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升级nand 笔记本电脑M2固态硬盘升级记，避免走SATA通道，要走高速NVMe通道

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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笔记本电脑M2固态硬盘升级记，避免走SATA通道，要走高速NVMe通道

现在的拍摄变得越来越简单，生活中很多设备都可以实现，例如手机、微单单反相机、运动相机、无人机等等，在拍摄变得简单的同时这些设备的画质也变得越来越清晰，一些微单相机都已经进入到约6100万像素时代，单张JPEG格式的照片就达到了60多MB，如果是RAW格式的话更大，拍摄出来短短几分钟的4K高清视频更是达到了GB起步的容量大小，对于摄影爱好者来说，必须准备大容量的存储设备来保存才行。日常我都会在电脑上使用Lightroom和Photoshop处理我拍摄的照片，经常会把硬盘空间塞满，因为我的电脑标配只有512GB硬盘空间，最近硬盘又提示空间不足了，不得不考虑如何提升笔记本存储空间。

起初我考虑是的使用移动硬盘来解决，但是经常需要外出携带笔记本电脑，为了轻装出行就作罢。直接考虑升级笔记本的硬盘，刚好我用的LG gram笔记本电脑支持M.2 2280固态硬盘升级，内置有M.2插槽，M.2插槽支持PCI-E 16x4（全速）模式。当下主流的固态硬盘已经不是SATA SSD，而是性能更好的PCI-E 标准 NVMe SSD，我使用的存储设备一直都是西部数据产品为主，主要是它对于存储设备的研发和技术革新都在一直不断进步，在制造工艺和技术上都有很深的造诣，另外就是质量方面都很可靠，我用很多年的西部数据硬盘都没有出现一块爆盘的。对于摄影爱好者的我来说，强劲读写速度又具有性价比，以此来提升我的工作效率，并且也要保住稳定靠谱，最终我给笔记本电脑升级选择了：1TB容量的WD Blue SN550 NVMe SSD。

WD Blue SN550的包装设计采用了蓝白色调，正面是这款NVMe SSD的渲染图，这次分享的是1TB版本，在右下角标注了这块硬盘的容量，同时可以看见支持5年质保和使用了96层3D TLC NAND。左上角则是这款NVMe SSD的型号：WD Blue SN550，熟悉西数的小伙伴们就知道是通过它们的产品链是根据不同颜色来划分性能与用途的，例如WD Black黑盘的高性能是针对游戏高端玩家更趋向于性能突显；WD Red红盘的稳定支持7*24小时，多盘位设计，高可靠性，震动优化，是专为NAS网络存储优化而设；WD Blue蓝盘主打高性价比和稳定耐用适合多数用户选择。在包装左下角标注了它的性能表现：2400MB/s的顺序读取速度，相比SATA SSD的速度提升了大约四倍之多，对我使用Lightroom和Photoshop处理照片肯定有很大体验变化。

包装的背面设计了小视窗开口，可以直接看见WD Blue SN550的铭牌贴信息。

WD Blue SN550是标准M.2 2280大小尺寸，也是目前常见的尺寸大小，不管是台式机还是笔记本电脑都通用的，它使用了PCIe 3.0 X4接口，支持NVMe协议。它并没有预装散热马甲，如果预装了散热马甲可能一些高端主板自带散热片或者笔记本电脑就可能无法正常安装。WD Blue SN550采用自家的自研主控解决方案+96层3D TLC NAND，NAND颗粒是西部数据自家Sandisk的3D NAND颗粒，得益于多层数堆叠仅用单芯片封装，容量达到了1TB，支持S.M.A.R.T特性，缓存管理方案在动态和静态平衡方面表现出色，同时分层缓存的技术也让硬盘的性能和寿命得到更好的保证。

可以从WD Blue SN550的背面发现它使用了单面PCB设计，保证了纤薄外型规格的前提来满足不同平台安装需求。可能有小伙伴会吐槽没有散热马甲，其实可以发现WD Blue SN550的PCB布局非常特别，主控和NAND颗粒之间的距离比较远，可以避免挨近式的集中发热，结合升级的热能效管理，可以保证SSD高性能持续读写的状态下，都能保持持久不掉速地工作，可见西数在优异温控下有很好的工艺造诣。

WD Blue SN550最亮点的功能就是支持HMB技术提升性能的表现，WD Blue SN550采用了无DRAM设计，引入了HMB主机内存缓冲技术，不需要额外任何设置即可开启，借助主机内存来为SSD加速，用来提升读取写入性能，使用中有显著提升性能。

引用：HMB技术的原理，是在主机的内存中留出一块缓存区专门供SSD使用。这部分区域只占用内存小部分空间，内存保留充足的空间协调完成CPU与SSD之间的数据交换。对CPU和整机性能没有任何影响。支持HMB功能的NVMe SSD进行读写时，会自动启用该功能进行提速。而当遇有系统内存不稳定，危及SSD数据安全时，HMB功能还会自动被禁用以保全数据，安全可靠。

WD Blue SN550支持SSD管理软件：Western Digital SSD 仪表板工具，通过图形界面查看SSD状态，例如存储容量、剩余使用时间、实时的SSD温度、接口速度等数据。通过软件还可以针对SSD进行性能测试与优化，例如固件的更新、擦除硬盘、S.M.A.R.T检测、硬盘的详细信息健康度等。

麻利的拆开LG gram笔记本电脑装上WD Blue SN550，通过CrystalDiskInfo检测，可以识别出WD Blue SN550的传输模式为PCIe 3.0 x4。

