固态硬盘的预留空间有用吗？白损失空间了吗

固态硬盘的价格如今已经非常便宜，所以现在几乎成了人们装机的首选，但是我们对于固态硬盘的使用方法并不一定完全了解，所以小编今天先给大家科普一波。

今天咱们从容量来写入，相信有不少小伙伴会对于固态硬盘容量标识产生疑惑。以256GB容量固态硬盘为例，有的厂商标称250GB，有的标称240GB，还有的标称256GB，那么同为256GB主流容量的固态产品，为何在产品容量标识上有如此多的差异呢？其实这是固态硬盘的OP预留空间。

它是指固态硬盘内部存在的，由主控芯片控制的，用户不可操作的隐藏空间，这部分空间就是用于主控各种优化机制的操作，诸如GC回收，磨损均衡等。

OP预留空间一共分为三层，第一层OP容量是由于单位换算问题产生的，标称容量是千进制的，即1GB=1000mb,而NAND闪存颗粒是1024进制的，即1GB=1024mb，其中相差的空间值就是第一层容量，此容量无法更改，也是固定不变的通行于所有品牌，这个差值约为固态硬盘标称容量的7.37%。第二层OP容量，则是取决于固态硬盘设计厂商以及主控厂商对于产品的定位了，常规意义上，预留越多的第二层OP空间，固态硬盘的性能会越好。第三层OP容量，是消费者自己设置，作用等同于第二层。

简单来说固态硬盘的OP预留空间，我们可以将它理解为缓存。它预留的越大，固态硬盘的综合性能也就越高，当然它只是起到辅助作用。

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三星：下一代闪存将采用双层堆叠，可望实现256层

当前三星的第六代V-NAND闪存采用单层堆叠技术，最多可具有128层。引入双层堆叠技术后，使256层NAND闪存成为可能。不过下一代NAND闪存会否配置256层，取决于三星接下来的考量。

在昨日举行的投资者论坛上，全球存储芯片龙头厂商三星电子透露，它将在其未来的NAND闪存芯片中采用“双层堆叠”（Double-stack Technology）技术，并且有可能开发256层设备。

双层堆叠使256层闪存可行

NAND闪存是一种非易失性存储器，由于保存资料时不需要消耗电力，断电也可以存储数据。

NAND闪存制造的技术实力可以通过设备中堆叠的存储单元层数来衡量，更多的层数意味着更高的容量和更大的密度。与单层堆叠解决方案相比，双层堆叠的方法可以更快地集成更多层。

三星V-NAND技术图解/图源三星

去年8月，三星推出了第六代V-NAND闪存。为使V-NAND具有超过100层的可行性，三星采用了新的电路设计技术。当前，三星计划利用双层堆叠技术来开发其下一代V-NAND闪存。

闪存市场供过于求持续，但存储供应商不改积极扩产态势，竞争日益激烈。根据TrendForce集邦咨询 的数据，三星是全球最大的NAND闪存制造商，今年第三季度的市场份额为33.1％。

在下一代闪存中引入双层堆叠方案，三星此举有助于进一步巩固其领先地位。

据韩联社报道，第七代V-NAND正处于开发阶段，预计将于明年量产，但三星尚未公布其层配置。三星电子高级副总裁韩进满表示：“我们的第六代V-NAND采用单堆叠技术最多可具有128层，但如果我们采用双层堆叠技术，256层堆叠是可能的。”

最佳层数取决于市场

虽然在技术上可以实现256层NAND闪存，但是韩进满表示，这并不一定意味着三星的下一代NAND将具有这样的层数配置。

韩进满说：“芯片中堆叠的实际层数可能会根据消费者的需求和市场状况而变化。”“这不是关于'你可以堆叠多少层'，而是关于'目前市场上最佳的层数”。”

集邦咨询分析师叶茂盛 在探讨全球闪存产业发展态势时给出预测：制程方面，在2020年NAND Flash叠堆技术突破100层后，2021年继续往150层以上推进。与此同时，单芯片容量也将自256/512Gb推进至512Gb/1Tb。

叶茂盛指出，2021年厂商将积极借助成本改善吸引客户升级容量。

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封面图片来源：拍信网

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