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Nand中文意恩都是存储器，但RAM，ROM，闪存，硬盘怎么分？

发布时间 : 2024-11-25

作者 : 小编

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都是存储器，但RAM、ROM、闪存、硬盘怎么分？

曾经有一段时间，我对电脑、手机上的RAM、ROM、内存、闪存、运行内存、机身内存、存储空间等都"傻傻分不清楚"，后来花了不少时间，才把这几者的来龙去脉分清楚。

总的来说上面那些算是存储器，从存储器的材质来看，大概可以分为三种，分别是磁性的机械硬盘、DVD和蓝光类的光盘，而第三种则是今天要讲的主人公，半导体存储器，顾名思义，它是用半导体集成电路工艺制成的存储数据信息的固态电子器件。

如果光看"存储器"这个名字的话，可能很多人会把它们都当作U盘、存储卡、硬盘等永久存储数据的器件，其实这是片面的。说到这，还要从电脑（手机）的内部结构说起。存储器是电脑中的重要部件，主要分为以RAM和ROM为代表的内存（主存储器），和以机械硬盘和闪存为代表的外存（辅存储器）。

很多人都知道内存是用来运行程序的，但未必了解其实内存和外存都会存储数据，只不过是分工不同。内存的英文名为Memory（记忆），可以理解成它是用于即时任务的短暂记忆体。处理器需要处理数据，不是直接和外存（硬盘或闪存）交换数据，而是外存先把数据放入到内存中，再由内存和处理器对接。

内存主要有RAM和ROM这两种。RAM（Random Access Memory），中文名为随机存储器，与CPU直接对接，特点是可以随时读取写入数据、运行速度快，缺点是一但断电就会丢失数据。ROM（Read-Only Memory），中文名为只读存储器，数据出厂前被存入ROM并永久保存，只能读出，不能再写入或删除，掉电后数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据。

人们经常弄错的第二个疑惑点，就是人们把RAM和ROM区分成了运行内存和存储空间这两样不同的东西，特别是在手机上。说到这里，就要说起手机的存储结构了，在手机里面RAM和电脑的一样，也是（运行）内存，但ROM却和存储空间产生了联系，手机中的ROM有一部分空间是用来存储系统信息和软件，但大部分空间都被用来当作硬盘的存储空间了。

外存（辅存储器），英文名为"Storage"（存储），是作为存储空间的永久记忆体。常用的外存设备主要有硬盘（多指机械硬盘）、闪存（半导体）。闪存既可被多次擦除或写入内容，又可断电以后数据也不会丢失。

闪存下面还有相关分类，其中应用广泛的就是NAND闪存。NANAD闪存拥有体积小、读取速度快、空间大等优点，因此多被用来作固态硬盘和手机存储。以固态硬盘为例，它主要由控制芯片+（NAND）闪存颗粒组成，速度的快慢很大程度上取决于闪存颗粒的如何。闪存颗粒的发展也经历了SLC、MLC、TLC、QLC等多个阶段，目前比较先进的有像希捷酷鱼120这种装载了3D TLC NAND闪存的，它能缩短系统、软件、文件的启动和读写时间，顺序读写速度分别高达560MB/秒和540MB/秒。

说了这么多，区分内存、存储空间、RAM和ROM，其实可以简单地分为两方面来记忆区分，一是分清电脑上的内存（运行内存条）和外存（机械硬盘或固态硬盘），二是分清手机上的RAM代表运行内存、ROM代表存储空间就可以了。

喂啊伐木累：DRAM、SRAM和Flash存储器区别

DRAM、SRAM和Flash都属于存储器，DRAM通常被称为内存，也有些朋友会把手机中的Flash闪存误会成内存。SRAM的存在感相对较弱，但他却是CPU性能发挥的关键。DRAM、SRAM和Flash有何区别，它们是怎样工作的？

DRAM：动态随机存取存储器

DRAM的全称是Dynamic Random Access Memory，动态随机存取存储器。"随机存取"意味着CPU可以存取其中的的任意位置，而不像硬盘那样每次存取要以扇区为单位进行。

而"动态"是因为DRAM的工作采用电容原理，为了防止漏电引发数据错误，需要定时重复刷新。当电源中断后DRAM中的数据就会全部丢失，所以它属于"易失型"存储器。

SRAM：静态随机存取存储器

SRAM的存在感比较弱，因为多数时候它并不是像DRAM那样以内存条的形式直接展现在大家面前。CPU中集成的高速缓存就属于SRAM（Static Random-Access Memory，静态随机存取存储器）。在一些无DRAM缓存设计的固态硬盘（如东芝TR200）中，主控内会集成小容量的SRAM缓存。

SRAM存储单元是由6个晶体管制成的简单锁存器，无需刷新和回写就能保留数据，速度比DRAM更快。但由于集成度低，SRAM容量比DRAM小，成本比DRAM高，所以在大多数地方只能以较小的容量作为高速缓存使用。断电后SRAM中的数据也会丢失，同样属于"易失性"存储器。

Flash：闪存存储器

铠侠（原东芝存储）在上世纪80年代发明NAND型闪存。闪存可以在断电后持续保存数据，但是它无法随机存取，最小读写单元是Page页（早期为4KB，当前多为16KB），最小擦除单位是Block块（当前为16MB左右）。

闪存使用特殊的"浮栅层"（Floating Gate）来存储数据，氧化物层（Oxide Layer）的存在可防止浮栅层中电子流失，这是它能够在断电后继续保存数据的原因。

Flash闪存的1个存储单元存储多位数据，这是DRAM和SRAM都做不到的。根据浮栅层中电子的多少，每个存储单元可以表达1比特（SLC）、2比特（MLC）、3比特（TLC）或4比特（QLC）数据。

闪存的写入和擦除基于量子隧道效应，每个单元可以存储的数据越多，对跃迁到浮栅层的电子数量控制越严苛，写入速度也越慢，所以TLC的闪存性能优于QLC。

当前的3D闪存在结构上跟传统闪存又有所不同。3D闪存的单元排列从水平变更为立体的同时，闪存单元的结构也变为类似于圆柱形，Floating Gate浮栅也被Charge Trap电荷捕获结构代替。

新一代固态硬盘上已经用上96层堆叠技术的3D闪存，而下一代100+层堆叠的闪存也已完成研发并将很快进入量产阶段，在容量、性能和成本上取得新的进步。

总结：DRAM是内存（动态刷新，断电丢数据），SRAM是高速缓存（无需刷新，断电丢数据），Flash（无需刷新，断电不丢数据）通常作为硬盘。从容量上看SRAM<DRAM<Flash，从性能上看则正好反过来。DRAM和SRAM断电后数据会丢失，写入Flash闪存的数据则可以在断电后持续保留。

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