预计到再到2022年预计的7%。

可见，仅仅5年多时间，国产内存就从0起步，真正追上了国际顶级大厂，以后再也不用担心在内存芯片上被卡脖子了， 因为我们不仅有，一样全球领先。

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