东芝宣布推出采用96L 3D NAND的第四代BGA SSD

东芝宣布其OEM客户端NVMe SSD的第四次迭代，作为包含SSD控制器和NAND闪存的单个BGA芯片封装提供。 东芝BG4是对BG3的重大升级：东芝的新型96层3D TLC取代了他们的64层NAND，可实现更高的容量和更低的功耗。 BG2和BG3中使用的PCIe 3 x2控制器被支持PCIe 3 x4的新控制器取代，为更高的顺序I/O性能打开了大门。

BG4仍然是一款无DRAM的SSD，它依赖于NVMe主机内存缓冲区（HMB）功能来缓解无刷驱动器否则会遭受的性能损失。东芝增加了对HMB的使用，增加了SSD存储在主机DRAM中的数据的奇偶校验，即使主机系统不使用ECC内存，也能提供额外的数据保护层。

BG4的固件也经过调整，扩展了可以缓存在主机内存缓冲区中的用户数据映射信息范围，从而提高了复制大文件等用例的性能。这些变化意味着BG4会要求使用更大的主机内存来加速其操作，但所请求的HMB大小仍然小于100MB。其他固件更改的重点是提高随机I / O性能并减少后台闪存管理对交互性能的影响。来自东芝的初步性能数据表明，随机写入性能几乎翻了一番，随机读取性能远远超过BG3的两倍。

东芝BG4容量128 GB，256 GB，512 GB，1TB，外形尺寸M.2 16x20mm BGA或M.2 2230单面，接口NVMe PCIe 3.0 x4，顺序读取性能2250 MB/s，顺序写入性能1700 MB/s，4KB随机读取380k IOPS，4KB随机写入190k IOPS。

更改为更宽的PCIe x4主机接口不需要BG4采用比其前辈更大的BGA封装尺寸，切换到96L 3D TLC具有更高的每个芯片容量，允许一些驱动器采用更薄的设计（对并且允许BG系列首次引入1TB容量。东芝是第一家推出采用96L NAND的SSD厂商，看起来BG4将成为第二款开始出货的96L SSD。

96层3D NAND有诈？韩媒：东芝为卖存储、操弄媒体

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东芝 ( Toshiba )和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3D NAND flash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门，蓄意放出消息、操弄媒体。

韩媒BusinessKorea 3日报导，东芝和WD为了东芝存储(Toshiba Memory Corporation、TMC)出售案，搞到撕破脸互告。韩国业界人士称，东芝财务吃紧，被迫出售存储求现，避免因为资本减损(capital impairment)下市，怀疑东芝有能力投入庞大资金、进行研发。

相关人士猜测，东芝发布96层3D NAND新闻稿，可能是想操纵媒体，炒热存储业务买气。此一消息可以突显东芝半导体的技术优势，有望抬高售价、加速出售脚步。他们表示，东芝在这个时间点放出该讯息相当可疑。

报导称，其实三星也已研发出96层3D NAND，但是考量到产品越先进，量产越困难，因此未对外公布，要先等到全面量产再说。文章力挺三星，指出就算堆叠层数相同，视各家公司技术和制造方法不同，表现仍有差异，因此堆叠层数变多，不能保证效能一定变好。

东芝明年量产96 层3D NAND，QLC 产品8 月送样

全球第2 大NAND 型快闪存储厂东芝（Toshiba）28 日宣布，已携手SanDisk 研发出全球首款采用堆叠96 层制程技术的3D NAND Flash 产品，且已完成试作、确认基本动作。该款堆叠96 层的3D NAND 试作品为256Gb（32GB）、采用3bit/cell（TLC：Triple Level Cel）技术的产品，预计于2017 年下半送样、2018 年开始进行量产，主要用来抢攻数据中心用SSD、PC 用SSD 以及智能手机、平板电脑和记忆卡等市场。

据悉，该款产品将利用其位于日本的合资制造工厂四日市工厂“Fab 5生产线”、“新第 2 厂房”以及预计 2018 年夏天完成第 1 期工程的“Fab 6生产线”进行生产。西部数据强调其位于日本的合资制造工厂业务持续表现强劲，预计 2017 年公司整体 3D NAND 供货量，将有 75% 以上来自 64 层 3D NAND（BICS3）技术的产品组合。而 2017 年西部数据与其合作伙伴东芝生产的 64 层 3D NAND 总产量，将远高于业界任何一家供应商。

东芝今后也计划推出采用堆叠96 层制程技术的512Gb（64GB）3D NAND 产品以及采用全球首见的4bit/cell（QLC = Quad-Level Cell）技术的3D NAND 产品。

西部数据存储器技术执行副总裁 Siva Sivaram 博士表示：“我们成功开发出业界首创的 96 层 3D NAND 技术，验证西部数据在技术蓝图研发的执行能力。BiCS4 可采用 3-bits-per-cell 与 4-bits-per-cell 两种架构，同时具备多种技术和制造方面的创新，以具吸引力的成本提供顾客最高的 3D NAND 储存容量、效能与可靠度。西部数据的 3D NAND 产品组合是专为各种终端市场所设计，范围涵盖消费者、移动装置、运算装置和数据中心。”

东芝目前已量产堆叠64 层的3D NAND 产品，而和64 层产品相比，96 层3D NAND 每单位面积的记忆容量扩大至约1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加，每bit 成本也下滑。

东芝并于28日宣布，已试做出全球首见、采用4bit/cell（QLC）技术的3D NAND产品，且已完成基本动作及基本性能的确认。该款QLC试作品为采用堆叠64层制程技术，实现业界最大容量的768Gb（96GB）产品，已于6月上旬提供给SSD厂、控制器厂进行研发使用。

东芝表示，堆叠16 片768Gb 芯片，实现业界最大容量1.5TB 的QLC 技术产品预计于2017 年8 月送样，且该款1.5TB 产品将在8 月7-10 日期间于美国圣塔克拉拉举行的「Flash Memory Summit 2017」上进行展示。

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