FBI破解iPhone 竟是靠的这个人人都会的技术

也就是说以前网友们猜测的FBI可能使用的技术NAND镜像法、软件漏洞、激光提取数据技术等等都是错误的，FBI是利用了如爱思助手类的越狱工具去破解iPhone的！

FBI 曾多次表示他们没有能力解锁 iPhone，所以想要调查一部 iPhone 里面的隐藏信息就必须要苹果公司的协助。然而，最近传遍全世界的圣博娜迪诺恐怖袭击案调查却表明，无论他们是自己动手还是通过其它帮手，FBI 还是可以不依靠苹果来解锁 iPhone 的。而且，这起案件还不具有唯一性。

苹果在线消息，根据《福布斯》杂志的报道，FBI 曾于 2015 年成功解锁一部被列入调查范围的 iPhone 5。FBI 并没有透露他们当时如何解锁 iPhone 5，但有安全专家认为他们将会使用同样的方法来对付目前正需要调查的一部 iPhone 5s。据了解，这部 iPhone 5s 为一名在纽约从事毒品交易的犯罪分子所有，当地政府已经向苹果提出解锁手机的要求。

由于不愿意在 iOS 的安全方面妥协，苹果在 2016 年与 FBI 大战数回合，拒绝解锁一部恐怖分子所使用的 iPhone 5c。随后，FBI 向一家名叫 Cellebrite 的以色列数据提取机构救助，最终破解了涉案的 iPhone 5c。关于这一次 iPhone 破解过程，无论 FBI 还是 Cellebrite 一直都没有对外透露太多的细节。不过，现在有人出来“泄密”了。

爱思助手消息，根据 Motherboard 的报道，一名黑客日前在网上曝光了一份声称是储存在 Cellebrite 服务器里的文件，其中包含了大量与破解手机相关的数据。报道称，除了旧款 iPhone 之外，Cellebrite 破解手机的业务还涉及到 Android 和黑莓设备，而 Cellebrite 破解这些设备所使用的技术有一部分是直接借用面向公众发布的 iOS 越狱工具。也就是说

越狱工具当中的技术帮助 FBI 完成了对 iPhone 5c 的破解。

根据黑客描述，他从 Cellebrite 服务器里所获取的文件虽然已经经过加密处理，但是他和他的团队最终还是攻破了 Cellebrite 的数据保护墙。这也就意味着，Cellebrite 手上的数据并不是绝对安全的，这家数据提取机构破解 iPhone 后所得到的机密数据，很有可能会被其它安全机构又或者是黑客团队盗走。

何为越狱

“越狱”指的是绕过苹果在其设备上对操作系统施加的很多限制，从而可以“Root访问”基础的操作系统。简单来说，“越狱”可以让iPhone用户从苹果应用商店外下载其他非官方的应用程序，或者对用户界面进行定制。

获得iOS系统的完全控制、使用权限，而对iOS进行的一种软破解操作。用户只有在获得iOS完全使用权限后，才能突破束缚，自由使用你的iOS设备。

越狱合法吗

爱思助手消息，美国版权局表示，虽然像iPhone这样的手机越狱已经被规定为合法行为，但这一法规并不适用于如iPad等平板电脑产品。对此美国版权局给出的解释是，平板电脑的概念过于宽泛，如果授予其“合法越狱权”将可能产生安全危害。意思也就是iPad非法iPhone合法。

如何越狱

越狱之前先备份好iPhone数据吧，下载一个“爱思助手”可以对iPhone资料进行备份，然后在爱思助手上有一个越狱功能，可以一键完美越狱，就这么简单！越狱之后可以安装各种付费及破解软件和游戏，还能个性化自己的iPhone，如系统铃声、壁纸等等所有功能，总之越狱后iPhone想怎么玩就怎么玩。

全球NAND闪存市场竞争局势白热化

5月16日，爱思开海力士·英特尔DMTM半导体（大连）有限公司非易失性存储器项目在大连保税区正式开工。

据介绍，该项目是辽宁省、大连市重点推进项目，位于大连金普新区，将建设一座新的晶圆工厂，用于生产非易失性存储器3D NAND芯片产品。

这是SK海力士继2021年12月底顺利完成收购英特尔NAND闪存及存储业务第一阶段交割后，时隔4个月宣布在大连继续扩大投资并建设新工厂。

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“缺芯”促进厂商加速扩产

近年来，受新冠疫情、俄乌冲突等因素影响，全球半导体产业都面临产能不足的问题，缺芯、涨价等词汇成了业界老生常谈的话题，随之而来的就是企业大规模建厂、扩产。

例如，在晶圆代工领域，台积电、英特尔、格芯、中芯国际等厂商都宣布了扩产计划，但各方都是“单打独斗”。而在存储领域，国际厂商之间似乎更愿意“抱团取暖”，以合作、合并的形式加速产能扩充，其中以SK海力士和英特尔、铠侠和西数这两大组合最为业界所熟知。

