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32层堆栈nand 长江存储年底量产64层堆栈3D NAND闪存，与国外差距缩小到2年

发布时间 : 2025-01-22

作者 : 小编

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长江存储年底量产64层堆栈3D NAND闪存，与国外差距缩小到2年

来源：超能网

前不久紫光公司推出的纯国产SSD的消息刷遍了网络，爆料称该系列SSD容量128GB到1TB，使用的是国产联芸科技的主控以及紫光自产的64层堆栈TLC闪存，P/E寿命可达1500次，这已经是相当高的水准了。不过爆料的紫光SSD也有很多蹊跷之处，紫光公司随后找媒体删除了相关报道，并不愿意声张此事。对国内NAND闪存来说，最有希望的还是长江存储公司，日前该公司联席CTO程卫华表示今年底量产64寸堆栈的3D NAND闪存，市场分析称这样一来国内的NAND闪存与国外的技术差距就从之前的三四年缩小到了两年左右。

这里要说一点，虽然都是紫光集团旗下，但是紫光存储跟长江存储并不是一回事，紫光存储就是那个做U盘、SSD及磁盘阵列的公司，主要做终端产品，长江存储虽然也算是紫光旗下的，不过这是紫光收购武汉新芯科技之后的公司，紫光控股，但公司还是独立运营的，他们主要是做NAND研发、生产，未来他们可能是紫光存储产品的NAND供应商，但紫光存储并不是只有长江存储的闪存可用，去年紫光存储跟英特尔达成了战略合作，推出的很多存储产品使用的其实是英特尔的闪存。

长江存储这边去年就已经研发成功了32层堆栈64Gb核心容量的的NAND闪存，并且少量生产用于U盘等产品，但32层64Gb容量的NAND闪存已经没有竞争力了，长江存储此前公布的目标是今年量产64层堆栈的3D NAND闪存。

日经新闻报道称，长江存储联席CTO程卫华日前在中国国际半导体技术大会表示该公司的生产正如期进行，与全球供应商的合作关系照旧。他说这番话的背景是因为另一家存储芯片厂商福建晋华因为合作火爆联电在台湾挖人而与美光公司交恶，惹上了侵权知识产权的麻烦，而晋华公司也被美国政府制裁，美国的半导体设备厂商不能再给福建晋华公司供应生产设备，导致公司运转停止。

程卫华表示该公司决不允许员工侵犯知识产权或者窃取其他公司机密，已要求公司员工签署承诺书，不能把非法资料带入公司。

此外，对于担心长江存储入局NAND闪存会带来产能过剩、低价竞争等问题，程卫华还表示公司不会大举扩产让市场供过于求。

长江存储今年的目标是量产64层堆栈的3D NAND闪存，Bernstein Research半导体分析师Mark Li表示如果64层堆栈NAND闪存量产，长江存储与国外厂商的技术差距可望从3、4年缩短到2年左右。

32层堆栈，国产3D NAND闪存性能、功能、可靠性已达标

闪存芯片是国家大基金确立的半导体芯片产业最优先的方向之一，也是目前最紧迫的产业，因为全球的NAND闪存主要掌握在三星、东芝、美光、SK Hynix等公司手中，基本上没有中国公司能染指NAND生产，更影响不了定价和技术发展。紫光公司主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，他们的主要产品就是国产3D NAND闪存。来自中科院的消息称，长江存储研发的3D NAND闪存已经取得标志性进展，堆栈层数达到了32层，性能、功能、可靠性等关键指标已经达到了预期要求。

在IC咖啡首届国际智慧科技产业峰会（ICTech Summit 2017）上，长江存储CEO杨士宁表示国产32层3D NAND芯片顺利通过电学特性等各项指标测试，达到预期要求。该款存储器芯片由长江存储与（中科院）微电子所三维存储器研发中心联合开发，在微电子所三维存储器研发中心主任、长江存储NAND技术研发部项目资深技术总监霍宗亮的带领下，成功实现了工艺器件和电路设计的整套技术验证，向产业化道路迈出具有标志性意义的关键一步。

相比传统的平面闪存，3D NAND闪存的优势多多，我们之前的超能课堂：3D NAND闪存是什么，引中国厂商竞折腰？一文中已经做过介绍，不论性能还是可靠性，亦或者是容量、成本，3D NAND闪存都比普通NAND更有优势，将是各大闪存厂商未来的主力产品，主流堆栈层数也从前两年的24层、32层提升到48层、64层甚至72层。

可靠性也是影响闪存的关键，根据杨士宁所说，他们的器件团队通过大量的实验和数据分析，寻找影响各种可靠性特性的关键因素，并和工艺团队紧密协作，完成了器件各项可靠性指标的优化，最终成功实现了全部可靠性参数达标。

在电路设计层面，堆叠三维阵列的集成研发面临比平面型NAND更复杂的技术问题，需要结合三维器件及阵列结构特点进行分析和优化。设计团队对三维存储结构进行建模，采用根据层数可调制的编程、读取电压配置，补偿了器件特性随阵列物理结构的分布差异，降低了单元串扰影响。并且，应用了诸多创新性的先进设计技术，保证了芯片达到产品级的功能和性能指标。