韩媒担忧：镁光已威胁三星和海力士的行业领导地位

IT之家 3 月 16 日消息 据 BusinessKorea 报道，韩国存储器半导体公司三星和 SK 海力士正面临着来自竞争对手的严峻挑战，尤其是来自美国的镁光科技。

世界第五大 NAND 闪存制造商镁光 (Micron)于 2020 年 11 月开始向客户提供 176 层 NAND 闪存。三星电子 (Samsung Electronics)和 SK 海力士 (SK Hynix)甚至还不能批量生产这种新产品。此外，镁光在一月份宣布，它已经开始批量生产第四代 10nm DRAM。这也是世界上第一家能够批量生产这种 DRAM 的公司。

尽管截至 2020 年第四季度，三星电子和 SK 海力士共同占据了 DRAM 市场的 71% 市场份额 和 NAND 闪存市场的 45% 市场份额，但他们已经连续两次在产品技术上输给镁光，让后者成为新型内存技术的世界第一，这一事实反映出三星和 SK 海力士正逐渐失去其技术领先地位，因为直到一两年前，三星电子在技术上还要领先镁光两年左右。

事实上，当三星在 2018 年 7 月量产 96 层堆叠 V-NAND Flash，而且 SK 海力士在 2019 年 6 月份实现首次量产 128 层堆叠的 4D NAND Flash ，镁光则是到 2020 年的第 2 季才开始量产旗下的 128 层堆叠 NAND Flash。甚至，三星还保持了从第 1 代到第 3 代的 10 nm 级 DRAM 的全球首发纪录。不过，在当前镁光陆续取得两项产品领先之后，相关的韩国市场人士开始担忧，其韩国在内存产业的市场领先优势还能够维持多久。

IT之家了解到，技术领先缩小的原因，在于内存制程技术几乎已经达到了极限，使得领先者要进步会比后来追赶者要困难许多。三星方面至今已经投资了数亿美元的研发经费，并且花费长时间在新技术的开发工作上。但是，追赶者却可以参考三星的技术发展路线，进一步减少了在研发上的成本投资与时间。对此，韩国市场人士指出，虽然现阶段韩国企业在设备和投资方面有着竞争力。但是，这方面的竞争力正被竞争对手逐渐追赶。其中，2019 年镁光的营业利润率为 19.5%，虽低于三星的 21.6%，但却领先 SK 海力士的 10.1%。即使三星与 SK 海力士努力的提高，使得三星 2020 年的营业利益率提升至 25.8%，但 SK 海力士的 15.7% 营业利润率仍与镁光的 15.2% 表现相差无几。

IT之家获悉，除了从营业利润率来衡量各企业的竞争力之外，更令韩国业界担心的是，目前欧美在全力发展半导体制造业的情况下，对重点发展厂商的补助计划。尤其镁光所生产的内存一直被美国视为重要的战略科技产品，因此美国政府将会对镁光进行更加优惠的补助措施。而根据韩国工业联合会（Federation of Korean Industries）在 2020 年 6 月所发布的报告显示，中国中芯国际在 2014 年至 2018 年期间获得了中国政府补助的金额，占其总销售金额的 6.6%。而美国政府对镁光的补助也占其总销售金额的 3.3%。但反观韩国的三星和 SK 海力士方面，从韩国政府获得的补助则分别仅为 0.8% 和 0.5%。这使得竞争对手更加有实力在技术研发方面进行投资，也使得韩国企业面临着更大的竞争压力。

被制裁1年，长江存储从全球第1，变成落后三星、SK海力士、美光

近日，全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示，与232层产品相比，单位容量提升了41%，延迟降低了13%，性能提升了12%，功耗降低了10%，并且生产效率也提升了59%，算下来成本降了至少50%。

而三星也表示，自己的300+层的4D NAND闪存，即将推出，而下一代产品将超过400层。

同样的还有美光，也表示即将推出300+层的NAND闪存，很明显这三大厂，时隔一年之后，要正式进入300层时代了。

对于NAND产品而言，不能一味的提升工艺，因为工艺达到15nm后，再提升的话，NAND闪存就不稳定。所以厂商们转向立体结构，多层堆叠，NAND层数越多，意味着存储密度越高，容量密度下的成本越低。

举个简单例子，大家就能够懂了。以前128层的1TB NAND芯片，需要200块，那么232层时，1TB的NAND芯片，只要100块左右，如果变成321层的话，可能只要50块了。

所以NAND芯片厂商们，想要提升技术、降低成本的办法，不像逻辑芯片一样，提升工艺，而是增加层数，采用立体结构来堆叠。

事实上，在232层这个档次，长江存储是全球第一家量产的。

去年下半年，长江存储成为全球首个量产232层NAND闪存的厂商，然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。

但也正因为长江存储太优秀了，让美国害怕，所以美国在去年10月份，对长江存储进行了制裁，长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍，更不要说232层了。

先进设备买不到，甚至已经买到的先进设备，后续维修、更换备件都不行，这严重影响到了长江存储的产能，更重要的是影响到了技术发展。

而这也正是美国的目的，本来长江存储技术全球领先，那么依托这个232层的技术，长江存储可以迅速抢占市场，赢得最为宝贵的窗口时期。

但美国的制裁一下来，这个窗口时期就没有了，然后美光、三星、SK海力士等追了上来，直到现在这三大厂商，在技术上还反超了，让长存从领先变成了落后。

而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出，市场慢慢的就会又被这些厂商抢走。

可见，依赖别人技术的突破，真的还是有风险的，一旦别人进行制裁，技术发展路线可能就会被打断，从而出现危机。

我们需要的，还是全产业链的突破，举个例子，如果长江存储的232层突破，是基于国产设备的突破，那美国的制裁将毫无意义。

所以，国产半导体加油吧，我们不仅仅需要的是技术突破，更需要全产业链都跟上来，没有短板才行。

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