v nand 850 evo 3D TLC威力如何三星850 EVO首发评测-行情-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

v nand 850 evo 3D TLC威力如何三星850 EVO首发评测

发布时间 : 2024-11-24

作者 : 小编

访问数量 : 23

扫码分享至微信

3D TLC威力如何三星850 EVO首发评测

泡泡网SSD固态硬盘频道12月8日凭借雄厚的工厂资源，三星第一个将TLC闪存投入了实用，并连续推出了840、840 EVO两代产品，都是物美价廉的代表。现在，第三代的“850 EVO”来了，而且第一次应用了3D V-NAND堆叠的TLC。

这种闪存规格从一诞生就争议不断，相比于单位的SLC、双位的MLC，三位的它成本更低，但是相对寿命短很多，性能也差一些。

虽说无论从理论还是实际上看，TLC应付日常应用都绰绰有余，但是用户对它的长期可靠性一直都没有放下心来。

特别是这段时间，iPhone 6部分也用了TLC闪存，结果出现了一些毛病，更是质疑声群起。在此之前，840 EVO、840先后出现了老数据读取掉速的问题，虽然三星极力否认和TLC有关，但实在没法让人信服。

另一方面，三星也是第一个玩起3D堆叠闪存技术的，都发展到了第二代。

850 EVO也是3D、TLC两种技术第一次结合在一起，堆了多达32层，能开出什么花呢？日本网站4Gamer抢先公布了对它的实际评测。

【850 EVO规格解析】

850 EVO仍是传统的SATA 6Gbps 2.5寸盘规格，6.8毫米超薄，容量分为120GB、250GB、500GB、1TB，搭配缓存256MB-1GB，安全技术支持AES 256-bit、TCG Opal 2.0，平均故障间隔时间150万小时，终生数据写入量75-150TB——此前210/250GB版只有44TB。

不过闪存颗粒的具体工艺暂时不详。

性能方面，持续读写最高都是540MB/s、520MB/s，随机读写则是最高94000-98000 IOPS、88000-90000 IOPS。2.5寸盘顶天也就是这样了，但是对于TLC来说已经很高很高，基本可以媲美MLC。

值得一提的是主控，120-500GB用的是最新一代MGX，据称优化了性能，特别是低容量下的随机性能。1TB的则是和上代相同的MEX，后者的功耗也略高一些。

从三星给出的数据看，同容量的850 EVO随机写入性能的确比840 EVO高很多，即便是同样主控的1TB版也更快了，队列深度1的时候都能加速21％，队列深度32的时候120GB版可以加速1.5倍！

840 EVO引入写入加速技术“TurboWrite”也延续了下来，它是通过将TLC模拟成高速的SLC来提升性能，现在号称更猛了，尤其是持续写入可以加快7-19％。

RAPID技术同样还在，简单地说是借助系统内存和CPU资源缓存频繁访问的数据，进行加速。

另外，质保时间也从3年提高到了5年，相信可以让大家更放心一些了。

【850 EVO 120GB实物拆解】

本次测试的是最小容量的，但是从价格、性价比方面看，这也是大多数用户首选的，因此更有实际意义。

850 EVO：表面颜色更深了

这是840 EVO

背面有型号、编号等信息

打开外壳大吃一惊，PCB居然这么小！这自然得益于如今闪存的高集成度

背面甚至基本是空的，只有一些电器元件

中间的S4LN062X01-Y030就是MGX主控，因为此前MEX主控的编号是S4LN045X01-8030。上边就是3D TLC闪存颗粒，编号K90KGY8S7C，单颗容量128GB。下边是缓存，256MB LPDDR3

