存储器NAND-浅谈
NAND Flash存储器是Flash存储器的一种,属于非易失性存储器,其内部采用非线性宏单元模式,为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND Flash存储器具有容量较大,改写速度快等优点,适用于大量数据的存储,因而在业界得到了越来越广泛的应用,如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。
根据其不同的工艺技术,NAND已经从最早的SLC一路发展到如今的MLC、TLC、QLC和PLC。
NAND发展
按速度价格对比排序:SLC>MLC>TLC>QLC>PLC
按容量大小对比排序:PLC>QLC>TLC>MLC>SLC
目前主流的应用解决方案为TLC和QLC。SLC和MLC主要针对军工,企业级等应用,有着高速写入,低出错率,长耐久度特性。
除此,NAND Flash根据对应不同的空间结构来看,可分为2D结构和3D结构两大类:
NAND结构
下面是各大NAND Flash芯片生产厂商在3D NAND Flash产品的量产状况:
NAND品牌对比
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三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求
【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯,随着HBM高价产品贡献获利的快速成长,带动产能排挤及产业供需改善,各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估,三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM,尽管企业级储存需求强劲,但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧,相较于过去两年,三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬,各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位,但市场估计,第三季NAND Flash或微幅供过于求,而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。(台湾电子时报)
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