三星宣布量产第8代236层V-NAND闪存：业界最高位密度，IO速率达24Gbps

三星宣布，已开始批量生产采用第8代V-NAND技术的产品，为1Tb（128GB）TLC 3D NAND闪存芯片，达到了236层，相比第7代V-NAND技术的176层有了大幅度的提高。三星称，新的闪存芯片提供了迄今为止业界内最高的位密度，可在下一代企业服务器系统中实现更大的存储空间。

第8代V-NAND闪存基于最新NAND闪存标准的Toggle DDR 5.0接口，I/O速率达到了2.4 Gbps，比上一代产品提高了1.2倍，这使得新款闪存芯片能够满足PCIe 4.0及下一代PCIe 5.0产品的性能要求。三星表示，第8代V-NAND闪存有望成为存储配置的基石，不但有助于扩展下一代企业服务器的存储容量，而且还能扩展到对可靠性要求较高的汽车市场。

今年5月份，美光宣布推出232层的3D TLC NAND闪存，并准备在2022年末开始生产，计划用在包括固态硬盘在内的各种产品上。该款芯片采用了CuA架构，使用了NAND的字符串堆叠技术，初始容量同为1Tb。到了8月份，SK海力士宣布成功研发全球首款业界最高层数的238层NAND闪存，同时已向合作伙伴发送512Gb TLC 4D NAND闪存的样品，并计划在2023年上半年正式投入量产。

目前NAND闪存市场里，三星的市场份额是最高的，到达了35%。随着采用第8代V-NAND技术的产品引入，三星在层数上已追上SK海力士和美光，以确保市场上的竞争优势。

三星正在开发第七代 V-NAND 闪存，至少达到 160 层

IT之家4月20日消息 根据外媒TechPowerUp的报道，三星电子正在开发其第7代V-NAND闪存，第一款产品将至少达到160层。

外媒表示，三星的160层的V-NAND产品可能会在长江储存128层产品大量上市时推出，时间大约是2020年底。

IT之家曾报道，4月13日，长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存（型号： X2-6070）研发成功，并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。长江存储表示，X2-6070拥有业内已知型号产品中最高单位面积存储密度，最高I/O传输速度和最高单颗NAND 闪存芯片容量，拥有1.6Gb/s高速读写性能和1.33Tb高容量。

相关问答

NandFlash闪存颗粒中根据存储密度的差异可分为SLC、MLC、TLC和QLC四种,按照存储方式划分,NAND闪存已经发展了四代:第一代SLC(Single-LevelCell)每单元可.....

三星第五代V-NAND采用96层堆叠设计,是目前行业纪录,内部集成了超过850亿个3DTLCCTF闪存存储单元,每单元可保存3比特数据,单Die容量达256Gb(32GB)。这些单...

内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit,用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页(Page)(可以看到,NAND型闪存的页就类似硬盘的扇...

作为全球领先的OEMDRAM和闪存芯片供应商之一,SKHynix希望通过全新的驱动器产品组合,进一步扩大其在消费市场的影响力。去年夏天,该公司在美国推出了250...

2019年全球半导体市场凛冬将至,从以往的牛市转向了熊市,主要原因就是存储芯片价格不断下跌,其中DRAM内存芯片去年Q4季度才开始由涨转跌,不过NAND闪存比DRAM内...

没有量产。长江存储2016年成立,现在已成功量产128层NAND闪存芯片,最快可能在今年底量产232层NAND闪存芯片。X-tacking技术是长存的专有技术,它的成功应用还...

美光在二季度财报电话会议上透露,该公司即将开始基于全新RG架构的第四代3DNAND存储器的量产工作。按照计划,美光将于2020Q3采集开始生产,并于Q4像...

闪存类型显示NAND,是因为NAND闪存是一种特殊的闪存类型,它具有以下特点:1.高密度:NAND闪存的存储单元是由多个浮栅管和磷氧亚锡层组成的,因此它具有高密度...

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备,在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品,NAND被证明极具...

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为DataFlash,晶片容量大,目前主流容量已达...