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nand闪存封装规格终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

发布时间 : 2024-10-06

作者 : 小编

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终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

美光推出紧凑封装型UFS 40移动解决方案：基于232层3D NAND闪存，最高1TB

美光去年推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，称可以为智能手机提供业界最强性能，包括快速启动、应用程序启动和视频下载，并在下半年开始批量生产。这是其首个基于232层3D TLC NAND闪存的移动解决方案，也是世界首个使用六平面NAND架构的UFS 4.0存储产品。

今天美光宣布，开始送样增强版UFS 4.0移动解决方案，不但具有突破性专有固件功能，并采用业界领先的紧凑型UFS封装（9 x 13 mm），同样基于232层3D TLC NAND闪存技术。尺寸更小巧的UFS 4.0为下一代折叠及超薄智能手机设计带来了更多可能性，制造商可利用节省出来的空间放置更大容量的电池，加上能效提升了25%，让用户在运行AI、AR、游戏和多媒体等耗电量高的应用时获得更长的续航时间。

增强版UFS 4.0移动解决方案提供了三种容量可选，分别为256GB、512GB和1TB，提供了最高4300 MB/s的顺序读取速度和最高4000 MB/s的顺序写入速度。此外，美光还提供多项专有固件更新功能，包括高性能模式（HPM）、一键刷新（OBR）和分区UFS（ZUFS）。

美光表示，其卓越性能和端到端技术创新将助力旗舰智能手机实现更快的响应速度和更灵敏的操作。相比前一代产品，新的增强版UFS 4.0移动解决方案性能提升一倍，为数据密集型应用带来了更出色的优化使用，用户能更快地启动常用的生产力、创意和新兴AI应用。其中在生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%，为用户与AI数字助手的对话提供更流畅的使用体验。

终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

美光推出紧凑封装型UFS 40移动解决方案：基于232层3D NAND闪存，最高1TB

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