遗憾！国产NAND闪存芯片崛起，但全球份额还不到4%

众所周知，2023年存储芯片厂商真的是跌惨了。

一季度三星、SK海力士、美光这三大厂商在存储芯片上亏了500多亿。二季度大家的亏损没减少，美光数据未知，而三星、SK海力士这两家已经超了300多亿，预计这三家厂商，合计亏损依然在500多亿。

为什么会亏这么多呢？是因为市场需求不振，像手机、电脑销量下滑，导致对存储芯片的需求减少，所以供过于求，大家降价、清库存，自然亏损严重。

还有一个原因一直被大家津津乐道，那就是这些存储芯片厂商，被中国产存储芯片厂商打懵了，因为国产存储芯片的崛起，打破了这些国外厂商的定价权，所以价格崩盘，最终亏损。

那么问题来了，国产存储芯片厂商究竟拿下了多少份额，能够逼着国外这些存储芯片巨头不得不大降价，最终大亏损呢？

我们以NAND闪存芯片为例，来说明一下这个问题，按照TrendForce发布的最新数据，一季度全球 NAND 闪存产业营收约为 86.3 亿美元（约 613.59 亿元人民币）。

而前五大厂商分别是三星、铠侠、SK海力士、西部数据、美光，其份额分别为34%、21.5%、15.3%、15.2%、10.3%。

这5大厂商合计拿走了全球96.3%的市场份额，其它厂商的份额为3.9%（因为四舍五入的原因，所以合计不是100%的份额）。

我们知道目前全球能够生产NAND闪存的厂商，其实只有6家，除了上面这5家之外，还有一家是国产的长江存储。

这份表格背后，也就意味着除了这5大厂商之外，其它的NAND闪存厂商拿走的份额只有3.9%，也就是长江存储的市场份额，约为3.9%，较上一季度的收入环比增长了4.2%，上一季度的份额为3.1%。

所以，我们说一句客观一点的公道话，仅3.9%份额的国产存储芯片，真的能够对另外的96.1%的厂商，形成压力么？能够逼的它们降价，最终不得不承受巨额亏损么？

我觉得是不能的，更多的还是市场原因，是因为需求不振，最终市场供过于求，然后大家不得不降价清库存，以免资金链断裂。所以我认为大家虽然支持国产存储芯片，但还是别太盲目自信了，国产存储芯片的份额还不太高，能力没有大家想象的那么强，还需要大家的持续支持，你觉得呢？

存储大厂NAND技术迎突破

AI人工智能正推动存储器产业强劲发展，AI应用带来了海量数据增长，存储容量与性能需求大幅提升，NAND Flash技术重要性不断凸显。因此，存储大厂积极布局以HBM为代表的DRAM产业的同时，也并未忽视NAND Flash的发展。最新消息显示，三星、铠侠两家大厂NAND技术迎来新进展。

三星第九代V-NAND闪存材料技术突破

三星于今年4月宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品开始量产，今年下半年三星将开始量产四层单元（QLC）第九代V-NAND。与第八代V-NAND相比，第九代V-NAND 1Tb TLC产品提高约50%的位密度(bit density)，功耗也降低了10%。

近日韩媒The Elec报道，三星正在其第九代V-NAND“金属布线”（metal wiring）环节中首次使用钼（Mo）材料。

图片来源：三星

“金属布线”是半导体制造过程的一大工艺，使用不同的方式连接数十亿个电子元器件，形成不同的半导体产品。目前， NAND工艺中所使用的材料是六氟化钨（WF6），随着钨材料在降低层高方面不断触及物理极限，三星开始锁定钼作为替代材料。据悉，三星的这一转变有望进一步缩减层高并降低NAND响应时间，性能将进一步提升。

不过，引入钼材料要求生产设备能够耐高温处理，将固态钼原材料加热至600 ℃以转化为气态，为此三星已从Lam Research公司引进了五台Mo沉积机，还计划明年再引进20台设备。此外，三星正与多家相关供应商紧密合作，包括Entegris和Air Liquide公司。

除了三星之外，报道指出美光等存储大厂也在探索钼应用于NAND生产的可行性。

铠侠推出2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存

7月3日，铠侠宣布已经开始使用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术，向客户提供2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品，该款产品在业内拥有最大容量，有望推动包括人工智能在内的多个应用领域成长。

据悉，铠侠通过专有工艺和创新架构，在存储芯片的垂直和横向扩展上均取得了突破，并采用了CBA（CMOS直接键合到阵列）技术，以制造更高密度的设备，并提供3.6Gbps接口速度。

图片来源：铠侠

铠侠表示，与公司当前第五代QLC设备（铠侠产品中容量最高）相比，2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存位密度约提高了2.3倍，写入能效比提高了约70%，全新的QLC产品架构可在单个存储器封装中堆叠16个芯片，从而为业界提供4TB容量，同时，它还具有更小的封装尺寸（11.5 x 13.5毫米）和1.5毫米的封装高度。

除了2Tb QLC之外，铠侠还在其产品组合中增加了1Tb QLC存储设备。与容量优化的2Tb QLC相比，性能优化的1Tb QLC的顺序写入速度大约提高了30%，读取延迟大约改善了15%。1Tb QLC将被部署于高性能应用中，包括客户端SSD和移动设备。

QLC SSD，人工智能领域大有可为！

与多层单元（MLC）和三层单元（TLC）设备相比，QLC NAND每个单元可以存储更多数据，显著提升存储性能。因此，无论是三星还是铠侠，针对QLC NAND皆有布局。

此前QLC NAND主要应用于PC OEM和消费级SSD领域，随着AI大模型不断普及，数据中心存储需求不断激增，QLC NAND尤其是QLC SSD有望在AI、大数据领域大显身手。

受益于AI需求推升，全球市场研究机构TrendForce集邦咨询预估，2024全年QLC Enterprise SSD出货位元上看30EB（EB；Exabyte），较2023年成长四倍。

图片来源：拍信网

TrendForce集邦咨询认为，QLC SSD在AI应用搭载提升有两大原因，一是该产品的读取速度，二是TCO（总体拥有成本；Total Cost of Ownership）优势。由于AI推理服务器主要以读取为主，资料写入次数不若AI训练型服务器（AI Training Server）频繁，相较HDD，QLC Enterprise SSD读取速度更胜，且容量已发展至64TB。

此外，实际上目前通用型服务器采用的HDD产品主流容量在20~24TB，而QLC Enterprise SSD（64TB）单个产品运转除了较HDD节省电力外，在存储容量布局上，QLC所需使用空间减少，可大幅降低TCO成本。AI Training已然成为重度电力消耗应用，因此节能将成为存储产品的优先考量，故大容量QLC Enterprise SSD产品更是大宗AI客户寻求的解决方案。

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