SK海力士计划振兴原英特尔存储业务Solidigm，但内部信心不足

IT之家 4 月 9 日消息，据韩媒 NEWSIS 报道，SK 海力士计划振兴旗下子公司 Solidigm，但除一系列外部挑战外还面临内部信心不足的问题。

SK 海力士于 2021 年以 70 亿美元（当前约 506.8 亿元人民币）完成了收购原英特尔 NAND 闪存和固态硬盘部门的第一阶段收购，并将这部分业务命名为 Solidigm。

然而 Solidigm 自诞生起就面临着低迷的 NAND 闪存行情，至今已遭遇 7 万亿韩元（IT之家备注：当前约 373.8 亿元人民币）亏损，并累计向 SK 海力士申请了 8 万亿韩元的贷款支持。

不过 NAND 存储行业今年以来整体情况转好，尤其 Solidigm 倚仗的企业级产品价格持续走高。

SK 海力士 CEO 郭鲁正在近日的股东大会上表示：“由于最近企业级固态硬盘购买量的增加，我们预计 Solidigm 今年的业绩将有所改善。”

业内人士称，SK 海力士计划将 Solidigm 的大容量存储产品同 SK 海力士的 NAND 闪存及 SoC 结合起来，重塑 Solidigm 的产品组合，转向利润更高的品类。今年 Solidigm 有望借此协同效应摆脱连年亏损的局面。

不过，让 Solidigm 重返盈利并非易事，面临着一系列外部挑战：

SK 海力士虽然目前被允许向 Solidigm 大连工厂运输先进设备，但这一许可有受到未来美国政治环境变化波及的风险；

SK 海力士与 Solidigm 的合计 NAND 市占目前仅次于三星，但若西部数据与铠侠完成合并就将被反超。

更关键的问题是，SK 海力士内部对 Solidigm 的信心并不充足。

经营报告显示，SK 海力士董事会于去年 8 月一致否决了向包括 Solidigm 在内的 NAND 部门额外提供 10 亿美元贷款的提案；两周后该提案二次表决通过，但还是有两位独立董事投下了反对票。

这些反对声音显示 SK 海力士高层对 Solidigm 业务糟糕表现的担忧，此批贷款涉及 Solidigm 的部分实际上可能不会发放。

SK 海力士在审计报告中将对 Solidigm 的贷款列为三个核心审计事项之一，并表示“考虑到持续业绩低迷等因素，有减计的迹象”。

SK海力士CEO郭鲁正：AI存储芯片订单爆满，2025年HBM产能基本售罄

IT之家 5 月 2 日消息，SK 海力士今日在韩国京畿道利川总部举行了一场以“AI 时代，SK 海力士蓝图和战略”为主题的国内外记者招待会，并公布了面向 AI 的存储器技术力及市场现状、韩国清州、龙仁、美国等未来主要生产据点相关的投资计划。

SK 海力士 CEO 郭鲁正表示，虽然目前 AI 需求以数据中心为主，但今后有望迅速扩散到智能手机、PC、汽车等端侧 AI 领域。因此，专门用于 AI 的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增。

他表示，公司具备了 HBM、基于 TSV 的高容量 DRAM、高性能 eSSD 等各产品领域的业界最高技术领导力，今后将通过与全球合作伙伴保持合作提供定制顶级存储器解决方案。

他还透露，公司今年的 HBM 产能已经全部售罄，明年订单也基本售罄。据称，SK 海力士预计在今年 5 月提供世界最高性能的 12 层堆叠 HBM3E 产品的样品，并准备在第三季度开始量产。

SK 海力士预测：进人工智能时代后，全球产生的数据总量预计将从 2014 年的 15ZB（Zetabyte，泽字节）增长到 2030 年的 660ZB。

IT之家注：Zetabyte 即泽字节：泽它（Zetta）是表示 10 的 21 次方。ZB 即为 KB、MB、GB、TB、PB、EB 之后的单位，每一个单位以 1000 为倍数增加 (如 1ZB=10 亿 TB)。

SK 海力士表示，面向 AI 的存储器收入比重也将大幅增加。HBM 和高容量 DRAM 模块等面向 AI 的存储器在 2023 年整个存储器市场的占比约为 5%，预计到 2028 年可以达到 61%。

DRAM 方面，SK 海力士正在量产 HBM3E 和 256GB 以上的超高容量模块，世界最高速度的 LPDDR5T 也已实现商用。NAND 方面，SK 海力士也在业界唯一提供基于 QLC 的 60TB 以上 SSD 产品等，维持着世界顶级面相 AI 的存储器供应商地位。不止于此，SK 海力士还在开发进一步改进的新型产品。

据官方介绍，不仅是 HBM4 和 HBM4E、LPDDR6、300TB SSD，SK 海力士同时还在准备 CXL Pooled（池化）存储解决方案、PIM（Processing-In-Memory）等创新的存储器方案。

除此之外，SK 海力士副社长（P&T 担当）崔宇镇还介绍了 HBM 核心技术力量和美国先进封装项目的进展。

他表示，虽然也有 MR-MUF 技术在高层堆叠方面可能会存在瓶颈的意见，但公司已经在使用先进（Advanced）MR-MUF 技术量产 12 层堆叠 HBM3 产品。

据称，MR-MUF 技术与过去的工艺相比，将芯片堆叠压力降低至 6% 的程度，也缩短工序时间，将生产效率提高至 4 倍，散热率提高了 45%；同时 MR-MUF 技术在维持 MR-MUF 优点的同时采用了新的保护材料，得以使散热性能改善 10%。

此外，SK 海力士还计划在 HBM4 也采用先进 MR-MUF 技术，从而实现 16 层堆叠，正在积极研究混合键合（Hybrid bonding）技术。

关于美国投资的内容，SK 海力士在上个月确定在印第安纳州西拉斐特建设面向 AI 的存储器先进封装生产基地，其中印第安纳工厂将从 2028 年下半年开始量产新一代 HBM 等面向 AI 的存储器产品。

SK 海力士副社长（制造和技术担当）金永式还介绍了其韩国清州 M15x 及龙仁半导体集群投资项目的进展。据介绍，M15x 是一座双层晶圆厂，总面积达 6 万 3000 坪，将具备包括 EUV 在内的一站式 HBM 生产工艺。该项目与正在扩大 TSV 工艺生产能力的 M15 相邻，从而最大程度地提高 HBM 生产效率。SK 海力士 M15x 工厂计划在明年 11 月竣工后，从 2026 年第三季度正式投入量产。

对于占地面积达 415 万平方米的龙仁半导体集群，SK 海力士计划依次建造四座工厂，并将引入国内外原材料、零部件和设备企业从而协力发展半导体生态系统。

目前集群用地建设进展顺利，SK 海力士的首座工厂将入驻的第一阶段用地建设工程进展率约为 42%，正在顺利进行中。龙仁集群内 SK 海力士第一座工厂将于 2025 年 3 月开工，预计在 2027 年 5 月竣工。

同时，集群将投入约 9000 亿韩元（IT之家备注：当前约 47.16 亿元人民币）建设迷你工厂。这座迷你工厂与实际量产环境相似，原材料、零部件和设备企业可以在此进行试制品验证，将会得到提高技术完成度的最佳解决方案。

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