三星第9代V-NAND闪存生产首次采用钼材料，可降低层高和延迟

今年4月，三星宣布正式量产第9代V-NAND闪存，首批生产的是1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，相比上一代产品，单位面积存储密度提高了约50%，同时功耗降低了10%。三星还引入了新的技术，避免单元干扰并延长单元寿命，同时取消备用通道孔大幅减少了存储单元的平面面积。

据The Elec报道，三星在第9代V-NAND闪存的生产中，在金属化工艺过程中使用了钨，另一种则使用了钼（Mo）。目前行业内使用钨来降低层高已达到极限，换成钼可将层高再降低30%至40%，而且还能降低NAND的延迟。三星决定更多地使用钼，意味着NAND材料价值链将发生一些变化。

与六氟化钨（WF6）不同，机器需要将含有钼的原材料加热到600℃，才能将其从固体转换为气体。有业内人士透露，三星已从Lam Research公司引进了5台Mo沉积机，并计划明年再引进20台设备。三星正在从Entegris和Air Liquide采购钼，而Merck也向三星提供了样品。除了三星外，SK海力士、美光和铠侠也在寻求NAND生产中采用钼材料。

相比于六氟化钨，这些含钼的材料定价是其十倍。除了NAND闪存，钼材料未来还可能应用于DRAM和逻辑芯片。不少企业都瞄准了这个新市场，正在开发对应的含钼材料，这也意味着六氟化钨市场将不可避免地萎缩。

Q3量产，SK海力士开发新一代移动端NAND闪存解决方案“ZUFS 40”

作为业界最高性能产品，将于今年第3季度开始量产并搭载于端侧AI手机 与前一代产品相比，长期使用所导致的性能下降方面实现大幅改善，其使用寿命也提升40% “继HBM后，也在NAND闪存解决方案领域引领面向AI的存储器市场”

2024年5月9日，SK海力士宣布，公司开发出用于端侧（On-Device）AI*的移动端NAND闪存解决方案产品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。

SK海力士表示：“ZUFS 4.0为新一代移动端NAND闪存解决方案产品，其产品实现业界最高性能并专为端侧AI手机进行优化”。公司还强调，通过此产品， 继HBM在内的超高性能DRAM后，也在NAND闪存领域公司将引领面向AI的存储器市场。

ZUFS按数据的各自特性来区分管理智能手机应用程序生成的数据。与现有UFS不分区域而混合存储的方式不同，ZUFS可以对不同用途和使用频率的数据进行分区（Zone）存储，提高手机操作系统的运行速度和存储设备的数据管理效率。

由此ZUFS将在长期使用环境下手机应用程序的运行时间与现有UFS相比改善了约45%。而且，ZUFS在存储读写性能下降方面实现了4倍以上改善效果，从而产品的使用寿命也提升了约40%。

公司早就预测对高性能NAND闪存解决方案的市场需求有望发生，从AI热潮来临前的2019年开始与全球平台企业协作开发ZUFS。

SK海力士给客户提供初期试产品，而基于此试产品规格与客户协作开发出符合JEDEC*标准的4.0产品。公司将于今年第三季度开始ZUFS 4.0产品的量产，并且量产品将搭载于全球手机公司向后推出的端侧AI手机。

SK海力士NAND闪存解决方案委员会（N-S Committee）担当副社长安炫表示：“随着科技巨头企业专注于开发搭载自研的生成式AI的端侧，对此所需存储器的性能要求日益提高。公司将及时供应符合客户要求的高性能NAND闪存解决方案，同时加强与全球领先ICT企业的合作伙伴关系，巩固公司“全球顶级面向AI的存储器供应商”的地位。”

*端侧（On-Device）AI：在设备本身上实现人工智能运行，而非依赖物理分离的服务器进行计算。由于智能手机或PC等终端设备自行收集信息并进行运算，可提升AI功能的反应速度、加强用户定制性AI服务功能。

**ZUFS（Zoned Universal Flash Storage）：基于数码相机、手机等电子产品上所适用的通用闪存存储（UFS）改善数据管理效率的新产品。其产品将具有相似特征的数据存储在同一个区域（Zone）的方式有效管理数据，以此优化操作系统和存储之间的数据传输。

*JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council)：国际半导体器件标准组织，该组织决定半导体期间的规格。

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