通过实际测试WD Blue SN550的性能到底如何，通过使用mSMART、AS SSD Benchmark、CrystalDiskMark、ATTO、TxBENCH等软件进行性能测试，这次测试时在空盘下进行的，所以测试数据会在不同平台下存在差异。

▲mSMART是一款硬盘监控软件，通过这款软件检测WD Blue SN550 1TB的实际可用容量为932GB，与电脑系统显示的可用容量一样。移动硬盘在待机的时候温度35℃，工作时基本保持在40多℃，工作时只有小提升温度，说明WD Blue SN550在纤薄设计下，它的发热控制与散热性能都是很不错的。测试中顺序读取成绩达到了2423.1MB/s，顺序写入成绩达到了1969.2MB/s。

▲ATTO Disk Benchmark的读写性能测试中，顺序读取和顺序写入成绩分别为2145.59MB/S和1830.32MB/S，综合得分3348，成绩表现很出众。

▲再来比较熟悉的CrystalDiskMark测试，经过实际测试，WD Blue SN550的顺序读取成绩为2458.97MB/S，顺序写入成绩为1982.27MB/S，同样性能表现非常出色。

▲ATTO Disk Benchmark的读写性能测试，当文件大小达到256KB时WD Blue SN550就能拥有最佳性能发挥，此时读取接近2.23GB/s、写入在1.65GB/s左右，而且随着文件大小的增加，也没有出现明显的性能波动，它的性能表现依然非常出色。经过实际的测试，顺序读取成绩为2.27GB/S，顺序写入成绩为1.73GB/S。

▲TXbench和CrystalDiskMark都是针对NVMe SSD做了较好优化的，本身都可以更好展现NVMe的并发读写的性能，经过实际的测试，顺序读取成绩为2477.18MB/S，顺序写入成绩为1893.52MB/S。可以看到4K随机读写方面是有很明显的优势，4k随机读写速度分别为50.51MB/s和175.48MB/s，以这样出众性能面对我日常的图像处理或者是娱乐玩游戏都能变现得得心应手。

在生活中的体验，WD Blue SN550不仅让我的笔记本电脑缓解了存储空间紧张的囧境，还让我的笔记本提升性能不少，原本笔记本电脑自带的固态硬盘虽然也是2280规格，但是走的是SATA通道，读写速度有瓶颈，加入WD Blue SN550后，通过走PCIe通道读写速度有很大的飞跃，特别是当我在使用Lightroom导出大量处理后的照片数据，导出时间从以前的6，8分钟缩减到只有2分钟左右就完成了。

总结：

WD Blue SN550支持PCIe 3.0 X4，走NVMe1.4协议、支持HMB技术等等，并且使用自家Sandisk原厂TLC闪存颗粒，并且提供5年质保，质量与售后都是十分有保证。

而且，对于之后的TB级数据时代来说，WD Blue SN550 1TB的出现，可以说是给大容量主流固态多了一个可靠选择。价格方面899元，相当于0.8元左右1GB，可以说是具有较高的性价比，物美价廉。

因此，对于近期想装机或者电脑/笔记本升级的小伙伴来说，WD Blue SN550 1TB是一款值得入手的产品！

希望这次分享能对各位小伙伴有所帮助哟。

消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级，正采购新设备备产 236 层 NAND

上周一，三星电子和 SK 海力士等韩国公司获得美国政府无限期豁免，其中国工厂无需特别许可即可进口美国芯片设备。

对于三星来说这无疑是一个好消息，而且他们在取得豁免后也确实在采取相应措施。据 Business Korea 报道，三星电子高层已决定将其西安 NAND 闪存工厂升级到 236 层 NAND 工艺，并已开始大规模扩张。

消息人士称，三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在 2023 年底交付，并于 2024 年在西安工厂陆续引进可生产第 8 代 NAND 的设备，这也被业界视为克服全球 NAND 需求疲软导致产能下降的战略步骤。

公开资料显示，三星（中国）半导体有限公司 2012 年落户西安高新区，而三星半导体西安工厂是该公司唯一的海外存储器半导体生产基地。

该工厂于 2020 年增设了第二期工厂项目，目前已发展成为全球最大的 NAND 制造基地，每月可生产 20 万片 12 英寸晶圆，这占据了三星 NAND 总产量的 40% 以上。

三星西安工厂第一工厂投资 108.7 亿美元（IT之家备注：当前约 794.6 亿元人民币），2017 年开始建造的第二工厂，先后投资了 150 亿美元（当前约 1096.5 亿元人民币）。

外媒认为，三星决定升级其西安工厂的原因有两个。其一主要在全球 NAND 市场环境没有表现出明显的复苏迹象，而在这种情况下三星需要保持其在 NAND 市场的全球领导地位；另一个原因就是美国刚刚发布的无限期豁免。

由于产能严重过剩，再加上去年年底以来全球 IT 市场需求严重低迷，半导体市场疲软严重影响了三星的 NAND 业务，导致库存水位一直增加，进而导致亏损不断扩大。即使在通过减产政策略降低产量后略有改善，但目前三星依然需要尽快实现工艺升级。

通过升级最新的第 8 代 NAND 产品，三星不仅可以确保价格竞争力，而且考虑到第 8 代NAND 相比第 6 代晶圆投入减少约 30%，更能平衡市场供应和需求。

据称，作为第 6 代（128 层）V-NAND 主要生产基地，西安工厂自三星 4 月份宣布减产以来，其开工率也出现了大幅下降，目前整体开工率已降至 20% 左右。

外媒认为，美国虽然暂时放宽了对中国半导体设备的限制，但这对于三星和 SK 海力士来说仅仅只是一个暂时的喘息机会。

本文源自IT之家

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