nand研发成功打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金-行情-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

nand研发成功打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

近年来，中国在半导体领域的发展可谓是突飞猛进。随着国产智能手机的崛起，国产芯片也取得了出色的成绩，特别是在核心的处理器和通讯芯片上。但是，在存储芯片领域，中国的发展相对滞后，这块市场也一直被美日韩厂商所垄断。不过，随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及众多国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。近日，国产存储芯片领域再获突破，长江存储已成功研发32层3D NAND。

3D NAND成 国产厂商 弯道超车机会

从去年开始，三星、SK Hynix、东芝、Intel、美光等存储芯片大厂都在积极的由2D NAND全面转向3D NAND，目前这些厂商都已开始量产32层甚至64层的3D NAND。相比之下，中国的国产存储芯片过去还几乎是一片空白，市场长期被韩国、日本、美国厂商垄断。不过随着国家对于存储芯片的重视和大力扶持，以及国产存储芯片厂商的努力，这一局面正在改变。

2016年3月28日，总投资240亿美元的“国家存储器基地”在武汉正式启动。“国家存储器基地”项目由紫光集团联合国家集成电路产业基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投资建设。将建设3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、一座总部研发大楼和其他若干配套建筑，其核心生产厂房和设备每平方米的投资强度超过3万美元。项目一期计划2018年建成投产，2020年完成整个项目，总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。

2016年7月26日，“国家存储器基地”项目的核心载体——长江存储科技有限责任公司正式成立，法人代表为紫光集团董事长赵伟国。同时，武汉新芯成为长江存储的全资子公司。长江存储将以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路技术研发与生产制造能力为基础，继续拓展武汉新芯目前的物联网业务布局，并着力发展大规模存储器。

12月30日，“国家存储器基地”项目正式开工。

2017年2月，长江存储与中国科学院微电子研究所联合承担的3D NAND存储器研发项目取得新进展。32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

今年6月，长江存储的产房提前封顶。11月中旬，长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

根据长江存储的规划，预计在2018年下半年正式开始3D闪存生产，初期产能5000片晶圆/月，不过一旦解决良率问题，后续就会大规模量产，武汉基地的设计产能最终可以达到30万片晶圆/月，未来足以比肩SK Hynix、东芝这样的公司的产能。

据业内人士透露，长江存储已预订5000片产能的机台设备，预计2018年第二季度投入市场。

首款国产32层3D NAND存储芯片曝光：价值10亿美元

11月19日，央视财经频道《对话》栏目播出了与紫光集团董事长赵伟国的采访对话。节目中，赵伟国首次展示了首款国产32层3D NAND存储芯片。赵伟国表示，“这枚芯片价值10亿美元。这是一枚32层64G存储芯片，是长江存储1000人干了2年时间研发出来的。”

值得注意的是，长江存储重点聚焦的是64层3D NAND芯片。如果一切进展顺利，长江存储2019年开始量产64层的3D NAND闪存，届时他们与三星等大厂的差距就可缩短在2年以内。

编辑：芯智讯-林子

_____________________________

更多干货、爆料、独家观点，欢迎订阅芯智讯

官方微信公众号：芯智讯

重大突破！长江存储3D NAND芯片研发成功！

据报道，近期紫光集团旗下长江存储已成功研发32层3D NAND Flash芯片，打破国外半导体厂三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据等的技术垄断！

中国近几年不断加大对半导体产业的投资，尤其是在存储器领域芯片制造上的投入。由于存储器技术研发难度高，专利又集中在欧美大厂手上，业界对于大陆发展存储器计划多抱持保守态度，但近期长江存储在3D NAND技术研发进度超乎市场预期。

长江存储是专注于3D NAND技术的代表队，更是紫光集团投入半导体产业的重量级代表作。业内半导体人士透露，长江存储11月将32层3D NAND芯片导入SSD内，进行终端产品测试成功，代表大陆3D NAND研发迈入新里程碑。长江存储原本规划12月底才提供32层3D NAND样本，然该颗芯片样本提前出来，且第一版就通过终端实测，象征研发获得重大突破。

虽然最关键的研发一环已有小成，但后期量产的良率也是成败的关键，未来要进入量产，势必要达到一定的良率，确保每片3D NAND的可用晶圆数量，成本结构才会具有市场竞争力。

在产能规划方面，业者透露，长江存储已预定5000片产能的机台设备，预计2018年第2季投入试产，进度快慢要看良率而定，一旦长江存储3D NAND大量投片产出，可望打破全球3D NAND门票都掌握在国外公司的局面。

长江存储投入3D NAND技术研发还不到两年，过去大陆NAND Flash技术研发主力是武汉新芯，其透过飞索（Spansion）技术授权，生产NOR Flash和SLC型NAND，长江存储于2016年7月成立之后，并购武汉新芯100％股权，成为大陆存储器研发及生产中心。

根据长江存储先前揭露的计划，32层3D NAND主要是技术打底的动作，大陆真正视为主流的是64层3D NAND技术，这也是目前三星、东芝、美光、SK海力士等NAND Flash大厂主流的技术。若大陆成功发展64层3D NAND技术，且全面大量投产，将有机会与三星、东芝、SK海力士等拉近差距，同时也标志者中国在NAND Flash芯片制造上能够达到国际水平。

打破美日韩垄断！国产3D NAND成功研发：2年投入1000人10亿美金

重大突破！长江存储3D NAND芯片研发成功！

关于我们

产品中心

服务与支持