紫光国产32层NAND闪存耗资10亿美元研发，2018年内量产

NAND闪存芯片是智能手机、SSD硬盘等行业中的基础，也是仅次于DRAM内存的第二大存储芯片，国内的存储芯片几乎100%依赖进口。好在国产NAND闪存目前已经露出了曙光，紫光集团旗下的长江存储正在武汉建设NAND工厂，预计今年内量产，据悉国产NAND闪存是32层堆栈的，是1000多名研究人员耗时2年、耗资10亿美元研发的。

今年5月10日上海展览中心举办了首届中国自主品牌博览会，这次展会得到了国家发展改革委联合中宣部、工业和信息化部、农业农村部、商务部、国家市场监管总局、国家知识产权局、上海市人民政府的支持，主题为 “中国品牌、世界共享”，紫光集团代表北京市品牌企业参展。

紫光集团下的紫光展锐展示了SC9850HK芯片，号称是全国第一家、世界第二家拥有自主嵌入式CPU关键技术的手机芯片平台，是中国手机CPU芯片设计领域的一项重大突破。这款芯片是中国首款拥有自主嵌入式CPU关键技术的LTE手机芯片，其中的核心CPU为独立自主设计，并在此基础上建立独立安全机制，有效保障信息安全。

不过引人关注的是紫光的国产NAND闪存的公开展出，根据官方资料介绍，国产32层3D NAND闪存是长江存储耗资10亿美元，1000人团队研发2年出来的具备国产自主知识产权的3D NAND芯片。

关于制造工艺，紫光没有明确提到工艺信息，但表示这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片，将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队，有力提升“中国芯”在国际市场的地位。

目前国产32层3D NAND闪存已经研发成功，长江存储国家存储器基地项目芯片生产机台已进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段，中国首批拥有完全自主知识产权的32层三维NAND闪存芯片将于年内量产。

根据之前的报道，长江存储将在武汉投资建设三期工程，目前即将完工的是一期工程，投资240亿美元，主要生产NAND闪存，建成后产能将达30万片晶圆/月。

清华紫光初步定下了量产NAND闪存时间 三星对此也别不开心

对我们来说，这确实是个好消息：

在中国台湾，高启全被许多内行人士称为“存储器教父”。目前，高启全在（清华紫光旗下）长江存储科技任执行董事（代行长江存储董事长职务），并主导DRAM（动态随机存储器）和NAND Flash（NAND闪速存储器）研发事业。

近期，高启全接受媒体记者采访时称：2019年，长江存储就很可能开始量产64层堆栈3D NAND Flash 。这等于是说，长江存储所研发NAND Flash将只比三星有大约一代技术差距而已了？因为，三星在今年才开始量产64层堆栈3D NAND Flash。另外，长江存储在今年也会出样32层堆栈3D NAND Flash（长江存储自主研发）。

更早之前，高启全接受电子时报记者专访时还称：

第一，美光可以成为长江存储最好合作伙伴。如果，美光愿意和长江存储共同研发更为先进DRAM和NAND Flash，那么，这对美光反倒有利。为什么这么说呢？比如，最近一年以来，美光仅在全球DRAM市场上所占市场份额就从28%大幅下降到了18%。很多人应该想得到，在未来，一旦长江存储在全球存储器市场占据越来越多市场份额，美光就有可能陷入到经营困境中。正如电子时报所报道那样，“（美光）不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦”。

第二，在全球DRAM和NAND Flash市场上，韩国存储器厂商（三星和SK海力士为两家具代表性存储器厂商）已经占得80%和60%市场份额。照此下去，不出几年，韩国存储器厂商恐占有全球90%存储器产能。这该会令全球人感到害怕才对。而长江存储着力研发并计划量产DRAM和NAND Flash，可以在全球存储器市场上起到平衡三星一家独大作用，换言之，这对全球人来说皆是一大好事。引用电子时报报道原文，“他（高启全）进一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，对台湾地区亦有利，以中国有计划地布局可扮演此角色，且只有中国才有这个资源投入”。

结语：有人这样来看，“考虑到紫光在武汉建设的晶圆厂产能非常大，NAND未来降价是无疑的。这对三星等厂商来说是个压力”。

相关问答

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