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ns备份nand报错 iPhone,iPad刷机报错是什么原因?详见苹果刷机报错代码大全
发布时间 : 2025-01-20
作者 : 小编
访问数量 : 23
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iPhone、iPad刷机报错是什么原因?详见苹果刷机报错代码大全

无论是借助iTunes或其它工具给iPhone、iPad刷机,都可能遇到

失败报错 的情况,失败报错会有代码提示

如下图中的“发生未知错误(9)” ,9是指什么意思?是属于什么原因?

对于专业维修人员可能很清楚代码的含义,但对于我们普通不经常刷机的用户,还是需要查看iPhone刷机报错的代码。

小编整理了苹果刷机常见的报错情况 ,通过报错代码 查看到底是出现了什么问题,以及一些已知的解决方法。

报错-1 通用错误: 通用错误,无准确描述。

报错1 错误的参数: tss请求时服务器返回无效或无法识别的响应,常见于网络问题导致或组件版本过旧或新设备兼容问题。可尝试更换网络环境。

报错2 无法连接到设备: 在刷机开始之后一直无法检测到设备,一般由设备连接断开造成。可尝试更换数据线和USB接口,同时确保设备稳定连接。

报错3 设备未处于Restore模式: 设备进入刷机时属于非Recovery或DFU模式。

报错4 软件不受支持: MobileDevice组件版本不支持该设备刷机。可多次重新尝试。

报错5 硬件不受支持: 硬件不受支持。建议更换网络环境。

报错6 操作失败: 多见于NAND操作过程中出现的失败,也可能出现在其它位置失败。可尝试 更换数据线和USB接口。

报错9 通信错误: 通信错误,设备主动断开连接或USB连接断开异常。

报错10 协议错误: 未遵循与Apple服务器的通信协议的网络问题,但这多是因为MobileDevice组件版本所致。

报错11 文件错误: 通常出现在固件包不完整,解压文件不完整,文件拷贝失败。

报错 12 无法打开文件: 通常出现在固件包不完整,解压文件不完整,文件拷贝失败。

11、12报错情况较为常见,有以下这几种解决方法:

1. 删除固件包,重新下载,重启你的计算机。

2. 修复过程中建议不要进行拷贝,剪切,安装,下载等操作。

3. 修复过程中关闭杀毒软件,切勿运行磁盘清理工具。

4. 保证磁盘空间足够。

报错14 ASR错误: 错误码基本被拆成了1100~1105,ASR错误,常见原因由通信问题和磁盘空间不足。

报错18 内存分配错误: PC内存空间不足,建议关闭无关软件,清理内存有条件的可以增加内存条。

报错19 无法解析plist: 固件包损坏或网络问题。建议重新下载固件包。

报错20 不使用DFU模式无法恢复旧设备: 特别旧设备需要使用DFU模式。

报错21 命令在设备上执行失败: 一般和错误6或通用USB问题同时出现。可尝试更换数据线和USB接口,切勿使用拓展器。

报错24 未找到所需服务: 固件包损坏。建议重新下载固件包。

报错75 未找到数据磁盘: ASR传输过程中,回报数据磁盘空间异常。

报错1100 通用ASR错误: ASR传输过程中ASR连接以意外形式失败的通用错误码。可更换数据线,或重新下载固件并重新解压。

报错2003 在USB管道写入时出错: USB写入OS包失败,USB连接问题,建议更换数据线和USB接口。

报错2009 从对iBoot的请求返回USB设备请求错误: 建议更换数据线和USB接口或者更换PC。

报错 3194 创建AP失败: TSS 服务器验证失败导致创建AP失败,网络问题。

报错3503 HTTP禁止错误: 可能是因为网络防火墙导致,建议检查防火墙设置,并确认网络是否正常。

报错4013/4014 系统损坏或被修改: 恢复模式设备切换OS模式过程失败,错误原因:OS包不完整或损坏,USB传输的OS包数据不完整或者硬件问题。

报错4013/4014 建议更换数据线,USB接口,重装USB驱动,多次尝试后4014或4013,一般都是硬件问题。

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通过查看以上苹果刷机错误代码,成功解决iPhone错误问题了吗?

如果遇到以上未覆盖的代码 ,欢迎留言反馈,牛学长为你解答!

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NAND Flash误码的原因

NAND Flash的物理存储机制决定了其本身发生错误是不可避免的。错误的原因包括工作环境(温度影响较大),工艺水平,工作原理等。

NAND Flash存储数据的最小单元是cell,实际是一个MOS,每个cell依据其内部电荷量来表征数据信息。随着工艺的进步,cell越来越小,其内部的电荷量也越来越少,出错的可能变得越来越大。例如34nm的工艺每个cell可存储100个电子,而19nm的时候只能存储10个电子,因此每流失一个电子都会对阈值电压产生重要影响。同时较近的距离也会让各个存储单元之间更容易产生影响。

错误会在下面几种情况下产生:1,擦除操作;2,读取干扰;3,编程干扰;4,数据保持发生错误。

读取/编程干扰主要是因为对目标cell进行读写操作对相邻cell产生了影响,从而导致相邻cell数据出现错误。

数据保持错误是因为长时间的电荷量变化引起的阈值电压偏移导致的。

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