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nand闪存内部pdf 英睿达P5使用QLC闪存做高端NVMe固态硬盘?假的
发布时间 : 2024-10-09
作者 : 小编
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英睿达P5使用QLC闪存做高端NVMe固态硬盘?假的

美光终于拥有自己的高性能NVMe固态硬盘了。美光自有英睿达品牌长期依靠传统SATA接口产品,在P1/P2两款QLC闪存入门NVMe盘之后,高端定位的P5正式亮相,提供3400/3000 MB/s的顺序读写效能。

从性能指标来看,P5在当今高端NVMe固态硬盘中并没有任何特别之处,虽然提到了全盘硬件加密,但并未提供TCG Opal或IEEE1667的支持情况。从250GB到2TB容量的标称写入耐久度指标为150TBW到1200TBW,保修期均为5年。

和过去一样,美光并未公开英睿达P5所用的主控和闪存类型,这给人带来了大量的想象空间。不过从有限的图片和数据资料当中小编能够猜测一二。下图中通过边缘能够隐约看到主控的体积,根据美光的传统,小编认为主控能是慧荣SM2262EN或Marvell 88SS1092/1093中的一个,由于主控表面没有看到慧荣常见的金属覆盖层,所以使用Marvell的可能性更大一些。另外闪存照片中DRAM缓存下方的正方形芯片也是慧荣公版方案中没有的,更增加了使用非慧荣主控的可能性。

在官网照片当中能够看到P5所用的闪存编号:NW969,这是一个FBGA代码。

根据美光FBGA and Component Marking Decoder系统,可以查询到它对应的零件号是MT29F4T08EQLCEG8-R:C。有些媒体看到"QLC"三个字母就打开脑洞,说这是QLC闪存了,大错特错!

其实美光官网上有NAND闪存的零件号含义PDF,虽然年代比较老(最新的是2016年版),但还是能够从中查询到很多信息。MT29F代表美光NAND闪存,4T代表容量为4096Gb(512GB,说明照片里那张P5如果单面布局的话就是1TB版本的),08代表8比特位宽。

重点来了:08后边的字母E代表MLC-3,也就是TLC闪存。使用QLC的英睿达P2闪存颗粒这一位是G,也就是2016年版表格里没有的MLC-4(QLC闪存)。

至于出现在零件号里的QLC三个字母分别代表什么呢?分开来看,"Q"代表8die封装(说明单die容量是512Gb),4CE;"L"代表Vcc电压3.3V,Vccq电压3.3/1.8V;"C"代表3rd set of device features。编号里出现QLC组合只是一个巧合,其实只要动动脑子都会知道,TLC闪存并没有在编号里体现"TLC"字样。

以上就是PCEVA对英睿达P5主控和闪存的分析猜测,具体结果还是需要等到有实际产品拆解照片才能确认。

X-NAND技术有望为QLC闪存带来SLC级别的性能

回顾过去十年的 SSD 发展史,可见固态硬盘的速度和性价比都变得越来越高。大约十年前,32GB / 64GB SSD 的价格可能高达 500 / 1100 美元。现如今,不到 150 美元就能买到 1TB 型号。 然而随着一项被称作 X-NAND 的新技术的问世,这一趋势还将得到进一步的延续。

X-NAND 详细介绍(PDF)

为了在每个存储单元塞入更多的数据位,闪存已从 1-bit 的 SLC,逐渐发展到了 2、3、4-bit 的 MLC / TLC / QLC 。

此外还有 5-bit 的 PLC NAND 正在开发中,只是我们无法早于 2025 年见到它的身影。

对于大多数网友来说,可能都知道 SLC NAND 闪存的速度和耐用性最佳,但成本也居高不下。

另一方面,尽管 TLC 和 QLC NAND 的速度相对较慢,但在 DRAM 和 SLC 缓存策略的加持下,其依然很适合用于制造更具成本效益的大容量 SSD。

有趣的是,由 Andy Hsu 在 2012 年成立的闪存设计与半导体初创企业 Neo Semiconductor,宣称能够借助全新的的 X-NAND 闪存技术来获得更高的性能与成本效益。

早在去年的闪存峰会上,外媒就已经报道过 X-NAND 。不过直到本月,这家公司才被正式授予了两项关键专利。

X-NAND 的特点,是在单个封装中结合 SLC NAND 的性能优势、以及多 bit 的存储密度。

与传统方案相比,X-NAND 可将闪存芯片的缓冲区大小减少多达 94%,使得制造商能够将每个芯片的平面数量,从 2-4 个大幅增加到 16-64 个。

基于此,NAND 芯片可实现更高的读取和写入并行性能,进而甚至可提升 SLC NAND 的性能。

理论上,X-NAND 可将顺序读取速率提升至 QLC 的 27 倍、将顺序写入速率提升 15 倍、以及将随机读写性能提升 3 倍。

同时得益于 NAND 芯片的更小、更低功耗,其制造成本也可控制到 QLC 相当。至于耐用性会有多大的改善,说起来就有些复杂了。即便如此,该公司还是声称会较传统 TLC / QLC 闪存有所改善。

目前 Neo Semiconductor 正在寻求与三星、英特尔、美光、铠侠、西部数据、SK 海力士等 NAND 制造商建立合作伙伴关系。截止发稿时,该公司已拥有 22 项相关专利。

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