美光率先量产面向客户端和数据中心的200+层QLC NAND产品

近日，Micron Technology宣布，美光232层QLC NAND现已量产，并在部分Crucial英睿达固态硬盘（SSD）中出货。与此同时，美光2500 NVMe SSD也已面向企业级存储客户量产，并向PC OEM厂商出样。这些进展彰显了美光在NAND技术领域的长期领导地位。

美光2500 SSD采用QLC NAND，性能远超竞品

美光232层QLC NAND可为移动设备、客户端设备、边缘和数据中心存储设备带来无与伦比的性能，其主要优势包括：

· 领先的存储密度，比竞争对手最新产品的存储密度提升高达28%

· 领先的2400 MT/s NAND输入/输出（I/O）速度，比上一代产品提升50%

· 读取性能比上一代产品提升24%

· 编程性能比上一代产品提升31%

Pure Storage超大规模业务总经理Bill Cerreta表示：“美光的232层QLC NAND是我们大容量Direct Flash模块产品的关键赋能因素。得益于美光NAND技术创新，Pure Storage在2028年之前替换数据中心内所有机械硬盘（HDD）的道路上又迈出了坚实的一步。”

美光2500客户端SSD

美光2500 SSD以其卓越的性能为日常计算树立了新标杆，显著提升了PC用户体验。美光连续两代率先出货最高NAND层数的QLC客户端NVMe SSD。美光2500 SSD是全球首款基于200+层QLC NAND的客户端SSD。

AMD高级副总裁兼企业院士Joe Macri表示：“美光2500 SSD的性能令人印象深刻，我们很高兴该款存储产品能通过AMD主流平台的验证。2500 SSD能提供卓越的用户体验，完美匹配高性能的AMD Ryzen（锐龙）处理器。”

美光2500 SSD能比基于TLC和QLC的竞品SSD提供更好的用户体验，并为日常PC应用和计算任务的生产效率树立了全新的存储标杆。在 PC Mark 10体验基准测试中，美光2500 SSD在高性价比SSD组别中表现出色，其平均得分超出QLC和TLC竞品高达45% 。

美光副总裁暨客户端存储事业部总经理Prasad Alluri表示：“随着行业转向QLC存储，美光在客户端SSD市场上继续保持领先地位并持续创新。美光2500 SSD提供卓越的用户体验和价值定位，将进一步加速QLC在PC中的普及。”

华硕消费性产品事业处协理陈奕彰表示：“通过在PC产品中搭载美光2500 QLC SSD，我们为用户提供了超凡体验。美光在QLC NAND领域的诸多创新使我们的客户能充分享受可靠存储带来的优势，且无需在其他方面做出妥协。此外，它紧凑的外形规格和高达2TB的容量，让我们能够轻松打造出业界领先的轻薄设备。”

美光2500 SSD是全球首款接近PCIe 4.0最高理论性能的QLC SSD，顺序读取速度高达7.1 GB/s。在高性价比SSD市场中，美光2500 SSD的性能远超基于TLC NAND和QLC NAND的SSD竞品：

美光2500 SSD的缓存加速功能助力其性能得到提升，并确保在大多数应用场景下实现最快的读写性能。美光232层QLC NAND为其带来稳定的SSD写入耐用性。即使是最小容量的512GB版本也具备足够的耐用性，可支持用户在三年时间内每天下载13部4K电影 。

美光2500 SSD支持22 x 30mm、22 x 42mm和22 x 80mm外形规格，以及512GB至2TB的容量选择。值得一提的是，22 x 30mm紧凑型规格和高达2TB的容量非常适合手持游戏设备。这些SSD均采用单面设计，为OEM厂商提供了更高的灵活性，能轻松将其集成到超薄设备和工作站等各种系统中。

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美光详解全球首款 232 层 NAND：速度提升 50%，最高 TLC 密度

IT之家 7 月 27 日消息，昨晚，美光公司宣布全球首款 232 层 NAND 已在该公司的新加坡工厂量产，初期将以封装颗粒形式通过 Crucial 英睿达 SSD 消费产品线向客户发货。

现在，美光发文介绍了 232 层 NAND 的相关技术。

官方表示，该技术节点达到了现今业界最快的 NAND I / O 速度：2.4 GB / s， 比美光 176 层制程节点所提供最高速的介面数据传输速度快 50%。与前一代产品相比，美光 232 层 NAND 的每晶粒写入频宽提高 100%，读取频宽亦增加超过 75%。

此外，美光 232 层 NAND 引进全球首款六平面（6-Plane） TLC 生产型 NAND，是所有 TLC 闪存中每晶粒拥有最多平面的产品，且每个平面都有独立的读取能力。

232 层 NAND 的精巧外形不仅赋予客户在设计上的弹性，也实现了有史以来最高的 TLC 密度（14.6 Gb / mm2） ，其单位储存密度较目前市场上的 TLC 竞品相比高出 35% 至 100%。232 层 NAND 并采用比美光前几代产品小 28% 的新封装尺寸，11.5mm x 13.5mm 的封装使其成为目前最小的高密度 NAND，在更小的空间内实现更高的容量也有助于大幅降低应用时所占据的主板空间。

美光的 232 层 NAND 也是首款在生产中支援 NV-LPDDR4 的产品，此低电压介面与过去的 I / O 介面相比可节省每位元传输逾 30%。

美光表示，232 层 NAND 突破性功能将助客户在资料中心、更轻薄的笔记型电脑、最新的移动装置和整个智慧边缘领域提供更多创新解决方案。

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