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nand_ecc_size NAND闪存概念大科普！

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

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NAND闪存概念大科普！

内存全线连跌硬盘价格高位运行

在半导体业，有非常多与接口标准、性能规格、功能特性和设计的真实可能性有关联的假设、术语和误解。因此，弄清事实很重要。本文将阐明关于NAND闪存的错误观念。

在使用期的性能恒定

固态硬盘（SSD）写入数据愈多，特别是随机数据，而控制器背后需处理的工作就越多。智慧量和您实际的读取或写入处理可以为应用于交叉存取后台管理工作的控制器开创新局。对于在内部存储器或硬件加速器方面资源较少的廉价控制器，可能会表现差劲，不是导致系统的使用寿命缩短就是性能大幅下降。

随着PCIe销售额的增加，

SATA逐渐消失不见

虽然PCIe在许多消费市场中占据主导地位，如游戏和笔记本计算机，但工业数据存储的增加和苛刻性使得SATA接口在工业市场上拥有稳固的立足点。随着固态硬盘(SSD)存储的需求不断增加，SATA SSD仍处于高需求状态，并将满足不需要PCIe性能或功率分配有限的市场。

新的SATA闪存控制器可与最新的3D闪存一起使用，为不完全由性能驱动的应用程序提供价格竞争的解决方案。

平均抹写储存区块技术的功能同样也在执行

平均抹写储存区块技术是一个很庞大的题目，也可以是非常基本的消费应用。或者当终端应用程序需要持久寿命和可靠性时，它可以非常复杂。重要的是与闪存控制器供货商深入挖掘平均抹写储存区块技术的功能，以了解系统的坚实性。简而言之，如果您的资料非常紧要，或者具有重要价值，最好深入研究为满足最严苛的要求所设计的控制器。

管理型NAND仅可用作eMMC或UFS

管理型NAND是指系统包括NAND闪存管理功能和NAND闪存本身在同一芯片里。有不同的选择和质量水平。有些管理型NAND几乎像原始NAND，但具有ECC除错机制功能。然而，闪存管理将必须由外部处理器执行。广为流传的、更高阶的执行是eMMC或UFS。

不过只限于某些主机系统。高阶自定义的管理型NAND解决方案可以轻松构建，并且可以使用熟悉的任何主机接口。板上电子盘解决方案确实具有可能性，并提供明显更低的TCO。

LDPC是最强大的ECC除错机制

LDPC（低密度同位）已经成为许多与最高质量ECC除错机制联想在一起的专门用语。然而有许多类型的LDPC执行，而解决方案并不全然相同。一些针对校正质量进行了优化，有些针对速度，有些是功耗，有些则是成本。

简而言之，不要误认为LDPC是最好的和唯一的解决方案—主要是取决于产品中LDPC的实际执行。

如果要设计自定义解决方案，

则需要将源代码集成到固件里

存储解决方案不见得只是基本的存储系统。透过现代应用程序开发接口（API），可以有更多可能。此外，终端客户不需向闪存控制器供货商透露任何信息便可完全掌控其智慧财产固件，并控制其USP。闪存控制器具有API开发工具套件是可行的。

MLC与TLC同根生，Intel 3D NAND技术大揭秘

现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息，昨天5月14日，Intel & Richmax举办了一场3D Nand Technical Workshop技术讲解会，在会议上Intel的技术人员给在场人员具体的讲解了Intel 3D NAND的计划以及一些技术上的细节。

3D NAND的好处自然就是能够比现在的闪存提供功能大的存储空间，存储密度可以达到现有闪存的三倍以上，未来甚至可以做出10TB以上的2.5寸SSD出来。另外还有一个重要特性，就是（每单位容量）成本将会比现有技术更低，而且因为无需再通过升级制程工艺、缩小cell单元以增加容量密度，可靠性和性能会更好。

Intel在现在2D NAND时代是没有做TLC闪存的，但是在即将到来的3D NAND时代，Intel将推出自己的TLC闪存，另外还有一个非常重要的就是，TLC与MLC其实都是同一块芯片，这点和现在三星的3D NAND差不多，Intel的客户可以根据自己的需求选择闪存是工作在MLC模式还是TLC模式。在MLC模式下每Die容量是256Gb，而TLC模式下每Die容量是384Gb。

Intel 3D NAND目前会使用32层堆叠，电荷存储量和当年的50nm节点产品相当，第二第三代产品依然会保持这样的电荷量，以保证产品的可靠性，会议上并没有明确说明3D NAND到底是使用那种工艺，只说了用的是50nm到34nm之间的工艺。

Intel的3D NAND代号是L06B/B0KB

L06B是MLC产品的代号 ，采用ONFI 4.0标准，Die Size 32GB，16k Page Size，使用4-plane设计，虽然会带来额外的延时，但同时也提供了比目前常见的2-plane设计闪存高1倍的读写吞吐量，闪存寿命是3000 P/E。

B0KB则是TLC产品的代号 ，由于是同一芯片所以许多东西都是L06B一样，当然容量、性能与寿命什么的肯定不同，Die Size 48GB，闪存寿命是1500 P/E，由于是TLC所以需要ECC标准是更高的LDPC。

Intel 3D NAND全部会使用132-Ball BGA封装，L06B可以从256Gb（32GB）到4096Gb（512GB）的产品，具体的请看上表，不过这款闪存的CE数其实是可以调的，这样可以更容易的做出更大容量的SSD。

闪存有三种工作模式

MLC工作的模式有2-pass和1-pass两种编程模式，默认的是2-pass编程模式，第一次编程lower page的数据写入到NAND阵列里面，而第二次编程则会把upper page的数据写入。

而1-pass编程模式的意思当然就是指一次编程就把lower page与upper page的数据都写入到NAND阵列里面，这样可以节省15%的编程时间，但是用这种算法的话闪存寿命会比两步编程模式时低一些，低多少并没有具体说明。

而TLC的编程算法则要复杂很多了，第一步和MLC的一步编程模式相类似，就是直接把lower page与upper page一齐写入到NAND阵列里面，第二步则是写入extra page的数据，由于算法复杂，第二部编程时需要对数据进行ECC校验。

上面所说闪存的2-pass MLC、1-pass MLC与TLC工作模式是可以用使用指令随时切换的，这对厂家来说闪存的使用会变得非常灵活，当然了产品的用户是不能这样乱改工作模式的。

至于Intel的3D NAND什么时候会开始供应，今年Q3中旬会开始相各个合作伙伴提供测试样品，MLC/TLC的都有，2015年Q4末开始大规模供货，产品的定价会根据那时的市场情况再决定。

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