SK海力士&Solidigm

(原英特尔NAND闪存业务部门)

众所周知，SK海力士和英特尔原本都是全球前十强的闪存企业，双方在该领域的竞争也是你追我赶。但在2020年，SK海力士宣布收购英特尔NAND闪存及存储业务（包括英特尔大连工厂），双方的关系也悄然发生改变。

目前，SK海力士已经完成了收购英特尔NAND闪存及SSD业务案的第一阶段交割。与此同时，SK海力士在美国设立了一家名为“Solidigm”的子公司，负责运营此次收购的英特尔SSD业务。

根据TrendForce集邦咨询的数据，2021年第四季度，SK海力士和Solidigm分别以26.15亿美元和9.96亿美元的营收位居全球NAND Flash品牌厂商第四和第六。

除了共同携手拓展市场之外，SK海力士与Solidigm还展开了包括NAND产品研发在内的全面合作。今年4月5日，双方首次公开了结合SK海力士128层NAND闪存与Solidigm的SSD控制器和固件的合作产品。

至于此次非易失性存储器项目落户大连，SK海力士半导体（中国）有限公司总裁郑银泰表示，后续，SK海力士将与大连市政府、英特尔大连团队紧密合作，按计划完成新工厂建设，将大连工厂打造成具有国际竞争力的NAND闪存生产基地。

铠侠&西数

除了“SK海力士&Solidigm”这对新组合之外，在NAND市场，还有一对由来已久且实力同样强劲的“CP”——铠侠和西数。

据悉，铠侠与西数的合作关系已保持长达20年的时间。在此基础上，两家公司定期在工厂运营方面进行合作。甚至有外媒曾在2021年报道，全球第三大闪存芯片厂商西数打算并购排名第二的铠侠，但截至目前，尚未有确切消息和官方回应证实该报道的真实性。

2022年以来，铠侠与西数的合作似乎更加紧密与频繁。

今年3月，铠侠宣布，将在日本岩手县北上工厂建设新的NAND Flash生产线（Fab2）。铠侠表示，计划与西数进行讨论，将闪存合资企业扩展至Fab2投资。

4月，铠侠和西数再次宣布，双方将共同投资位于日本三重县四日市的Fab7（Y7）制造工厂的第一阶段工程，合资工厂将在今年秋季开始实现初步生产。Y7厂的第一阶段将生产3D快闪存储器，包括112层、162层生产及未来制程。

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NAND市场前景依然可观

自1987年铠侠的前身东芝存储发明NAND闪存以来，全球NAND闪存市场规模已达700亿美元，容量也从最初的4Mb增加到1.33Tb，实现了333,000倍的增长，并且实现了从2D NAND向3D NAND的技术演变。

经过35年跌宕起伏的发展后，随着近年来大数据、云计算、元宇宙等新兴产业的快速发展，巨大的市场需求无疑对NAND产品的容量、性能、及功耗提出了更高的要求。

尽管近年来受俄乌冲突、高通胀、疫情等影响，全球NAND Flash市场销售增长较慢，但厂商和业界依然乐观看待未来发展。

铠侠预计，在云计算和企业IT投资不断增加的环境下，数据中心/企业SSD的需求预计将保持稳定；同时，未来随着5G推广以及存储容量提升，智能手机市场存储需求也将长期增长。

集邦咨询此前总结2021年NAND Flash市场销售表现则认为，尽管自下半年开始有转弱迹象，但全年受惠于疫情所带动的远距服务与云端需求，营收表现仍较2020年显著增长，产业营收达686亿美元，年增21.1%，上升幅度自2018年以来位居第二高。

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堆叠层数竞争日趋白热化

TrendForce集邦咨询此前曾预计，随着110＋层闪存芯片的推出，2023年市场总产出的72.5%会被110+层3D NAND闪存占据。

当前，各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化。美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND技术，进入200层以上的的堆叠层数比拼。

目前，三星正在加快200层以上NAND闪存的量产步伐，韩国媒体《BusinessKorea》 曾报道，三星将在今年底明年初推出200层以上的NAND产品，并计划在2023年上半年开始量产。

美光更是在近期的投资者日活动上宣布，将在2022年底开始推出232层NAND产品，并公布之后的工艺节点依次为2YY、3XX与4XX。

与此同时，西数也在近期公布的闪存技术路线图显示，其计划与合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层NAND产品。西数还透露，2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术。

至于SK海力士，最新的3D NAND层数是176层，但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上展望SK海力士产品的未来计划时曾预测，未来有可能实现600层以上的NAND产品。

文章来源：全球半导体观察 禾忍

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