背面有一个空焊位

三星固态硬盘管理工具Magician 4.5

【性能测试：PK 840 EVO】

测试平台配置如下：

测试项目不是很多，但也足以看清850 EVO的表现了，尤其是和上代840 EVO对比有多大的进步呢？

PCMark 8存储得分：基本没有任何不同，开启RAPID模式后增加了几十分，也只有1％。

PCMark 8存储带宽：进步神速啊，提升了几乎有60％。RAPID模式也有点效果，能进一步提升4-7％。

PCMark 8游戏载入速度：没任何变化，RAPID开关也无不同。

CDM持续读写速度：读取没变，写入疯了，300MB/s左右蹿升超过了510MB/s，达到了十分理想的水平。

CDM 512KB随机读写速度：读取反而还有所倒退，1000MB区块的写入倒是继续暴涨，提升了45％。

CDM 4KB随机读写速度：读取、写入都小有进步。

CDM 4KB 32队列深度随机读取速度：读取提升了超过10％，1000MB区块的写入又一次暴涨，接近70％。

Iometer随机读写：太凶了，翻了一番还多。

HD Tune：两张图里看起来都是850 EVO，但是原文说第二张其实是840 EVO。主要是看看TurboWrite的效果。

【850 EVO：你值得拥有】

虽然还是TLC，不过这次850 EVO真的是很有诚意。3D堆叠技术的加入当然是最大亮点，它大大提高了存储密度，并进一步降低了成本，直接好处就是可以更便宜一些。

3D堆叠的长期可靠性还有待检验，但是考虑到此前是首先在服务器和数据中心领域使用的，应该更可靠才对。

另一点证据就是，质保从3年延长至5年，说明三星对V-NAND是很有信心的。

新的主控暂时还了解得不是很多，但提升写入性能的宣传不是白给的，配合TurboWrite、RAPID，新一代的随机写入有了明显的进步，已经堪比主流MLC，读取也有所进步。

如果你使用中的随机读写比较频繁，这一代会有明显改观。

最关键的价格暂时不详。此前美国电商给出的预订价大致在100、150、260、480-500美元，即便排除其中的水分也可以基本肯定会比840 EVO贵一些，要拉开档次的节奏，毕竟规格更强了，质保也更长了，但是只要别太离谱，还是很值得关注的。 ■

性能退化？三星新850还不如750Evo给力

EVO在很多地方有EVOLUTION进化的含义，从840Evo开始，应用SLC缓存的三星TLC固态硬盘型号就一直以EVO作为结尾，除了性能不济的650被剥夺EVO称号之外，三星最近又推出了取消EVO的850 120G。

除了保修缩水2年之外，三星850 120G依旧配备了3D TLC闪存，主控也是与850Evo一致的型号，从EVO退化而来的850 120G到底有哪些变化，能否还对得起850之名？

由于三星有意低调处理这块有缩水嫌疑的850系列新成员，自然也不会有主动的宣传，还好我们可以通过外媒Tom’s Hardware的测试一窥究竟。

850 120G延续了三星风格的迷你PCB板，依然是熟悉的MGX主控，不过没有使用750Evo中应用的POP封装，而是将DRAM缓存又放归外置的形式。唯一的一颗闪存颗粒编号为K9CKGY8H5A，由于三星早已不外销颗粒，没有Datasheet信息，这颗闪存到底为何种制程完全无从得知。不过考虑到它问世的时间，有理由猜测这是一颗64层堆叠的3D TLC，为满足国内的低端入门市场，逆势选择了用新闪存做小容量，也为性能衰退埋下伏笔。

三星在软件优化上向来功力深厚，不过即便如此850 120G的性能相比850Evo 120G依然出现明显的下滑，存储带宽表现甚至还不如2D TLC闪存的三星750Evo 120G。而从国内京东的定价来看，三星显然是想将850打造为比750Evo更高端的形象，但性能相比850Evo的明显缩水又使得它不得不脱下了EVO的外套，即便性能退步，新850 120G还是比850Evo 120G停产前的价格要贵。不管是新品还是老型号，性价比开倒车是最近一年固态硬盘的共同旋律。

850 120G出现性能下滑的原因很简单：新制程3D闪存的单Die容量提升，不适合制造小容量产品。三星在48层堆叠的技术节点上就已经实现了256Gb的单Die容量，如果850 120G所用闪存真的是新一代64层堆叠工艺的话，单Die容量极有可能已经达到512Gb，这意味着850 120G仅有的一颗闪存颗粒中只封装有2个芯片，影响到了并发读写性能的提升。

三星选择在中国发布850 120G，主要是在闪存价格大涨的背景下填补低端装机产品空档，是总价妥协的产物。不过它449的价格并不美丽，或许只适合对三星品牌有较高认同度的人群。120G容量对于当前游戏增肥的趋势来说已显紧凑，就算不考虑单位容量价格也该选择更大的容量以免后悔。

有网友说现在的入门级固态硬盘越来越像优盘了，不仅容量像，闪存通道数量像，山寨牌子干脆就用优盘级品质的颗粒造固态。不出意外的话明年3D QLC闪存也会来了，价格回归去年水平的目标什么时候才会实现呢？

3D TLC威力如何三星850 EVO首发评测

性能退化？三星新850还不如750Evo给力

关于我们

产品中心

服务与支持