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nand堆叠600层 SK海力士的未来计划：用EUV来造DRAM，还有600层堆叠的3D NAND

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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SK海力士的未来计划：用EUV来造DRAM，还有600层堆叠的3D NAND

SK海力士CEO李锡熙今日在IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上作了主题演讲，讲述了SK海力士产品的未来计划，分享了一些概念性技术，比如用EUV光刻生产的DRAM和600层堆叠的3D NAND。

目前为止SK海力士最新的3D NAND是512Gb 176层堆叠的3D NAND，看起来600层还很遥远，目前他们还只是在研究这种可能性，在达到600层堆叠前还需要解决各种问题。SK海力士致力于确蚀刻技术实现高纵横比，以实现业界所需的高密度技术，此外他们还推出了原子层沉积技术，以进一步改善单元的电荷存储性能，并在需要时把电荷放出，同时开发新的导电材料让电荷在一定程度上保持均匀。除此之外为了解决薄膜应力问题，控制了薄膜的机械应力水平，并优化了单元氧化氮材料。为了应对在有限的高度上堆叠更多电池时发生的电池间干扰现象和电荷损失，SK Hynix开发了隔离电荷陷阱氮化物结构来增强可靠性。为了对应在有限高度内堆叠多层时发生的单元间电荷干扰与电荷损失，SK海力士开发了隔离电荷陷阱氧化物结构，以提高可靠性。

在DRAM方面，SK海力士引入了EUV光刻设备来解决以往DUV光刻的局限性，制程工艺能轻松达到10nm以下，以此来提升生产效率。当然还有问题要解决的，比如为了保持单元电容，他们正试图改善电介质厚度，开发具有高介电常数的新材料，并采用新的单元结构。这些单元互连需要尽可能低的电阻，他们正在寻找新一代电极与绝缘材料，并推出新工艺。

三星正式推出870 EVO系列SATA SSD，采用128层堆叠3D NAND

其实在月初就走漏了三星870 EVO的消息，现在三星正式发布了这款SSD，去年推出的870 QVO用QLC闪存不同，它用的是TLC闪存，有着更好的性能与耐久度，是三年前推出的860 EVO的正式继承者。

三星870 EVO使用了三星第六代V-NAND，采用128层堆叠的3D TLC闪存，主控是870 QVO上面的那颗MKX，性能方面，由于采用SATA 6Gbps接口，接口本身早就成为瓶颈，所以基本上和860 EVO差距不大，连续读取速度560 MB/s，连续写入速度530 MB/s，最大随机读取98000 IOPS，最大随机写入88000 IOPS，不过三星表示QD1的随机读取延迟比860 EVO低了38%，看来4K QD1随机读取性能会有不错的提升，这应该是新主控的功劳。

三星870 EVO只提供2.5英寸7mm厚的SATA盘型，有250GB、500GB、1TB、2TB与4TB五种容量，均配备LPDDR4缓存，其中250GB与500GB的缓存容量是512MB，而1TB、2TB、4TB的分别配有1GB、2GB、4GB缓存，它们的耐久度分别是150TBW、300TBW、600TBW、1200TBW、2400TBW，质保期五年，建议零售价分别为49.99美元、79.99美元、139.99美元、269.99美元和529.99美元，目前国内三星官网上能搜得到这款SSD的型号，但还没有具体信息页，估计国内上市已经是年后的事情了。

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