美光拿出第一批第4代3D NAND芯片样品

美光科技已经流片第一批第四代3D NAND存储芯片，它们基于美光全新的RG架构。 该公司有望在2020年生产商用第四代3D NAND内存，但美光警告称，使用新架构的存储芯片将仅用于特定应用，因此明年其3D NAND成本削减将微乎其微。

美光第四代3D NAND使用多达128个有源层，并在阵列设计方法上继续使用CMOS。新型3D NAND存储器改变了用于栅替换的浮栅技术，以试图降低尺寸和成本，同时提高性能，并简化向下一代节点的过渡。该技术完全由美光公司开发，没有英特尔任何投入，因此它很可能是针对美光公司最希望针对的应用量身定制。

美光第四代128层3D NAND成功流片表明，该公司的新设计不仅仅是一个概念。同时，美光还没有计划将其所有产品线都转换为最初的RG工艺技术，因此公司范围内每比特成本明年不会显著下降。尽管如此，该公司承诺在其后续RG工艺节点广泛部署之后，到2021财年将真正开始降低成本。

目前，美光科技正在提高96层3D NAND的产量，并于明年开始在其绝大部分产品线中使用。 128层3D NAND硬件不会立即导致每比特成本显着下降，但是会随着时间推移而下降。后续工艺节点（美光第五代3D NAND）可能具有至少128层，并且如果被广泛使用，它将大大降低产品每比特成本。

三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

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