以创维8S16为例演示安卓智能主板系统软件拷贝

这是一片能正常使用的创维8S16机芯板，我们接下来为大家演示由iFix团队专门针对安卓智能主板的Nand写入全新算法，自动识别跳过坏块，然后重组数据，完美达到不丢数据的目的。

现在我们先从正常板备份系统软件，先从正常的主板上拆下Nand Flash。

放入Nand Flash转接座。

点智能识别，选择NAND FLASH后确定，会自动识别到芯片型号。

点读取，弹出保存文件名，编辑一个能识别的文件名后点保存。

开始读取，耐心等待读取完毕。

在这里顺便给大家介绍一点Nand Flash的位反转知识。

Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因/效应所导致：

1. 漂移效应：漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地发生了变化，变的和原始值不一样了。

2.写入干扰所产生的错误：此现象有时候也叫做过度写入效应。对于某个页面的写入操作，使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上这个位的值变了。

3.读操作干扰产生的错误：此效应是，对一个页进行数据读取操作，却引起非相关的其他的页面的某个位发生跳变。

如果只是对于单个位的跳变，也许问题看起来并不是很严重。然而，如果恰巧是某个重要文件的某位变化了，那么问题就严重了。如果位反转，只是读取数据出来时候报告出来的位反转，那么很简单，只需要重新再去读取一次数据，即可解决此问题。但是，如果是Nand Flash物理上的某个位真正的翻转了，那么需要通过对应的ECC校验去解决。

相对Nor Flash来说，Nand Flash中，位反转的现象，相对更加容易发生。因此，Nand Flash厂家都推荐在使用Nand Flash的时候，最好要应用ECC算法。当Nand Flash应用于多媒体信息，比如存储音视频文件，那么位反转所造成的问题，并不严重。当用于存储操作系统，配置文件和其他敏感信息的时候，必须要用ECC，以实现数据的校验，保证数据的正确性。所以在实际维修中，iFix给出的建议是Nand Flash尽量用原型号，不要买残次品，读写时候保持引脚干净，引脚及芯片上的残留助焊剂必须彻底清洗并用风枪吹干。

备份成功后，取下母片，放入一片空白的Nand Flash。

然后点设置，弹出来的小窗口有硬拷贝和跳过坏块并重组数据，我们选跳过坏块并重组数据。

将前面备份好的文件拖入编程器操作界面后点“写入”，也可以直接点“写入”选择文件。

可以看到算法已更改为跳过坏块并重组数据。

遇到坏块会自动跳过，并自动重组数据保证数据的完整性。

取下写好的Nand Flash放入智能主板。

主板上电，验证写入结果。完美开机，验证成功！

观看完整视频请访问腾讯视频：https://v.qq.com/x/page/i0712rnqdgf.html

A股存储芯片再迎“新锐势力”，东芯股份值得期待吗？

存储芯片是数据的载体，是电子系统的“粮仓”。在A股市场，存储企业设计公司也深受追捧，比如兆易创新这样国内存储芯片龙头，市值已超千亿。

近期，就有一家存储芯片“新锐势力”即将登陆A股。12月6日，东芯股份披露科创板上市发行结果，此次发行价格为30.18元/股，发行数量为1.1056亿股。值得一提的是，集成电路大基金二期、上汽集团获配329.70万股，获配金额为9950.25万元。

与兆易创新类似，东芯股份业务横跨三大主要存储芯片——NAND Flash、NOR Flash以及DRAM，同时两家公司均主攻中小容量存储芯片市场。兆易创新“珠玉在前”，又有大基金二期、上汽集团加持，东芯股份登陆科创板后的市场表现值得期待。

提供完整存储解决方案

近期，大量芯片公司登陆科创板，但大多集中在模拟芯片领域，而存储芯片领域上市公司少之又少。

存储芯片是应用面较广、市场比例较高的集成电路基础性产品之一，而国内如东芯股份这般提供完整存储解决方案的企业，则更为稀有。据悉，目前主流存储芯片主要为闪存与内存，闪存主要是NAND Flash、NOR Flash，内存便是DRAM。

NAND Flash可以分为SLC、MLC、TLC、QLC，其中中小容量主要使用SLC NAND，大容量SSD等产品主要使用MLC NAND、TLC NAND。东芯股份主攻中小容量市场，NAND Flash领域主要产品便是SLC NAND。其他两个存储芯片，也分别主攻中小容量NOR Flash以及利基型DRAM。

2021年1~6月，东芯股份NAND、NOR和DRAM产品营收分别为2.33亿元、8547.02万元和3127.35万元，营收占比分别为51.32%、18.80%和6.88%。东芯股份表示：“凭借强大的研发设计能力和自主清晰的知识产权，公司搭建了稳定可靠的供应链体系，设计研发的24nm NAND、48nm NOR均为我国领先的闪存芯片工艺制程，已达到可量产水平，实现了国内存储芯片的技术突破。”

而根据兆易创新2020年年报，其表示2021年公司NOR Flash产品将基于55nm工艺节点开展项目研发，丰富和完善公司的产品系列。同时，24nm将成为公司SLC NAND主要工艺节点之一。可以看出，不管是NOR Flash还是SLC NAND，东芯股份在工艺制程方面均不逊色于兆易创新。

目前，国内存储芯片市场需求巨大，但自给率仍然较低。根据世界半导体贸易统计协会数据，2018年我国存储芯片市场规模为5775亿元，同比增长34.18%，预计2023年国内存储芯片市场规模将达6492亿元，未来发展空间广阔。然而中国存储芯片的自给率仅15.70%，比整体集成电路的自给率更低，令中国存储芯片自主可控的需求更为迫切。

