存储芯片要涨价了？因突发停电，东芝3D NAND主力工厂已停产数日

6月21日消息，据日媒报道称，近日存储芯片大厂东芝位于日本三重县的四日市工厂，于日前发生了意外停电事故。据传这起停电意外造成部分产线停工，在截至20日为止，停工中的产线仍未能复工。而此起意外，也势必对东芝的业绩造成影响，并可能会对延误东芝记忆体(Toshiba Memory Corporation，TMC)在今年内IPO上市的进程。此外可能还将对存储芯片市场产生影响。

▲东芝位于日本三重县的四日市的存储芯片工厂

根据日本中部电力(9502-JP)说法，在日本当地时间6月15日的下午6点25分，发生了停电意外，并在约13分钟后恢复正常供电。受到此起停电意外影响的是东芝在四日市的Fab6工厂。

东芝的Fab 6工厂是2017年2月开始建设的，并于2018年9月开始投入生产，产线使用12吋(300mm)晶圆，主要生产96层3D NAND。目前，Fab 6是东芝生产3D NAND芯片的主力工厂。

对此，与东芝合作密切的NAND快闪记忆体控制晶片厂群联电子，在6月20日晚间表示，该公司目前尚有充足库存，可应付短期的急单需求，以及2到3个月的生产接单需求。而对于东芝四日市工厂的停电传闻，群联方面则是没有发表评论。

随后，东芝对外确认旗下3D NAND闪存工厂遭遇了停电事故，闪存生产将受到影响。东芝表示将尽快恢复生产，不过目前尚无准确信息，无法评估这次断电事故会带来多大的影响，尤其是这次事故是否会影响NAND闪存价格走向。

东芝公司宣布旗下3D NAND闪存工厂遭遇停电事故，闪存生产将受到影响，东芝表示将尽快恢复生产，不过目前尚无准确信息，无法评估这次断电事故会带来多大的影响，尤其是这次事故是否会影响NAND闪存价格走向。

目前，NAND闪存的价格已经连跌了6个季度，受此影响，今年一季度季度几家NAND厂商的财报都出现了同比的大幅下跌。随后，三星、美光、东芝等公司决定削减NAND产能至少5%，目的是缓解市场上供过于求的局面。

作为全球第二大NAND闪存供应商，东芝的市场份额仅次于三星，此次东芝3D NAND主力工厂因停电事故导致停产，如果无法快速恢复生产的话，或将在短期内刺激闪存芯片市场价格重回升势。

编辑：芯智讯-林子

什么闪存？NAND Flash与NOR Flash有什么区别？

什么是闪存？

闪存是一种非易失性、可编程、基于芯片的高速存储技术，即使断电也能保留数据。闪存主要有两种类型：分别是NAND和NOR。

什么是NAND？

闪存将数据存储在由金属氧化物半导体是浮栅晶体管（FGT）定义的存储单元阵列中，该晶体管存储二进制数据 1 或 0。每个晶体管都有两个栅极，分别是控制栅极和浮动栅极。

与DRAM内存不同，NAND在断电后也能够储存数据。闪存断电时，浮栅晶体管 (FGT) 的金属氧化物半导体会向存储单元供电，保持数据的完整性。NAND单元阵列存储1到4位数据。

NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而应用广泛，如嵌入式产品中包括手机、数码相机、U盘等。

常见NAND闪存类型：

常见的 NAND 类型有SLC、MLC、TLC和3D NAND。垂直堆叠单元的 3D NAND 拥有更高的性能、密度。

SLC： 单级单元，SLC NAND每个单元存储一位信息。SLC NAND具有相比于同类产品中最高的耐用性，同时SLC NAND 是当今市场上价格最贵的闪存。

MLC： 多级单元，MLC NAND每个单元存储两位信息。与SLC NAND相比，提高了单元存储数据量，从而降低了单元数据储存的成本，但是降低了耐用率。

TLC： 三级单元，TLC NAND每个单元存储三位，从而降低成本和耐用性并增加容量。它的耐用率较低，是最便宜的闪存类型，主要用于消费级电子产品。

QLC： 四级单元，QLC NAND每个单元存储四位，从而创建更高密度和大容量的存储设备。QLC NAND具有较低的读取延迟，更适合机器学习、人工智能（AI）、大数据等应用程序的数据读取操作，但是耐用性更差，价格也会更便宜。

3D NAND： 为了提高NAND设备的容量，3D NAND通过垂直堆叠多层存储单元来提高容量并降低成本，3D NAND设备实现了更高的密度和更低的功耗、更快的读写速度以及更高的耐用性。

什么是NOR闪存？

NOR Flash是第一种面世的闪存。NOR闪存芯片上的单元彼此平行排列，因此读取效率高，不易出错，但写入速度慢，常用于代码一次编写、多次读取的应用场景，多用来存储程序、操作系统等重要信息。

NAND与NOR的区别：

（1）市场占比： NAND闪存的使用量远远超过 NOR闪存。NAND Flash的具体产品包括USB（U盘）、闪存卡、SSD（固态硬盘），以及嵌入式存储（eMMC、eMCP、UFS）等，应用广泛。得益于汽车电子和物联网，近几年NOR Flash市场正在飞速增长。

（2）读取性能： NOR闪存的读取速度比NAND闪存快。因为读取数据时，NAND Flash首先需要进行多次地址寻址，然后才能访问数据；而 NOR Flash是直接进行数据读取访问。

（3）写入、擦除性能： 与读取性能相反，NAND芯片的写入和擦除速度比NOR器件更快。NAND器件执行擦除操作简单，擦除单元更小，擦除电路更少，且写入单元小，因此NAND的擦除和写入速度远比NOR更快。

（4）耐用性： 在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。

（5）存储密度： NOR存储器的密度低于同等的 NAND 闪存芯片。

（5）应用场景： NOR Flash闪存通常用于消费电子、物联网、车载与工业领域，而 NAND 用于数码相机、智能手机、平板电脑、储存卡、固态硬盘和计算机中。

尽管NAND闪存是当前最流行的闪存类型，但NOR闪存仍有自己的技术优势。目前SK海力士宣布通过321层4D NAND样品发布，预计2025年上半年实现量产，随着闪存技术的不断发展，我们在未来能够使用上性能更好，价格更实惠的闪存产品。

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