SK海力士128层4D NAND出样：固态硬盘进入TB时代

IT之家11月20日消息 根据guru3D的报道，随着NAND闪存技术的创新发展，固态硬盘TB内存时代即将到来，SK海力士现已推出了第一批基于其128层4D NAND产品样品。

据介绍，SK海力士本月向主要客户交付了基于128层4D NAND工程样本，其中包括1TB UFS 3.1、2TB cSSD 和16TB E1.L eSSD。

SK海力士于2019年6月成功批量生产了128层1Tb TLC NAND，这在业内尚属首次。今年11月，SK海力士向主要智能手机制造商提供了其基于128层1Tb 4D NAND的1TB UFS 3.1工程样品。由于实现1TB产品所需的芯片数量相比减少了一半，1TB芯片的封装厚度只有1mm，这对于超薄的5G智能手机来说是最理想的。搭载该产品的智能手机预计将在明年下半年左右量产。

SK海力士：全球首次成功研发128层4D Nand闪存

（观察者网讯）

据韩国《中央日报》6月27日报道，SK海力士宣布，该公司已经在全世界率先成功研发出128层4D Nand闪存芯片，将从今年下半年(7月~12月)开始投入量产。新产品比以往96层4D Nand芯片的生产效率提高了40%。

据SK hynix透露，该产品是业界最尖端的128层堆栈4D NAND，适用超均一垂直植入技术、高信赖多层薄膜构成技术、超高速低电力线路设计等技术。同时，该产品也是用TLC存储方式打造的NAND中，首次达到1TB容量的产品。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。

6月26日，SK海力士宣布成功开发出“128层1Tb的TLC（Triple Level Cell）4D Nand闪存”，即将投入量产。距离该公司在去年10月开发出96层4D Nand闪存芯片过了8个月时间。据悉，最近DRAM和Nand闪存等存储芯片的价格不断下降，SK海力士今年第一季度已经出现亏损，现在似乎打算在Nand闪存领域寻找新的突破口。

据报道，相比传统的3D Nand闪存工程，4D Nand闪存解决了芯片设计过程中最为困扰的面积问题，大大提高了生产效率。SK海力士表示，“新产品使用同样的4D平台，通过对工程进行最佳优化，在比96层产品增加了32层储存单元的情况下，还将全部的工程程序减少了5%”。

SK海力士副总经理吴钟勋（音）表示，128层4D NAND将确保NAND项目的根本竞争力。该产品实现业界最多层堆栈、最高容量，将及时提供各种解决方案。

SK海力士计划从今年下半年开始正式开售128层4D闪存芯片，并接连推出各种产品解决方案。SK海力士还计划积极对云数据中心使用的企业级固态硬盘(SSD)、需要大容量存储芯片的5G移动通信智能手机市场展开攻略。

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