铠侠西数另类复活SLC：96层堆栈XL-Flash闪存性能直追DRAM内存

凭借领先一代的PCM相变存储技术3D XPoint，Intel的傲腾系列内存/SSD在企业级市场上占了上风，延迟超低，寿命也远超闪存。

为了跟傲腾对抗，三星推出了Z-NAND闪存，铠侠、西数则推出了XL-Flash闪存，他们的思路都是差不多的，在现有3D NAND闪存基础上牺牲容量换取性能，另类复活了SLC闪存。

据介绍，XL-Flash闪存被定义为SCM（存储类内存），介于传统DRAM内存、NAND Flash闪存之间，拥有更高的速度、更低的延迟、更大的容量，而且成本相对较低 ，初期将用于SSD固态硬盘，未来也可用于NVDIMM内存条等传统DRAM领域产品。

在ISSCC 2020国际会议上，铠侠公布了XL-Flash闪存的一些特性，日本PCWatch网站做了报道，简单来看下这种新型闪存的优势到底在哪里。

上面已经说了，XL-Flash的思路就是在3D堆栈基础上复活SLC，其内部存储的数据降低到了1bit，也就是SLC类型，这就注定了它的容量会比较低，核心容量只有128Gb（16GB），相比现在动辄TLC 512Gb甚至QLC 1.33Tb的容量小了很多 。

当然，这还是在使用了96层3D堆栈的基础上的，如果是平面时代的SLC闪存，核心容量恐怕还要再小几倍，现在128Gb核心容量基本上还是能保证大容量可用性的。

牺牲容量换来的是性能提升，XL-Flash闪存采用了16-Plane架构，延迟只有普通3D闪存的1/20，具体来说是读取延迟4us，写入延迟75us，要比超过500us延迟的3D TLC闪存好太多了，比三星的Z-NAND闪存的100us也要好些。

此外，XL-Flash闪存的4K随机性能也大幅提升了，IOPS更高，不过这里没具体的数据对比。

至于存储密度，复活SLC闪存的代价也是有的，96层堆栈3D TLC闪存、512Gb核心的面积是86.13mm2，现在128Gb XL-Flash闪存就有96.34mm2，存储密度低了3-4倍。

最后，XL-Flash闪存还有个问题就是商业化，Intel的傲腾内存及SSD都上市一两年了，铠侠的XL-Flash目前为止还没有量产，之前的消息说是2020年才会大规模量产 ，看样子还得等等。

西部数据+铠侠实现了112层堆栈3D NAND闪存技术，三星电子惊呆了

用数据说话，带你看懂科技上市公司

2月1日，根据消息显示，西部数据公司今天正式宣布了新一代闪存技术BiCS5，这是西数与铠侠联合开发而成的，在原有96层堆栈BiCS4基础上做到了112层堆栈，有TLC及QLC闪存两种类型，最高核心密度1.33Tb，是目前存储密度最高的产品。（新闻来源：新浪）

全球财经观察评论： 这个消息一出来，立马惊呆了三星电子。本来在3D NAND闪存技术创新上，三星电子一直引领全球潮流，现在一下子被西部数据与铠侠这两个家伙给超越过去了。意想不到啊。

当然了，3D NAND闪存技术的进步，对整个数据存储行业的发展还是十分有利的。很大程度上，数据存储的产业提升，都源自存储介质的创新与迭代。

随着大数据与云计算等新兴技术应用的广泛落地，对于闪存带来数据存储更大效率的苛求也就越来越高。这在一定程度上刺激闪存技术厂商不断革新工艺，提升闪存密度。这种在西部数据、铠侠、三星、SK、英特尔等闪存厂商之间不断你追我赶的创新，也加速了数据存储行业相关厂商对于个人用户与企业用户的更多满足。

用户需求与3D NAND闪存技术的双驱动，成为了数据存储产业发展进步的推动力。（by Aming）

-END-

欢迎文末留言评论 ！

欢迎来到：

全球财经观察。

文章来源： 阿明新媒体（Aming），全球财经观察，著作权归作者所有。商业转载请联系作者获得授权，非商业转载请注明出处。本文和作者回复仅代表个人观点，不构成任何投资建议。

相关问答

未来十年,存储市场仍将继续追求存储的密度、速度和需求的平衡点。尽管各个厂家的技术侧重点不尽相同,但铠侠(原东芝存储器)对3DXPoint之类的堆叠类存储方...