长江存储NAND Flash产能未来6个月售罄,被手机厂和模组厂两头疯抢
原本一滩死水的手机市场,被华为Mate 60 Pro从断气边缘救了回来,各种零部件都开始重温久违的拉货、补货、备货的感觉,加上苹果iPhone 15发布,冷清的全球消费性电子市场顿时生机再现。当前存储厂的想法是,不管真假缺货潮,年底前的目标就是要涨价,涨到不赔钱为止,哪一次的存储价格谷底翻扬不是弄假成真先“演”出来的!
各家存储大厂一路经历跌价、亏损、减产、涨价四部曲,现在正式进入“涨价”阶段,三星、SK海力士、美光等都已经率先表态要涨NAND Flash合约价,再不作出业绩把价格拉上来,估计年底工作大概也保不住。
长江存储的3D NAND产能也被手机厂和模组厂两头抢购,传出从现在到2024年上半年的产能都已经被预订完毕,由PC厂、服务器厂等分食,模组厂可能只能分到较少的量。
长江存储的货源根据QLC、TLC、容量、规格等,每一款产品各自有不同的命名分别为:泰山、武夷山、井冈山、大别山,之后还有X3、X4等等命名。 PC厂、服务器厂主要是拿武夷山和泰山,因为这两种产品用来作嵌入式方案包括eMM、eMCP、eSSD和Client SSD都已经很成熟,而模组厂拿到的货源以X3居多,这个做嵌入式产品相对还在普及阶段。
当前NAND Flash市况是,如果现在才去跟NAND Flash原厂三星、美光、长江存储等谈增加货源,估计都要不到太多新产能,不然就是要接受高价。
华为Mate 60 Pro突然展开预售,绝对是炒热这一波手机行情的最大推手,不然很多手机供应链厂商觉得要到2024年下半年手机市场才能回魂,最悲观者甚至是2024年也好不起来。
华为Mate 60 Pro、苹果iPhone 15先后问世让全球手机市场感到许久不见得暖意,整个手机零部件供应链都活络了起来,让业者喜上眉梢。
近期苹果iPhone 15顶规版的iPhone 15 Pro Max要到11月才能拿到新机,部分人士解读为需求强劲的象征,但事实上应该是生产瓶颈的因素,尤其是堆叠式CMOS影像感测元件CIS等技术问题,导致iPhone 15 Pro Max出货量不多,整体而言,iPhone 15系列出货量预估上,或许可以冲刺维持8000万台。
究竟这一波是真的手机需求回来,消费者换机意愿增加,还是昙花一现的景象? 乐观者与保守者都有,可以确定的是全球手机出货量进入成熟期,没有新功能刺激数量大幅成长的空间,但每支手机搭载的存储容量是不断向上垫高,也就是硅含量( content per box)的提升,对既有供应链厂商而言,仍是不小的商机。
当前虽然有车用、AI等新商机的出现,但还是没有一个新领域的需求可以全然递补上手机如此庞大的市场。因此,全球科技业共识是,景气要回暖,手机这一块消费性电子产品势必是不能缺席,现阶段光靠AI和电动车还无法独当一面。
被制裁1年,长江存储从全球第1,变成落后三星、SK海力士、美光
近日,全球存储大厂SK海力士公布了其最新的321层堆叠4D NAND Flash闪存样品。SK海力士表示,与232层产品相比,单位容量提升了41%,延迟降低了13%,性能提升了12%,功耗降低了10%,并且生产效率也提升了59%,算下来成本降了至少50%。
而三星也表示,自己的300+层的4D NAND闪存,即将推出,而下一代产品将超过400层。
同样的还有美光,也表示即将推出300+层的NAND闪存,很明显这三大厂,时隔一年之后,要正式进入300层时代了。
对于NAND产品而言,不能一味的提升工艺,因为工艺达到15nm后,再提升的话,NAND闪存就不稳定。所以厂商们转向立体结构,多层堆叠,NAND层数越多,意味着存储密度越高,容量密度下的成本越低。
举个简单例子,大家就能够懂了。以前128层的1TB NAND芯片,需要200块,那么232层时,1TB的NAND芯片,只要100块左右,如果变成321层的话,可能只要50块了。
所以NAND芯片厂商们,想要提升技术、降低成本的办法,不像逻辑芯片一样,提升工艺,而是增加层数,采用立体结构来堆叠。
事实上,在232层这个档次,长江存储是全球第一家量产的。
去年下半年,长江存储成为全球首个量产232层NAND闪存的厂商,然后才是美光、SK海力士、三星。这意味着国产存储是真的支棱起来了。
但也正因为长江存储太优秀了,让美国害怕,所以美国在去年10月份,对长江存储进行了制裁,长存128层及以上NAND Flash的供应链受到严重阻碍,更不要说232层了。
先进设备买不到,甚至已经买到的先进设备,后续维修、更换备件都不行,这严重影响到了长江存储的产能,更重要的是影响到了技术发展。
而这也正是美国的目的,本来长江存储技术全球领先,那么依托这个232层的技术,长江存储可以迅速抢占市场,赢得最为宝贵的窗口时期。
但美国的制裁一下来,这个窗口时期就没有了,然后美光、三星、SK海力士等追了上来,直到现在这三大厂商,在技术上还反超了,让长存从领先变成了落后。
而一旦这些厂商300+层的NAND闪存推出,市场慢慢的就会又被这些厂商抢走。
可见,依赖别人技术的突破,真的还是有风险的,一旦别人进行制裁,技术发展路线可能就会被打断,从而出现危机。
我们需要的,还是全产业链的突破,举个例子,如果长江存储的232层突破,是基于国产设备的突破,那美国的制裁将毫无意义。
所以,国产半导体加油吧,我们不仅仅需要的是技术突破,更需要全产业链都跟上来,没有短板才行。
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