SK海力士针对端侧AI手机，开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 40”

今天SK海力士宣布，已开发出新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。

SK海力士表示，继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场。ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化，与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降的情况会有大幅改善，从而延长了产品的使用寿命。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。SK海力士称，与现有UFS相比，ZUFS在长期使用环境下手机应用程序的运行时间会有45%的改善，且存储读写性能下降方面带来了4倍以上的改善效果，产品使用寿命也相应地得到了约40%的提升。

目前SK海力士已向客户提供初期试用品，还与客户协作开发出符合JEDEC标准的4.0产品，并计划今年第三季度开始量产，搭载于全球手机制造商的端侧AI手机。

盘点华为小米OPPOVIVO手机里的DRAM和NAND供应商

华为（荣耀）、小米、OPPO 和 VIVO 是中国品牌的智能手机市场大玩家。在智能手机上使用的低功耗移动DRAM组件方面，它们有由三星、SK 海力士和美光三大DRAM制造商制造的LPDDR4X或LPDDR5 DRAM芯片，使用了先进的 10 纳米级 DRAM 节点，例如 D1y 和 D1z。

国际电子商情讯，随着手机对内存性能的需求接近PC，全球智能手机制造商已将最新内存组件用于手机当中，近日Techinsight发布了对智能手机中内存组件的使用情况。

DRAM使用情况

例如，荣耀 X20 和 OPPO A54 手机有美光 D1z 和三星 D1z LPDDR4X；小米 Redmi K40 Pro 和 Vivo X70 手机具有 S-D1z LPDDR5 芯片和 LPDDR4X 三星芯片。

图：近期发布的中国智能手机的低功耗移动 DRAM 组件和芯片细节。图片来源：Techinsight

NAND使用情况

NAND的商业产品有三星、铠侠、西部数据、SK海力士、美光、英特尔和长江存储的112L、128L、144L和176L芯片。

大多数情况下，中国智能手机使用主要NAND芯片制造商的92L/96L和128L TLC 3D NAND芯片。

去年年初一些 2D eMMC NAND 芯片，例如小米 Redmi 9A 手机，但是目前中国所有智能手机都具有 eMMC5.1 或 UFS 3.1 标准的 3D NAND 组件。

近期发布的OPPO A54和部分荣耀手机采用eMMC 5.1，其他手机采用UFS 3.1规范。

作为参考，对于 Apple iPhone，铠侠进入了 2021 年的 iPhone 13、13Pro 和 13Pro Max，提供了128GB、256GB 和 512GB芯片。它们在每台设备中都配备了铠侠的 FXH8 112L 512Gb 芯片。

三星在 2021 年为 S21/21+/S21 Ultra 采用了 S-128L TLC NAND 设备，并在 2022 年为 S22 系列组装了 S-128L TLC NAND 设备。

图 ：近期发布的中国智能手机的数据存储组件和芯片细节。图片来源：Techinsight

责编：ECHO

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