中小容量存储市场：巨头离场，增长迅速

从技术角度看，NAND Flash已经进入3D NAND时代，主流DRAM厂商制程已经来打1Znm。相比之下，东芯股份与国际龙头仍存在差距。

不过，东芯股份并非在PC、手机、服务器等主流存储市场与国际龙头竞争，而是主攻中小容量市场。近年来，三星、SK海力士、镁光等厂商陆续从中小容量存储市场离场，将产能转向DRAM、NAND Flash以及高毛利的大容量NOR Flash市场。

巨头离场留下的市场空间，也成就了兆易创新、华邦电子等二线存储厂商。对于东芯股份来说，同样存在着广阔的发展空间。特别是随着国产化需求的不断提高，国内企业将迎来良好的发展契机。

巨头的离场并不意味着中小容量市场是个“鸡肋”。与之相反，5G、物联网以及汽车电子已成为推动中小容量市场发展的重要驱动力量。比如5G通讯设备、物联网都需要高速且稳定可靠的存储芯片作为各类数据站点。5G宏基站为例，其部署环境复杂恶劣，且需要全天候工作，中小容量SLC NAND在性能稳定性上具有明显的优势。

而在火热的汽车电子赛道，中小容量NAND也将迎来大发展。这是因为在汽车系统中，从先进驾驶辅助系统到完全自动驾驶，复杂的汽车应用将更需要高容量的闪存，这对设计者而言，成本的考虑变得相对重要许多。相比之下，NAND Flash相比NOR Flash单位成本具有优势，能够为较大容量车规闪存提供良好的解决方案。

根据Gartner的数据显示，2019年全球ADAS中的NAND Flash存储消费2.2亿GB，同比增长300%。由于智能汽车领域的快速发展，预计至2024年，全球ADAS领域的NAND Flash存储消费将达41.5亿GB，2019~2024年复合增速达79.8%。

下游客户方面，东芯股份NAND Flash凭借产品品类丰富、功耗低、可靠性高等特点，被广泛应用于通讯设备、安防监控、可穿戴设备及移动终端等领域，获得了联发科、瑞芯微、中兴微、博通等行业内主流平台厂商的验证认可，被主要应用于5G通讯、企业级网关、网络智能监控、数字录像机、数字机顶盒和智能手环等终端产品。使用公司产品的终端知名客户包括中兴通讯、烽火通信、海康威视、大华股份、创维数字、航天信息等。

东芯股份表示：“公司NAND Flash产品核心技术优势明显，公司产品在耐久性、数据保持特性等方面表现稳定，不仅在工业温控标准下单颗芯片擦写次数已经超过10万次，同时可在-40℃到105℃的极端环境下保持数据有效性长达10年，产品可靠性逐步从工业级标准向车规级标准迈进。”

未来，东芯股份将进一步发展车规级闪存芯片。其表示：“在满足客户工业级应用需求的基础上，将产品可靠性标准逐步向车规级推进，以顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展可靠性要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的国产替代目标。”

利基型DRAM方面，目前市场也处于供不应求的境地。根据国金证券研报，由于数位电视、机上盒、Wi-Fi 5/6、安防、路由器、Modem、AIOT、白色家电、工业IPC对小容量DRAM内存的需求稳定增长，加上SK海力士将相关产能转移生产CMOS传感器，从而退出中低容量特殊利基型DRAM供应链等，DDR2 512Mb/1Gb、DDR3 1、2Gb DRAM等中低容量特殊利基型DRAM需求超过供给。

而东芯股份DRAM产品正是DDR3和LPDDR2，其专注于中小容量DRAM产品，主要应用于利基型市场，终端产品包括数字机顶盒、PON等通讯设备及功能手机、行车记录仪等移动终端等应用。

行业壁垒：技术+资本

可以看出，东芯股份主要供应中小容量存储，包括SLC NAND、NOR Flash以及利基型DRAM，而这些领域有较大市场潜力。

然而，存储芯片行业兼具资本密集型和技术密集型，技术和资本决定了一个公司的成败。目前，东芯股份拥有国内外发明专利82项，集成电路专业布图设计所有权34项，先后获得“第七届中国电子信息博览会创新奖”“2020年度中国IC设计成就奖之年度最佳存储器”“2019年度上海市‘专精特新’中小企业”等荣誉称号。

东芯股份表示：“自成立以来，公司高度重视研发投入与技术创新，致力于实现本土存储芯片的技术突破。公司研发团队通过多年在存储芯片设计领域积累的大量技术经验，基于自有知识产权和研发设计体系，自主开发了NAND、NOR、DRAM等主流存储芯片，凭借高可靠性、低功耗等特点，多款代表公司先进技术水平的核心产品通过国内外多家知名企业的认证。”

SLC NAND领域，2020年华邦电子、旺宏电子、兆易创新制程分别为32nm、19nm和24nm，东芯股份为24nm；NOR Flash方面，华邦电子、旺宏电子、兆易创新、普冉股份分别为58nm、55nm、55nm和40nm，东芯股份为48nm。

内存方面，华邦电子DDR制程为25nm，东芯股份旗下公司Fidelix同样是25nm；华邦电子LPDDR为25nm，东芯股份旗下Fidelix则为38nm。

中小容量市场在巨头离场后，二线厂商迎来发展机遇。供给端巨头离场，需求端又迎来物联网、5G和汽车电子发展红利。而唯有握住核心技术，方能把握供给端、需求端带来的机遇。对比中小容量存储领域竞争对手可以发现，东芯股份在制程方面基本不弱于同行。尤为可贵的是，东芯股份在SLC NAND、NOR Flash、利基型DDR、利基型LPDDR这四大类产品均有布局。叠加国产替代大潮，东芯股份四大产品后续或将持续高速增长。文/程翔

每日经济新闻

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