终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

东芝：明年量产96层3D NAND，QLC产品8月送样

全球第 2 大NAND Flash储器厂东芝（Toshiba）28 日宣布，已携手 SanDisk 研发出全球首款采用堆栈 96 层制程技术的 3D NAND Flash 产品，且已完成试作、确认基本动作。

该款堆栈 96 层的 3D NAND 试作品为 256Gb（32GB）、采用 3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于 2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用 SSD、PC 用 SSD 以及智能型手机、平板计算机和记忆卡等市场。

上述堆栈 96 层的 3D NAND 将利用东芝四日市工厂「第 5 厂房」、「新第 2 厂房」以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的「第 6 厂房」进行生产。

东芝今后也计划推出采用堆栈 96 层制程技术的 512Gb（64GB）3D NAND 产品以及采用全球首见的 4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技术的 3D NAND 产品。

东芝目前已量产堆栈 64 层的 3D NAND 产品，而和 64 层产品相比，96 层 3D NAND 每单位面积的存储容量扩大至约 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的存储容量增加，每 bit 成本也下滑。

东芝并于 28 日宣布，已试做出全球首见、采用 4bit/cell（QLC）技术的 3D NAND 产品，且已完成基本动作及基本性能的确认。

该款 QLC 试作品为采用堆栈 64 层制程技术，实现业界最大容量的 768Gb（96GB）产品，已于 6 月上旬提供给 SSD 厂、控制器厂进行研发使用。

Source：东芝

东芝表示，堆栈 16 片 768Gb 芯片，实现业界最大容量 1.5TB 的 QLC 技术产品预计于 2017 年 8 月送样，且该款 1.5TB 产品将在 8 月 7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的「Flash Memory Summit 2017」上进行展示。

来源：MoneyDJ

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