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nand故障诊断手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这

发布时间 : 2024-12-21

作者 : 小编

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手机进水不开机，iPhone常见故障，换元件后无效，原来问题出在这

现在手机已成为我们生活中必不可少的一部分，但随之而来的，手机维修的故障率也越来越高。今天就接到客户送来一台6S，说的是手机开不了机。

拆机取出主板，上电触发定电流374mA，初步判断LDO供电短路。

断电后对主电源输出的所有供电测对地值，发现硬盘PP3V0_NAND供电对地值为2，供电短路。

观察硬盘周围电容没有明显腐蚀现象，在关联的电容上熏松香，加电烧机发现硬盘非常热，而电容上的松香没有熔化，怀疑硬盘可能有故障。把硬盘取下再次测量3V供电，发现还是短路。3V供电直接加在焊盘上，烧机发现硬盘右下角电容C1515短路。

拆掉后3V供电正常，联机DFU，刷机能进恢复模式。

装回硬盘刷机正常通过，但发现一个问题，机器上电触发后电流直接从0跳变到230mA左右，而且待机灭屏状态下电流有220mA，明显存在漏电。

在使用过程中机器会出现耗电快电池不经用的现象，通常情况下这种问题出在3V供电线路上，于是再次把关联的线路查找了一遍：USB、指南针、感光、感距等，各条线路的对地值都正常，没有发现问题。

显微镜下观察主板，发现主摄像头2.85V供电芯片旁边的电容有腐蚀，测量供电对地值为0，当时觉得很奇怪为什么这路供电短路不会引起接电大电流呢？一定是线路的电感有问题。

经测量发现线路上的保险电感FL3202虚焊了，一端有值另一端为0，重新加焊电感，拆掉腐蚀的电容，线路值正常。

测量3V供电都正常，再仔细观察主板发现进水贴发红，但没有观察到明显进水腐蚀痕迹，这种情况下最大的可能性出在USB管理芯片上，拆掉USB芯片后发现焊盘有进水腐蚀，而且还波及到上方的音频芯片，于是将2个芯片一起进行更换。

更换完后装屏开机，电流跳变正常，灭屏待机电流仅有8mA。

开机直接进系统，手机完美复活。

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固态硬盘的原厂颗粒有多重要

在消费级市场，固态硬盘基本在形式上完成了对于机械硬盘的取代，成为现代装机的首选存储设备。然而和机械硬盘被希捷、西部数据、东芝三巨头“垄断”的局面不同，固态硬盘的品牌在市场上可谓遍地开花，当然价格也可以用“混乱”来形容，既有七八百元的1TB产品在售，也曾有不到千元的4TB的所谓“报恩价”，甚是撩动人们的心弦。

这种局面是如何造成的？我们知道，固态硬盘是在PCB（印刷电路板）上集成了一些芯片，包括NAND颗粒、主控芯片和周边电路，部分产品还配有独立的DRAM缓存芯片。由于很多主控芯片厂商都有着成熟的解决方案，因此固态硬盘制造几乎没有门槛可言，只需采购这些芯片，再找SMT贴片厂商设计和制造即可。

这也意味着，固态硬盘“同质化”的现象几乎无可避免，价格战往往也随之而来。那么问题来了，同样的主控方案的同容量产品，如何出现较大的价格差异？答案就在于固态硬盘核心元件——NAND存储颗粒，它是一种非易失性存储器，断电后仍能保存数据。由于它占据整个SSD制造成本的70%以上，所以有“买固态硬盘就是买颗粒（NAND芯片）”的说法。

由于NAND本质是一个芯片，制造时需要从一整块晶圆上切割成一个个晶片Die，然后进行容量和稳定性方面的筛选，品质最优的Die通常叫good Die，取下后再经过封装工序，就成为一颗NAND闪存颗粒，通过故障检测后就会在芯片表面印上晶圆厂的Logo和型号等信息，这就是大家所熟悉的原厂片（正片）。

除了正片，相信大家还听过白片和黑片。所谓白片，其实就是经历了筛选但是没有通过原厂的故障检测的NAND颗粒，下游固态硬盘厂商采购后再自行筛选和检测，因此不会有原厂的品牌Logo。或者是把晶圆出售给下游有技术能力的厂商自行检测和封装，再印上封装厂或自有品牌的Logo，虽然品质方面可能没有原厂高，但还是有所保障的，目前市面上的大部分固态硬盘可以说用都是白片。

至于黑片，有一些是没能通过晶圆厂或者第三方封装厂故障检测的NAND颗粒，还有一些是没有通过原厂或者第三方封装厂筛选和故障检测的Die，通过一些特殊渠道流入到一些下游封装厂，然后再经过筛选和测试，并封装成的NAND颗粒。黑片的芯片表面通常没有任何的标记，因此来源无法得知，但或多或少会存在一些问题，例如稳定性不佳、容量不达标或者干脆部分区块损坏的，隐患可谓不小。

由于原厂片经过了原厂的筛选和故障检测，因此品质也是最佳，但价格也最高，通常用于晶圆厂商自有品牌的产品上，例如致态品牌的固态硬盘用的就是长江存储的原厂片，而且还提供了五年的原厂质保。但在购买方面，如果单纯只是用来玩游戏，那么低价固态硬盘或可以考虑，但如果关乎数据的重要性，显然还是原厂片的产品用着更放心。

除此之外，固态硬盘进入了QLC时代，原厂颗粒的重要性再次凸显。我们知道，从SLC到MLC、再从TLC到QLC，其实就是让NAND颗粒实现更高的存储密度，但对于NAND生产的要求也更高。由于NAND芯片是通过对内部的浮栅晶体管进行充电和放电操作来进行数据擦除及写入，TLC有4种电压变化，而QLC有16种电压变化，因此存储数据的速度也会慢一些。

同时，晶体管能充放电的次数是有限的，它决定了NAND芯片的寿命，业界通常使用P/E（即Program/Erase，写入/擦除）值作为SSD寿命的重要衡量指标，而QLC的晶体管充放电次数更多，因此寿命也是逊于TLC的，这些都是QLC广为诟病的原因。

不过大家也不用谈“Q”色变，毕竟存储行业头部品牌早已经推出了成熟的QLC产品，并在数据中心等企业级领域得到了广泛的应用，应用于消费级市场也是大势所趋，而技术的发展也让QLC完全满足人们的需求。但由于QLC在制造方面的要求也更高，所以原厂片的性能和寿命也更有保障，例如致态Ti600读写速度可达到7000MB/s和6000MB/s，达到PCIe4.0的主流性能，2TB容量的写入量也达到了800TBW。

由此可见，NAND颗粒对于固态硬盘的性能和寿命都有着直接的影响，而原厂颗粒在品质方面更有着“先天”的优越性，尤其是在QLC中更为明显。因此大家在选购固态硬盘的时候，不要只关注价格、性能和采用的主控方案，原厂颗粒才是放心使用的保证。

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固态硬盘的原厂颗粒有多重要

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