三星介绍QLC数据中心级固态硬盘BM1743，搭载第七代V-NAND

IT之家 6 月 18 日消息，三星半导体近日在技术博客介绍了搭载其目前最新 QLC 闪存（v7）的下一代数据中心级固态硬盘 BM1743。

▲ 三星 QLC 数据中心级固态硬盘 BM1743

根据 TrendForce 集邦咨询 4 月的说法，在 QLC 数据中心级固态硬盘领域，仅有深耕多年的三星和 SK 海力士旗下 Solidigm 在当时通过了企业客户验证。

相较上代 v5 QLC V-NAND（IT之家注：三星 v6 V-NAND 无 QLC 产品），三星 v7 QLC V-NAND 闪存在堆叠层数方面几乎翻了一倍，存储密度也大幅提升 。

同时 v7 QLC V-NAND 的顺序读写性能至少是此前的两倍，随机读取速度更达到了 4 倍 。

这意味着 BM1743 可提供远超过基于 v5 QLC V-NAND 的上代数据中心 QLC 固态硬盘 BM1733a 的容量和性能，满足数据中心对更优秀存储的需求。

BM1743 包含 U.2 和 E3.S 两种外形规格，其中 U.2 版本支持 PCIe 4.0，容量可达 61.44TB，拥有进一步扩展至 122.88TB 的潜力，而 E3.S 版本可支持 PCIe 5.0 。

作为对比，BM1733a 仅支持 PCIe 3.0，最大容量也仅有 15.36TB，即 61.44TB 的四分之一。

而在可靠性方面，BM1743 的写入耐久为 0.26DWPD，断电数据保持时间为 3 个月；BM1733a 的这两项数据分别为 0.18DWPD 和 1 个月。

BM1743 的 2.5 英寸 U.2 版本具体性能如下：

顺序读取顺序写入随机读取随机写入7200MB/s2000MB/s1600K IOPS110K IOPS

三星半导体表示，用户既可以直接在现有 PCIe 3.0 环境使用 BM1743，享受其更低的 TCO 成本；

也可充分利用 BM1743 支持 PCIe 4.0 带来的提升，降低读取任务响应时间，提升 AI 负载处理能力；

而 BM1743 E3.S 版本对 PCIe 5.0 的支持则将为数据中心带来更大的性能优势。

超强12通道控制器：英特尔3D NAND数据中心固态盘发布

昨天，英特尔在其大连工厂发布了两款全新的采用3D NAND的数据中心级固态盘：英特尔® 固态盘DC P4500系列及英特尔®固态盘DC P4600系列。这两款产品主要为云存储解决方案所设计，可应用于软件定义存储及融合式基础设施。

其中，英特尔® 固态盘DC P4500系列专门针对数据读取进行优化，能让数据中心从服务器中获得更多价值并存储更多数据。而针对混合型工作负载所设计的英特尔® 固态盘DC P4600系列则可以加速缓存，并使每台服务器可运行的工作负载量实现提升。

同时，作为“非易失性存储器”制造基地的英特尔大连工厂正在扩建，以满足市场对3DNAND供应日益增长的需求，今天发布的这两款产品也是英特尔大连工厂升级后出货的基于3D NAND数据中心级固态盘。

▲英特尔公司全球副总裁兼中国区总裁杨旭，非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼全球制造总经理Keyvan Esfarjani等嘉宾宣布英特尔DC P4500与英特尔DC P4600 SSD正式发布。

英特尔公司非易失性存储器解决方案事业部副总裁兼全球制造总经理Keyvan Esfarjani表示：“通过发布全新数据中心级固态盘DC P4500系列及P4600系列，英特尔将进一步扩大在云存储解决方案领域的技术领先优势。我对英特尔大连工厂的执行工作感到满意，并为进一步扩展我们的运营，实现规模效益来满足客户日益增长的需求而倍感兴奋。”

据MC小编获得的消息，这两款SSD都将采用英特尔最新的12通道双核心处理器，支持最新的ONFI 4.0闪存，Nvme 1.2协议。因此性能相对于之前在P3000系列以及消费级750 SSD上所用的18通道控制器是只强不弱。闪存方面，两款SSD都针对云计算设计，搭配的都是在大连生产的32层3D Nand Tlc颗粒，单颗Die容量即达48GB。不过由于两款SSD定位不同，因此它们的使用寿命也有所不同。其中DC P4500系列主要针对读取应用，因此它在整个寿命期可承受的每日写入量为0.7DWPD(每日整盘写入次数）；而DC P4600系列主要面向读写混合应用，因此它在整个寿命期的每日写入量可达3DWPD(每日整盘写入次数）。

同时，英特尔高层还在会上表示采用64层堆叠，单Die容量更大的3D NAND将很快投产，固态盘的成本将进一步下跌。不过大连Fab 68工厂在短期内并无生产高性能3D XPoint产品的计划，Optane傲腾系列相关产品将主要还是由英特尔在美国犹他的工厂生产。

除了产品与技术宣讲外， 大连市委常委、金普新区管委会王强主任还在发布会上进行了重要讲话。他表示：“从2015年10月英特尔公司宣布投资55亿美元将大连工厂升级为世界最先进的非易失性存储制造工厂，到去年7月英特尔大连工厂项目提前投产，今天又宣布大连工厂的扩建计划，一年一个大台阶，既是英特尔在大连加快发展的一个重要里程碑，也标志着大连市集成电路产业越上新高度。这是大连市和英特尔多年来密切合作取得的又一双赢成果。近期辽宁省自贸区大连片区在金普新区挂牌成立。自贸区的启动运作必将为包括英特尔在内的所有企业提供更加便利、优越和充满竞争力的投资环境，进一步助推大连市集成电路制造产业链的成长壮大、将大连打造成世界级的存储制造中心。”

英特尔大连工厂于2007年奠基，2010年正式投产。2015年10月，英特尔宣布投资55亿美元，升级大连工厂为非易失性存储技术制造基地。英特尔大连工厂是绿色制造的典范。工厂在设计、建造和运营上都遵循最高级别的环保标准，在节水改造方面树立了标杆。与此同时，英特尔大连工厂也非常重视本土人才培养，并与当地政府、学校、产业链伙伴以及社区展开广泛合作推动可持续发展，连续多年荣获“大连市企业履行社会责任最佳外商投资企业”称号。这一系列的持续投入，带动了区域经济发展，为高端制造持续注入新动力。

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